技術編號：10536803
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 MOSFET的襯底摻雜濃度決定著器件的傳輸性能，是半導體工藝中非常重要的一個 參量。傳統的測量方法中較為常用的為電容電壓CV方法，該方法把MOSFET柵、氧化層和襯底 當一個電容器，利用高低頻測試獲得CV曲線，從曲線上提取出襯底信息來。這一方法的特點 是比較準確，但測試設備要求較高，必須具備高低頻率脈沖測試模塊，而目前具備類似模塊 的設備非常昂貴，而一般的設備操作不方便，測試反應速度慢。發明內容 本發明的目的在于提供一種基于柵調制產生電流提取MOSFET...
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