化學機械研磨裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及化學機械研磨的技術領域，更具體地說，本實用新型涉及一種化學機械研磨裝置。
【背景技術】
[0002]化學機械平坦化(CMP)是光學、半導體以及其它電子器件制造工藝中的常用技術，使用化學腐蝕及機械力對加工過程中的玻璃基片、硅晶圓或其它襯底材料進行平坦化處理。在常規的CMP工藝中，待研磨的壓板被固定在載體組件上，并使襯底與CMP工藝中的研磨層接觸并提供受控的壓力，同時使研磨漿料在研磨層表面流動。在設計研磨層時，需要考慮的主要因素有研磨漿料在研磨層上的分布，新鮮研磨漿料進入研磨軌跡的流動，研磨漿料從研磨軌跡的流動，以及流過研磨區域基本未被利用的研磨漿料的量等等。為了減少基本未被利用的研磨漿料的量以及提高研磨效率和質量，在現有技術中，需要在研磨層表面設計各種圖案，然而本領域的技術人員都知道研磨速率、研磨漿料消耗以及研磨效果等很難兼得，現有技術中也公開了多種改進結構以期降低研磨漿料消耗并使得研磨漿料在研磨層上的保持時間最長的結構和圖案，然而需要在保證研磨速率、質量的基礎上，進一步降低研磨層上研磨漿料的未利用量，減少研磨漿料的浪費。
【實用新型內容】
[0003]為了解決現有技術中的上述技術問題，本實用新型的目的在于提供一種化學機械研磨裝置。
[0004]為了實現上述目的，本實用新型采用了以下技術方案:
[0005]—種化學機械研磨裝置，包括壓板和研磨層，所述壓板具有承壓面和接觸面；其特征在于:所述研磨層具有在研磨漿料存在的條件下對基片表面進行研磨的研磨面，以及與所述壓板接觸面相粘結的非研磨面；所述研磨層包括從所述研磨層的研磨面延伸至所述壓板承壓面的中心通孔，與該中心通孔相連的螺旋凹槽，以及從所述螺旋凹槽向所述研磨面邊緣延伸的輻射凹槽；其中，在所述壓板上具有與所述中心通孔連通的研磨漿料進口。
[0006]其中，所述螺旋凹槽的深度大于所述輻射凹槽的深度。
[0007]其中，所述螺旋凹槽的橫截面為U形、V形、長方形或半圓形。
[0008]其中，所述輻射凹槽的橫截面為U形、V形、長方形或半圓形。
[0009]其中，所述螺旋凹槽與所述輻射凹槽的寬度為0.2?1.2mm。
[0010]其中，所述壓板和所述研磨層為圓盤狀。
[0011]其中，所述壓板的直徑大于或等于所述研磨層的直徑。
[0012]其中，所述研磨層的直徑為50?800mm，并且所述研磨層的厚度為1.5?5.0mm。
[0013]與現有技術相比，本實用新型所述的化學機械研磨裝置具有以下有益效果:
[0014]本實用新型所述的化學機械研磨裝置，可以用于光學玻璃或樹脂鏡片，半導體硅或二氧化硅基片，以及其它電子器件所采用的介質材料基片或金屬基片的研磨處理，而且所述裝置通過中心通孔給所述研磨裝置的研磨面補充研磨漿料，通過螺旋凹槽和輻射凹槽的設置不僅提高了研磨漿料的有效使用率，而且有利于減少研磨基片中心區域以及周邊區域研磨量的偏差，不僅保證了適當的研磨速率，而且有利于減少研磨表面的劃痕數量；另夕卜，由于外界的空氣也可以從所述中心通孔進入到研磨基片與研磨層的界面中，從而有利于研磨基片的轉移。
【附圖說明】
[0015]圖1為實施例1所述化學機械研磨裝置橫截面的結構示意圖；
[0016]圖2為實施例1所述化學機械研磨裝置的研磨面的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0017]以下將結合具體實施例對本實用新型所述的化學機械研磨裝置做進一步的闡述，以幫助本領域的技術人員對本實用新型的實用新型構思、技術方案有更完整、準確和深入的理解。
[0018]實施例1
[0019]如圖1?2所示，本實施例所述的化學機械研磨裝置，其包括壓板10和研磨層20，根據需要，所述研磨層的直徑為50?800mm，并且所述研磨層的厚度為1.5?5.0mm ;通常地，所述壓板和所述研磨層為圓盤狀；而且所述壓板的直徑大于或等于所述研磨層的直徑；作為所述研磨層的材料，可以使用現有技術中已知的軟質材料，例如常用的氨基樹脂、丙烯酸樹脂、聚丙烯樹脂、異氰酸酯樹脂、聚砜樹脂、ABS樹脂、聚碳酸樹脂或聚酰亞胺樹脂。所述壓板10具有承壓面11和接觸面12 ;所述研磨層20具有在研磨漿料存在的條件下對基片表面進行研磨的研磨面21，與所述壓板接觸面相粘結的非研磨面22，以及限定所述研磨面和所述非研磨面的側表面；所述研磨層20包括從所述研磨層的研磨面21延伸至所述壓板承壓面11的中心通孔23，與該中心通孔23相連的螺旋凹槽24，以及從所述螺旋凹槽24向所述研磨面邊緣延伸的輻射凹槽25，并且在所述壓板10上具有與所述中心通孔連通的研磨漿料進口 26。所述螺旋凹槽的深度大于所述輻射凹槽的深度，所述螺旋凹槽與所述輻射凹槽的橫截面為U形、V形、長方形或半圓形，所述螺旋凹槽與所述輻射凹槽的寬度為0.2?
