技術編號：10537049
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 Ti〇2是一種典型的N型半導體，由于其性能穩定，制備工藝簡單，成本低廉，因而被 廣泛應用。其作為N型半導體主要是由于其自身形成的氧空位所造成，典型的Ti0 2具有三種 結構銳鈦礦、金紅石和板鈦礦，但是在Ti02薄膜中一般只有兩種結構金紅石和銳鈦礦。 Ti02禁帶寬度為3.2eV，禁帶寬度較寬，不吸收可見光，所以被廣泛應用于光伏器件的窗口 層。 Ti〇2的制備方法，主要包括物理法、化學法和綜合法。其中物理法主要是氣相物理 沉積法、反應等離子體濺射法、蒸發-...
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