技術編號：10255441
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及化學機械拋光裝置，更詳細地，涉及即使晶片進行往復移動，并執行化學機械拋光工序，也可以準確地檢測晶片的膜厚度的測定位置的化學機械拋光裝置。背景技術—般情況下，化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing ;CMP)工序是指以在進行旋轉的拋光平板上接觸晶片等基板的狀態進行旋轉，并執行機械拋光來以達到預先指定的厚度的方式使基板的表面變得平坦的工序。為此，如圖1所示，化學機械拋光裝置I 一邊以使拋光墊11覆蓋拋光平板10的...
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