技術編號：10727610

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為了在半導體裝置中增大存儲器容量而提出有多芯片封裝。在多芯片封裝中，將多個核心芯片(半導體芯片)積層在封裝基板上而進行封裝。作為將多個核心芯片積層的方式，提出有TSV (Through Silicon Via，娃穿孔)方式。在TSV方式中，在各核心芯片設置有TSV，且核心芯片間的TSV通過凸塊(焊球)而連接。另外，在最下層的核心芯片的下表面上設置有再配線層(RDLRe-Distribut1nLayer)，經由該再配線層而將核心芯片與封裝基板連接。另外，在封...
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