技術編號：10249953
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。目前電力半導體器件主要有增強型可控硅(GTO)和高性能絕緣型晶體管（IGBT)。電力半導體器件失效、損壞主要形式有過溫、短路和過壓。造成電力半導體器件過溫損壞的是器件的熱疲勞現象，原因有散熱設計不當，驅動電路設計不合理，外界負載發生的變化等。形成電力半導體器件短路損壞的原因是負載絕緣不良，外界雜物引起的橋路短路等。造成電力半導體器件過壓損壞的原因是母線電壓上升，外來噪聲(雷電浪涌)和感性負載發生的關斷峰值電壓等。以上的失效損壞形式已經包含了電力半導體器件的...
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