技術編號：10824996
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。絕緣體上硅(SOI)包括半導體層和位于半導體層下方的絕緣層。該絕緣層可以是單晶硅襯底中的氧化物埋層。在絕緣體上硅(SOI)中形成的半導體器件包括晶體管和二極管等，其中，在SOI的半導體中形成半導體器件的有源區。進一步地，利用絕緣層實現半導體有源區的隔離，從而可以抑制半導體襯底的漏電流和相關的寄生電容等。基于SOI的半導體器件可以獲得高速、低功耗和高可靠性等優點。例如，在應用于ESD時，二極管的瞬態響應速度是重要參數。由于可以減輕寄生電容，因此基于SOI的二...
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