技術編號：10699159
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。為了制造半導體外延晶圓，使用市售的外延制造裝置，在硅系基板(例如，硅基板或碳化硅基板)等的表面上進行外延生長，來進行異質或同質外延晶圓的制造。在硅系基板上配置由氮化物半導體所形成的外延生長層而成的外延晶圓，在外周部上的外延生長層的膜厚會變厚而產生外延生長層的晶冠(高于生長層的主表面的突起)。按照在作為半導體裝置來使用的晶圓中央部，以使硅系基板的翹曲與外延生長層的應力最適宜的方式，選擇外延生長層的各層的厚度等條件。因此，若產生上述晶冠，則會破壞外延生長層上所...
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