技術編號：10727714
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 在汽車和工業電子設備中通常采用的功率晶體管需要低通態電阻(R。。'A),同時 確保高電壓阻斷能力。例如，M0S("金屬氧化物半導體"）功率晶體管應當能夠根據應用需求 來阻斷數十至數百或數千伏的漏極至源極電壓VdsnMOS功率晶體管一般傳導非常大的電流， 其在典型的約2至20V的柵極-源極電壓下可W高達數百安培。低電壓功率晶體管應用于低 于IOV的漏極至源極電壓范圍Vds中。 橫向功率器件(其中電流流動主要平行于半導體襯底的第一主表面發生)對于集 成電路是...
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