技術編號：10727691
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。作為第三代半導體的GaN材料具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強大、熱導率高、飽和漂移速度高以及化學和熱力學性穩定性好等諸多優點。特別地，因為具有很強的極化效應，AlGaN/GaN異質結構可以產生高達約1013cm-2濃度的二維電子氣，基于該結構的高電子迀移率晶體管由于具有高的電流密度、臨界擊穿電壓和電子迀移率，使其在微波功率和高溫電子器件領域具有十分重要的的應用價值。由于缺少可用的GaN單晶襯底，目前GaN材料主要在SiC、藍寶石和Si襯底上通過異質外延生長的方...
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