技術編號：10603323
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 在化學機械拋光(CMP)過程中，某些工藝要求去除晶片表面的金屬薄膜層的厚度， 要求將金屬薄膜層從lOOOnm逐漸減薄至100~200皿，并在此基礎上進一步加工去除。現有 的基于電滿流法的普通金屬薄膜厚度測量儀器無法滿足對于lOOOnm厚度W下的薄膜層的 測量要求。 目前國外所開發的專用CMP電滿流法金屬薄膜厚度測量裝置中，如專利 US6433541B1所公布的測量裝置，雖然可W滿足對目前測量范圍的要求，但其技術復雜，所 用的移相電路和鎖定放大器均W模擬電...
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