專利名稱:制造包含分離層的多層結構的方法
技術領域：
本發明涉及材料處理的一般技術領域：
，具體涉及薄膜特別是半導體薄膜領域、晶片材料領域、半導體晶片尤其是硅晶片以及IV型、IV-IV型半導體晶片領域，目的是獲得如集成電路、光電元件或電池或微電子機械系統(MEMS)或微光電子機械系統(MOEMS)或顯示器件(如平板屏幕或攝像器件)的電子或光電子部件。
背景技術：
歐洲專利EP-A-0924 769公開了一種方法，其中通過連續堆疊多層制造一種結構。在其生產過程中，一特定層被置于最終結構的深度范圍內，所述層在隨后經受光通量時具有選擇性吸收該光通量和導致剝落效應的固有特性，所述剝落效應可以使所述結構分成兩個晶片。
根據所描述的一個實施例，通過多層堆疊制造的結構在它的深度范圍內包括富氫的非晶硅層。對該結構施加光通量導致在所述層內的氫快速釋放，這樣該結構分裂。
發明內容本發明的一個目的具體是制造多層結構，該多層結構在其深度范圍內具有分離層。
本發明的另一個目的具體是在制造所述多層結構之后制造所述分離層。
本發明的又一目的具體是制造多層結構，該多層結構在其深度范圍內在表面層和剩余結構之間具有分離層，所述表面層是要從所述結構上分離開的。
本發明的另一個目的具體是使得對基礎結構的選擇更加容易而且更多樣化，在所述基礎結構上制造計劃待分離的表面。
作為實例，本發明的一個目的具體是在多層結構中制造分離層，其中計劃待分離的表面層是單晶層并通過在具有相同晶格參數的單晶襯底上生長獲得，而不會深刻影響單晶表面層和/或單晶襯底的特性。
本發明主題具體是一種用于制造多層結構的方法，所述多層結構在其深度范圍內包括分離層。
根據本發明，所述方法包括-制造初始多層結構，該多層結構包括基礎襯底、表面襯底、吸收劑層和可液化中間層。所述吸收劑層襯底襯底可以在至少一個區域吸收光功率通量。所述可液化中間層至少在一個區域中包括雜質，該雜質相對于構成所述中間層的材料的偏析系數小于1；并且-在規定的時間內將所述初始結構暴露于至少一個脈沖形式的所述光功率通量，調節該光功率通量以使得所述中間層的至少一部分在熱能傳播效應下液化，這是光功率被所述吸收劑層吸收然后從所述吸收劑層轉移至所述中間層和/或光能被所述中間層吸收的結果，通過這樣一種方式，由于所述雜質開始就存在，導致了所述中間層的至少一種特性和/或至少一種性質因該中間層至少部分固化而發生改變，這樣該中間層至少部分構成分離層。
因此，本發明使獲得一種最終結構成為可能，所述最終結構具有例如在表面層下面的計劃待分離的分離層，該分離層的特性和/或性質與組成中間層的初始材料不同，尤其是機械性能和/或電和/或光和/或熱和/或化學性能不同，這樣，如果需要，通過向所述最終結構物理性施加機械和/或電和/或光和/或熱和/或化學處理，可以使計劃從結構其它部分分離的表面層物理性分離，對分離層的作用和對結構其它部分的作用完全不同，不會損害所述表面層和/或所述結構其它部分本發明可以有多種變化方案，具體如下。
根據本發明的首選變化方案，所述改變可以有利地包括所述中間層中的所述雜質的濃度和/或分布的改變。
根據本發明，所述改變可以有利地包括所述中間層一個區域中的所述雜質的濃度和/或分布的增加。
根據本發明，所述初始結構可以包含單一類型材料。
根據本發明，所述初始結構可以包含不同材料。
根據本發明，所述方法可以有利地包括通過離子注入將所述雜質引入所述中間層的預備步驟。
根據本發明，構成所述中間層的材料優選包含硅，所述雜質選自于鋁和/或鉍和/或鎵和/或銦和/或銻和/或錫。
根據本發明，至少構成所述中間層的材料優選包含硅-鍺。
根據本發明，至少構成所述表面襯底的材料包含硅或硅-鍺。
根據本發明，構成至少所述中間層的材料和構成所述雜質的材料可以有利地通過一定方式選擇，使得分離層包含內含物。
根據本發明，所述內含物優選包括沉淀物和/或氣泡和/或微氣泡和/或缺陷和/或相變和/或化學組成變化和/或斷裂和/或孔穴和/或非均相和/或合金。
根據本發明，構成所述中間層的材料和構成所述雜質的材料可以有利地通過一定方式選擇，使得分離層包括弱化部分。
根據本發明，所述弱化優選足夠使基礎襯底從表面襯底物理分離，同時可能伴隨施加分離力。
