技術編號：10666084
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。IGBT(絕緣柵雙極晶體管)同時具有單極性器件和雙極性器件的優點，驅動電路簡單，控制電路功耗和成本低，飽和電壓低，器件自身損耗小，是未來高壓大電流的發展方向。IGBT為三端器件，包括正面發射極，柵極及背面集電極。IGBT芯片有源區剖面圖詳見圖1，包括正面的發射極6，柵極I和背面的集電極7。表面為MOSFET結構，背面為寄生PNP管結構。其中1為多晶硅柵極，2為柵極氧化層，3為P-基區，4為N+發射極，5為P+集電極，6為發射極金屬，7為集電極金屬。IGBT...
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