技術編號：10658438
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。自20世紀50年代以來，以Si為代表的第一代半導體材料制造的各種電子器件，導致了以集成電路為核心的微電子工業快速的崛起和發展，促進了整個IT產業的騰飛，改善了人類的生活質量。為了滿足高頻、高增益、低噪聲的需要，以GaAs和InP為代表的第二代化合物半導體材料制造的電子器件應運而生，由于它們屬于直接帶隙半導體材料，非常適合于制備發光二極管(LED)和半導體激光器(LD)。隨著時代的發展和科技的不斷進步，第一代半導體材料S1、Ge和第二代半導體材料GaAs、I...
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