技術編號：11064319
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種N型碳化硅半導體器件的結構，更具體地說是涉及一種N型碳化硅半導體肖特基二極管的新結構。背景技術使用硅器件的傳統集成電路大都只能工作在250℃以下，不能滿足高溫、高功率及高頻等要求。當中，新型半導體材料碳化硅(SiC)最受人注目和研究。碳化硅半導體材料具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高熱導率、高臨界擊穿電場等突出優點，特別適合制作大功率、高壓、高溫、抗輻照電子器件。碳化硅禁帶寬度寬(210eV≤Eg≤710eV)，漏電流比硅小幾個數量級。而且，碳化硅熱穩定性極好，本征溫度可達800℃以上...
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