技術編號：10645764
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。在真空磁控濺射的工作過程中，電子受到電磁場的作用向陽極靠近，其運動軌跡為旋輪線，電子向陽極運動的過程中與Ar原子發生了電離碰撞，生成的Ar離子在電場力的作用下加速飛向陰極靶材，并以高能量轟擊靶材，發生濺射效果。為確保在磁控濺射過程中沉積薄膜的純度，需在平面靶材側面四周及靶表面非靶材區域添加屏蔽罩，其中電子的旋輪線軌跡的旋輪半徑為r=mE/(eB2)。屏蔽罩與陰極靶材之間的距離δ彡r，即δ彡mE/(eB2) =337U1/2/B (U是磁控濺射的電壓，U=E...
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