技術編號：10625755
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。傳統的各工藝(例如SOI (Silicon-On-1nsulator，絕緣襯底上的娃)工藝)中溝槽隔離結構制備過程通常選用TEOS (tetraethyl orthosilicate，正娃酸乙酯)層作為刻蝕阻擋層(hardmask)。采用這種方法制備溝槽隔離結構時，濕法腐蝕總量較大，在溝槽(Trench)頂部會形成較大的凹槽，其平坦度較差，容易導致多晶殘留造成軟連接影響產品性能。另外，通過這種方法獲得的溝槽隔離結構的關鍵尺寸較大。發明內容基于此，有必要針對...
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