技術編號：10571114
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。相變存儲器(Phase Change Memory，PCM)是基于Ovshinsky在20世紀60年代末提出的奧弗辛斯基電子效應的存儲器，其工作原理是利用加工到納米尺寸的相變材料在晶態與非晶態時不同的電阻狀態來實現數據的存儲。相變存儲器作為一種新型存儲器，由于其讀寫速度快、可擦寫耐久性高、保持信息時間長、存儲密度大、讀寫功耗低以及非揮發等特性，被業界認為是最有發展潛力的下一代存儲器。相變存儲器以硫系化合物材料為存儲介質，利用電脈沖或光脈沖產生的焦耳熱使相變...
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