技術編號：10494572
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。包括發光二極管(LED)、諧振腔發光二極管(RCLED)、垂直腔激光二極管(VCSEL)和邊緣發射激光器的半導體發光器件是當前可得到的最高效的光源之一。在能夠跨可見光譜操作的高亮度發光器件的制造中，當前感興趣的材料系統包括II1-V族半導體，特別是鎵、鋁、銦和氮的二元、三元和四元合金，其還被稱為III氮化物材料。典型地，III氮化物發光器件通過以下來制作通過金屬-有機化學氣相沉積(MOCVD)、分子束外延(MBE)或其它外延技術在藍寶石、碳化娃、III氮化...
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