技術編號：10680700
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 對于用作半導體設備形成用基板的娃晶片，要求在作為設備活性區域的晶片的表 層減少晶體原生粒子（ciTstal originated particles, COP)或激光散射斷層缺陷（laser scattering tomogra地y defects, LSTD)等W確保無缺陷。 近年來，作為運種娃晶片的高產率的制造方法，已知有對至少將形成半導體設備 的表面進行了鏡面研磨的娃晶片實施快速升降溫熱處理(RTP rapid thermal process) 的...
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