技術編號：10663031
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 作為制造SiC單晶的方法，有溶液生長法。溶液生長法中，使籽晶與Si-c溶液接觸， 在籽晶上使SiC單晶生長(例如，參照專利文獻1)。在此，Si-c溶液是指，使C(碳)溶解在Si或 Si合金的熔體中得到的溶液。溶液生長法中使用的籽晶通常具有平坦的主表面。在此，主表 面是指，欲在其上使SiC單晶生長的主要的面。對于籽晶，例如使主表面朝向下方而將其配 置在Si-c溶液的上方。并且，使主表面與Si-c溶液的液面接觸。進而，籽晶中成為僅主表面 附近與Si-c溶液接...
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