技術編號：10988099
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。由于HEMT(HighElectron Mobility Transistor，高電子遷移率晶體管)器件具備擊穿特性高、開關速度快、導通電阻小等優點，因此，其在電源管理、風力發電、太陽能電池、電動汽車等電力電子領域有著廣泛的應用前景。傳統的HEMT通常為GaN基HEMT，用于制備HEMT的HEMT外延片通常包括藍寶石襯底以及依次形成在藍寶石襯底上的成核層(通常為AlN)、緩沖層(通常為摻雜的GaN)、溝道層(通常為GaN)和勢皇層(通常為AlGaN)，其中...
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