技術編號：10666082

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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣棚.雙極型晶體管)是由雙極型三極管(BJT)和絕緣柵型場效應管(MOSFET)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。由于IGBT具有驅動功率小以及飽和壓降低等優點，因此，IGBT作為一種新型的電子器件已經被廣泛應用到各個領域。常見的平面柵結構的IGBT器件，如圖1a所示，以N型溝道為例，主要包括N型輕摻雜(N-)的襯底101 ;位于襯底101表面內的P型阱區102(—般...
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