技術編號：11021117
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。隨著集成電力技術的飛速發展，硅外延技術在集成電路制造中應用越來越廣泛。其中，硅外延技術是通過化學氣象沉積等方法在硅襯底上沉積一層硅單晶層，硅襯底及其上沉積的硅單晶層共同構成外延片。現有外延片應用于金屬氧化物半導體場效應晶體管上時，每種外延片適應的產品耐壓范圍較小，外延片通用性較差，不便于通過簡單改變外延片來適應不同耐壓需求的產品，當某種耐壓需求的金屬氧化物半導體場效應晶體管不再制造時，與其配套的外延片也不再使用，這造成大量資源浪費。實用新型內容本實用新型的...
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