技術編號：10579119
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。典型的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)可以包括半導體(例如，硅)、用于與源極區和漏極區接觸的電極、以及用于與柵極接觸或耦合的電極。FinFET是圍繞從盤形襯底向上延伸的半導體材料的細帶(通常被稱為鰭狀物)構建的M0SFET。鰭狀物的一個端部是源極區，而鰭狀物的相對端部是漏極區。鰭狀物的中間區域形成由柵極電介質和柵極電極覆蓋的溝道區。器件的導電溝道存在于鰭狀物的在柵極電介質下面的外側上。具體而言，電流沿著鰭狀物的兩個側壁(垂直于襯底表面的側)并且...
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