根據本發明，構成所述中間層的材料和構成所述雜質的材料可以有利地通過一定方式選擇，使得分離層包括金屬部分。
根據本發明，構成所述中間層的材料和組成所述雜質的材料可以有利地以一定方式選擇，使得分離層包括熔點降低的部分。
根據本發明，所述熔點的降低優選為足夠使基礎襯底和表面襯底在隨后的加熱步驟中物理分離，同時可能伴隨施加分離力。
根據本發明的變化方案，光功率通量的方向可以是它穿過所述中間層后達到所述吸收劑層。
根據本發明的另一變化方案，光功率通量的方向可以是它不通過所要處理的層而達到所述吸收劑層。
根據本發明的變化方案，所述方法可以有利地包括使所述初始結構經受光功率通量，所述光功率通量是時域平穩并相對于該結構掃描。
根據本發明的另一變化方案，所述方法可以有利地包括使所述初始結構經受光功率通量，所述光功率通量是空域平穩并且可以以一個或多個時域脈沖的形式調制。
根據本發明，所述光功率通量可以有利地包括紅外光通量。
根據本發明，所述光功率通量可以有利地包括激光束。
根據本發明，所述激光束可以為CO2激光。
根據本發明，所述激光束可以為化學激光。
根據本發明，所述激光束可以是在1.06微米的波長下工作的激光。
根據本發明，所述吸收劑層可以有利地包括至少一個摻雜區域。
根據本發明，所述吸收劑層可以有利地包括至少一個非晶區域。
根據本發明，所述吸收劑層優選包括至少一個硅-鍺區域。
根據本發明，所述表面襯底和/或所述中間層和/或所述吸收劑層可以有利地通過外延生長產生。
通過下面關于初始結構及其處理的非限制性解釋，將可以更清楚地理解本發明。
在第一具體實施方案中，基礎襯底為單晶硅塊，所述單晶硅通過縱向切割圓柱體晶錠獲得。在第二具體實施方案中，基礎襯底包括直徑為200mm、厚度為0.75mm的硅晶片，該硅晶片摻雜了1×1019cm-3的濃度的銻。
吸收劑區域是對光通量具有高初始吸收系數例如500cm-1的區域。需要注意的是，該區域的吸收系數在施加光通量脈沖的過程中通常是變化的。這是因為其本身溫度的升高通常產生吸收的增強，其本身產生更高的能量沉積，產生更大的溫度上升。
還需要注意的是，由于熱擴散，層逐漸變熱，于是光吸收也逐漸增強。所有這些通常會導致在能量沉積的過程中、在與入射光功率通量的相反方向促進產生高溫區域和/或液相，并且推進速率會比由于簡單熱擴散現象導致的更快。因為這個原因，通常明智的做法是將待處理的區域的至少一部分以一定的方式放置，使得入射功率通量在到達吸收劑區域之前通過它。
在一個具體實施方案中，吸收劑區域全部或者部分為10微米厚的硅-鍺(0.85Si-0.15Ge)外延層，其在1.06微米波長具有比硅更強的吸收，并且生長在基礎襯底上。
在另一個實施方案中，吸收區域為摻雜區域，例如一個摻雜了濃度為1018cm-2到1019cm-3量級的砷或銻，因為該層為10.6微米波長的CO2激光的吸收劑，但是未摻雜的硅在這一波長具有很低的吸收。
在又一個實施方案中，以2MeV的能量和1016cm-2的劑量通過低溫將硅離子注入到待處理的層中生產吸收區域，其具有在待處理的表面層以下1.5微米的深度產生非晶區域的作用，所述非晶區域對1.06微米的波長的吸收系數可以達到幾百cm-1，但是晶體硅的吸收系數在約10cm-1的范圍內。
在一個具體實施方案中，待處理的區域為在生長過程中原位摻雜了濃度為1019cm-3的錫的硅外延層，所述外延層生長在由砷摻雜的單晶硅制成的吸收劑層上。在另一個具體實施方案中，通過離子注入5×1015cm-2劑量和200keV能量的錫離子將錫引入所述外延層，然后在1150℃下通過擴散熱處理12小時。
在所有這些利用外延生長的實施例中，外延法也可以是CVD方法和液相外延法。具體地，來自浴液例如其中溶有硅的熔融錫或鋁或銦的浴液的硅的液相外延可能是用于制造光電池的優選方法之一。
以下關于采用的功率通量的非限制性解釋也將有助于更清楚的理解本發明。
選擇光功率通量的周期足夠短，選擇光功率通量的強度足夠高，以使得熱能譜能保持足夠集中，其水平能使待處理的區域至少部分液化。
