技術編號：10658589

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如圖1所示，現有技術揭示的傳統發光二極管外延結構，在襯底10上采用PVD蒸鍍一層緩沖層20，緩沖層20為A1N緩沖層，或者為GaN緩沖層，或者為AlGaN緩沖層;在緩沖層20 上生長非故意摻雜層(uGaN) 30;在非故意摻雜層30上生長第一型導電層(nGaN)40;在第一型導電層(nGaN)40上生長有源層(MQW)50;在有源層(MQW)50上生長第二型導電層(pGaN) 60;在第二型導電層(pGaN)60生長歐姆接觸層(IT0)70。如圖2a所示，...
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