技術編號：10641080
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。氧化鋅(ZnO)是一種重要的寬帶隙金屬氧化物半導體材料，室溫下禁帶寬度約為 3.37eV，具有制備簡單、物理化學性能穩定等優點，可以應用于光催化、太陽能電池材料、發光材料、壓電材料、光探測器、氣體傳感器等研究領域。ZnO微納米結構的制備近年來取得了巨大的發展，其制備方法主要有物理氣相沉積和液相化學法。目前已經報道的ZnO微納米結構主要包括一維的線/棒/管狀結構和二維的納米片/納米盤結構，而ZnO微納米環狀結構的報道較少。目前，ZnO微納米環狀結構材料的制備...
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