為了在待處理區域獲得高熱能密度區域，理想的是-選擇光束波長，使得大部分光束功率被沉積在吸收劑區域之內和/或附近；-選擇周期Δt和功率通量，使得在施加功率通量過程中，在待處理區域之內和附近的熱能積累速率基本大于該區域由于熱擴散的損失速率；并且-選擇功率通量強度，使得在周期Δt內供給的能量足夠使待處理區域至少部分液化。
Δt和功率通量的選擇通過模擬、通過解熱方程來決定，例如利用有限差分方法。該方法及其在研究光通量與物質間的相互作用方面的應用是眾所周知的，并且例如已經在Peter Schaaf發表的文獻“Laser nitridingof metals”，Progress in Materials Science，47(2002)，1-161中有描述。
而且，在進行任何模擬之前，可以通過下面的拇指規則快速測定待沉積能量密度的量級。通過舉例來說明所述拇指規則在硅的情況下，從室溫開始液化1cm3需要大約7000J。當期望液化的厚度被選擇之后，我們所要做的是將所談論的厚度乘以7000J，于是獲得了必需的能量密度。最后，充分考慮由于表面反射導致的損失，從而決定注入到該部分的能量密度量級。
例如，待液化的厚度為10微米，反射系數可能為0.5，則待注射的能量密度量級可能為14J/cm2。
激光脈沖的周期是已知的。在觸發激光的情況下，脈沖周期從一到幾十或幾百納秒，這取決于激光。該值由激光制造商提供。
由必須的能量密度和脈沖的周期，可以推導功率通量，這給出了模擬的初始點。如果必要的話，模擬的結果將允許參數的調節。
為了產生脈沖形式的功率通量，可以用幾種注入方法-采用相對于待處理結構空域平穩的功率通量，其強度隨時間變化并有一個或多個脈沖的形式；或-采用源通量，其強度隨時間穩定，但是其位置相對于材料變化，以使給定區域的材料受到僅僅一個或多個時間間隔的通量，其中所述時間間隔對應于期望的脈沖周期；或-上述兩種注入方法的組合。
為了利用空域平穩的光功率通量來實施本發明，作為非限制性的例子，可以采用TEA型的CO2激光。這類激光實際上很適合釋放高功率脈沖，其周期為幾十納秒～幾百納秒，由此產生幾十到幾百mJ/脈沖的能量。
在一個具體的實施方案中，采用的TEA CO2激光在100納秒內釋放100mJ脈沖。光束集中于1mm2的區域，這可獲得100MW/cm2功率密度和10J/cm2的能量密度。為了在每次脈沖之后處理大區域，待處理部分可以移動以便于處理新的部分。因此，利用上述類型的具有100Hz的脈沖重復頻率激光，待處理的部分移動約1mm，這對應的平均速度為0.1m/s，可以通過例如把該待處理的部分固定到馬達驅動臺上來實現。
作為本發明的一個具體的實施方案，為了獲得時域平穩的光功率通量，可使用以連續模式運行并且釋放7kW能量的CO2激光。光束離開激光器之后通過光擴束系統擴束，使得該光束在擴束后為基本平行，直徑為約25cm。該光束被反射鏡偏轉然后垂直傳播。然后在光束的路徑上放置焦距為1m的聚焦系統。該光束再被旋轉反射鏡面以一定方式偏轉，使得偏轉的光束在基本水平的面上傳播。所述旋轉反射鏡通過支撐物支撐，該支撐物圍繞與光聚焦系統一致的軸旋轉。通過旋轉，該反射鏡使反射光束的軸線以一定方式旋轉，使得每次反射鏡旋轉一次，光束焦點在水平面上畫出圓周。待處理部分的表面以一定方式放置，使其位于所述圓周上。因此，反射鏡每旋轉一次，位于所述圓周上部分的表面上的點被處理。
作為補充，為了處理待處理部分的整個表面，可將待處理的結構固定到可以垂直移動的圓柱形支撐物上，使得待處理結構的所有點能夠暴露于激光通量中。
在一個具體實施方案中，光束聚焦到80微米的直徑上，圓周半徑為70cm，反射鏡的旋轉速度為364Hz，即約22000rpm。在這樣的條件下，每個點都暴露于密度為100MW/cm2的功率通量下100ns，能量密度為14J/cm2。
光學擴束和聚焦系統可以做成衍射光學系統和反射光學系統。需要注意的是，除了用連續模式運行的激光，也可以用不連續的模式運行的該相同類型的激光，其中激光釋放系列長脈沖(從幾個微秒持續到幾百個微秒)，在此期間激光釋放的過濾遠遠大于平均功率。
