技術編號:10808371
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。目前,單IGBT(InsulatedGate Bipolar Transistor,絕緣棚.雙極型晶體管)的電磁諧振電路通常采用并聯諧振方式,并在采用實現電磁爐大功率運行的諧振參數時,如果在連續低功率段運行,則會出現以下問題(I )IGBT電壓超前開通,開通瞬間會導致IGBT瞬態電流峰值高,容易超過IGBT電流峰值規格限制,損壞IGBT;(2) IGBT會發熱嚴重,需要加強對IGBT散熱(如增大散熱片、增加風機轉速等)以實現IGBT的溫升要求;(3)如果采...
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該類技術注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學習。