技術編號：10666029
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。隨著集成電路從22nm技術節點往更小尺寸發展，制程會采用FinFET (鰭式場效晶體管，Fin是魚鰭的意思，FinFET命名根據晶體管的形狀與魚鰭的相似性)結構，旨在減少溝道效應，在抑制亞閾值電流和柵漏電流方面有著絕對的優勢。隨著集成度的提高，FinFET器件取代傳統體硅器件將是必然的趨勢。圖1示出了 FinFET結構的一部分(包括100和200兩個單元)，附圖標記20表示襯底，例如硅襯底，附圖標記22表示形成于襯底20中或20上的淺溝道絕緣區域(shal...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。