技術編號：10490635
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 在金屬氧化物半導體（MO巧器件，W下簡稱MOS器件的制造工藝中，多晶娃是制造 柵極的優選材料，其具有特殊的耐熱性W及較高的刻蝕成圖精確性。柵極的制造方法首先 需要在半導體襯底上形成一層柵極氧化娃，然后在柵極氧化層上沉積多晶娃層，隨后涂布 光刻膠并圖案化光刻膠層后刻蝕多晶娃層形成柵極。多晶娃層通常與源漏區同時被離子注 入雜質。在表面溝道類型為n型溝道的NMOS的柵極、源/漏區中離子注入n型雜質。在表 面溝道類型為P型溝道的PMOS的柵極、源/漏區中離子注入...
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