1.2_。本實施例所述的化學機械研磨裝置，可以用于光學玻璃或樹脂鏡片，半導體硅或二氧化硅基片，以及其它電子器件所采用的介質材料基片或金屬基片的研磨處理，而且所述裝置通過中心通孔給所述研磨裝置的研磨面補充研磨漿料，通過螺旋凹槽和輻射凹槽的設置不僅提高了研磨漿料的有效使用率，而且有利于減少研磨基片中心區域以及周邊區域研磨量的偏差，不僅保證了適當的研磨速率，而且有利于減少研磨表面的劃痕數量；另外，由于外界的空氣也可以從所述中心通孔進入到研磨基片與研磨層的界面中，從而有利于研磨基片的轉移。
[0020]對于本領域的普通技術人員而言，具體實施例只是對本實用新型進行了示例性描述，顯然本實用新型具體實現并不受上述方式的限制，只要采用了本實用新型的方法構思和技術方案進行的各種非實質性的改進，或未經改進將本實用新型的構思和技術方案直接應用于其它場合的，均在本實用新型的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種化學機械研磨裝置，包括壓板和研磨層，所述壓板具有承壓面和接觸面；其特征在于:所述研磨層具有在研磨漿料存在的條件下對基片表面進行研磨的研磨面，以及與所述壓板接觸面相粘結的非研磨面；所述研磨層包括從所述研磨層的研磨面延伸至所述壓板承壓面的中心通孔，與該中心通孔相連的螺旋凹槽，以及從所述螺旋凹槽向所述研磨面邊緣延伸的輻射凹槽；其中，在所述壓板上具有與所述中心通孔連通的研磨漿料進口。
2.根據權利要求1所述的化學機械研磨裝置，其特征在于:所述螺旋凹槽的深度大于所述輻射凹槽的深度。
3.根據權利要求1所述的化學機械研磨裝置，其特征在于:所述螺旋凹槽的橫截面為U形、V形、長方形或半圓形。
4.根據權利要求1所述的化學機械研磨裝置，其特征在于:所述輻射凹槽的橫截面為U形、V形、長方形或半圓形。
5.根據權利要求1所述的化學機械研磨裝置，其特征在于:所述螺旋凹槽與所述輻射凹槽的寬度為0.2?1.2mm。
6.根據權利要求1所述的化學機械研磨裝置，其特征在于:所述壓板和所述研磨層為圓盤狀。
7.根據權利要求6所述的化學機械研磨裝置，其特征在于:所述研磨層的直徑為50?800mm，并且所述研磨層的厚度為1.5?5.0mm。
8.根據權利要求6所述的化學機械研磨裝置，其特征在于:所述壓板的直徑大于或等于所述研磨層的直徑。
【專利摘要】本實用新型涉及一種化學機械研磨裝置，包括壓板和研磨層，所述壓板具有承壓面和接觸面；所述研磨層具有在研磨漿料存在的條件下對基片表面進行研磨的研磨面，以及與所述壓板接觸面相粘結的非研磨面；所述研磨層包括從所述研磨層的研磨面延伸至所述壓板承壓面的中心通孔，與該中心通孔相連的螺旋凹槽，以及從所述螺旋凹槽向所述研磨面邊緣延伸的輻射凹槽；其中，在所述壓板上具有與所述中心通孔連通的研磨漿料進口。本實用新型所述的化學機械研磨裝置，可以用于光學玻璃或樹脂鏡片，半導體硅或二氧化硅基片，以及其它電子器件所采用的介質材料基片或金屬基片的研磨處理，而且有利于減少研磨表面的劃痕數量，且有利于研磨基片的轉移。
【IPC分類】B24B37-16
【公開號】CN204295484
【申請號】CN201420779389
【發明人】朱曉飛, 宋東虹
【申請人】朱曉飛
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年12月4日