技術編號：10475448
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。以往的成膜掩膜具有與制作成膜的圖案對應的至少具有一個開口圖案的厚度為IMi以上且50μπι以下的掩膜層，在該掩膜層上不堵塞該掩膜層所具有的開口圖案地具有磁性體(例如，參照專利文獻I)。而且，上述掩膜層所具有的開口圖案，優選為開口隨著朝向磁性體側的表面而變大的錐形狀。專利文獻I日本特開2009-249706號公報但是，在這樣的以往的成膜掩膜中，開口圖案的形成例如是將剖面形狀被整形為與開口圖案相似的形狀的激光照射到膜片來進行，所以難以控制開口圖案的側壁的傾斜角...
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