技術編號：10653239
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。在半導體中，研究和開發的努力在持續以進一步使圖案特征小型化。近來，由于包括電路圖案的小型化的發展，互連圖案的薄化以及用于單元構成層之間的連接的接觸孔圖案的小型化在發展以符合較高的LSI的集成密度，因此存在對微圖案化技術的不斷增長的需求。因此，與用于制造光刻微制造工藝的曝光步驟中使用的光掩模的技術相關聯，希望具有形成更精細和精確電路圖案或掩模圖案的技術。通常，通過光刻法在半導體基底上形成圖案時采用縮小投影。因此，在光掩模上形成的圖案特征的尺寸約為在半導體基底...
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