技術編號：10532820
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。在半導體測試和不良分析過程中，經常是在顯微鏡鏡下快速找到缺陷點，然后再到其他更高分辨率或者成分分析等設備上進行進一步分析，這時就需要對缺陷點進行位置標記，從而方便為后續其他設備制作尺寸更小的樣品，并方便樣品進入設備內部后快速找到缺陷點。目前常用標記方法有Mark筆直接探入顯微鏡鏡頭下標記和利用鐳射打標標記。Mark筆直接探入顯微鏡鏡頭下的方法由于物鏡一般離樣品比較近，操作極其不方便，且容易失誤。鐳射打標的方法設備造價昂貴，而且遇到部分有機材料又無法用鐳射打...
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