將包含由摻雜了1018cm-3水平的砷的硅制成的基礎襯底的晶片固定于所述內部表面的內圓周部分，在該基礎襯底上部構成計劃待分離的層的吸收劑層，即厚度為7微米、摻雜了1019cm-3的錫的待處理層和厚度為20微米的未摻雜的硅表面外延層。計劃待分離的層的表面可選擇性地涂敷薄膜，例如抗反射膜和/或例如用作加強件的厚膜。
接受的光功率脈沖使得位于深度約21微米和約27微米之間的材料液化。
這些值可以根據功率通量脈沖變化以及吸收譜形狀的變化而發生大變化，其中功率通量的變化是時間的函數，吸收譜的變化是深度的函數。
因此液體區域受深度大于21微米處的固體/液體界面和深度小于27微米處的固體/液體界面所限制。
大部分在該區域和其相鄰的介質中的以固相預先存在的錫原子在液相中被發現。在冷卻時發生的再固化階段，所述兩個固體/液體界面以各自的速率相向前推進，因此液體區域的寬度減小。
因為錫在硅中的偏析系數(有時也稱為分布系數)較低，也就是說錫原子傾向于保留在液相中而不是進入固相中，由于這個事實，所述兩個固體/液體界面的前進在推力作用下在它們的前面出現了，其中大部分錫原子被推進液相中，于是導致了液相中錫原子濃度的不斷增加。
相應地，結果是在材料的再固化部分的錫損耗。總體來說，再結晶結束之后的結果是以一個非常窄的鐘形曲線形式的濃度特征，其頂點位于固化界面會合平面處或附近。
當液相消失時，存在于液相中的錫原子在消失之前必然在固態的材料中。對于明智選擇的實驗條件，這樣可以局部導致在所謂會合深度附近的狹窄區域中雜質的濃度很高，其中所述的兩個固體/液體界面會合，并且液相完全消失。
然后可能是這樣的一種情形，其中錫原子具有一定濃度以至于這些原子再也不能正常結合在固相內，因此導致內含物的形成。
所形成的內含物可以基本為球形和平形顆粒物、氣泡的凝聚物，例如下述要素進入氣相所產生雜質、原子或分子的沉淀物、缺陷、孔穴、結構缺陷、斷裂、新化合物、新相、非均相、合金、或這些要素的任意組合。
因此可通過這種機理來使材料弱化和使得存在于表面和弱化區域之間的部分材料能夠與剩余的材料分離。
由于本發明，也可能在固化界面會合平面附近形成熔點低于硅的區域。例如，通過將整個組件加熱到會合平面區域的熔點以及可能通過施加分離力，可以有利地將會合平面上的材料的表面部分與剩余材料分離。
再固化現象可能比以上描述得更加復雜。這是因為上下兩個界面的前進可能伴隨著橫向界面的前進，甚至伴隨著不連續液體區域的形成，其中所述不連續液體區域被再固化區域分隔。然而，無論涉及的機理多么復雜，這都會隨著雜質濃縮到非常小體積的材料中而結束。
在上述實施例中，采用了錫原子。其原理也可以應用于偏析系數相對于硅較低的其它原子，例如但不局限于鋁、鉍、鎵、銦和錫。然而，如果采用其中一種吸收機理是由于自由載流子的一種光波長，如CO2激光，則所述雜質的選擇將限制在那些在實驗條件下不產生大量自由載流子的雜質。特別在利用CO2激光的情況下，不能使用例如鋁、銦、鎵、鉍和銻等摻雜劑，或者僅使用低濃度的這些雜質。
為了以概括和簡要的方式闡釋本發明，尤其是以上實施例和說明，讀者可以參考附圖，其中圖1表示根據本發明的初始結構的剖面圖；圖2表示該結構在處理過程中的剖面圖；圖3表示用于處理初始結構的第一裝置的縱向剖面圖；圖4表示圖3所述裝置的頂視圖。
具體實施方式參照圖1，該圖說明基于硅的初始多層結構1，其包括基礎襯底2以及該在基礎襯底2上相繼形成吸收劑層3、待處理的中間層4和計劃待分離的表面襯底5，所述表面襯底5具有外部平整表面6。在一個變化方案中，吸收劑層3和中間層4可以顛倒。
利用裝置7在面對所述平整表面6近距離發射脈沖光功率通量8，所述初始結構1經受所述通量，其優選被控制以便垂直于表面6但也可以斜向于所述表面6。
被引入到結構1的光功率通量8通過表面襯底5和中間層4，到達吸收劑層3，并引起后者的溫度上升并可導致它的組成材料至少部分液化。
由于吸收劑層3吸收光功率通量8導致的熱能效應從該吸收劑層3向中間層4傳播，導致了至少部分中間層4的材料溫度上升和液化，中間層4的所述溫度上升和由此產生的液相9也可能對光功率吸收有貢獻。
如圖2所示，該液化以下面的方式發生。隨著連續施加光功率通量4，大約包含在兩個基本平行于表面6的固體/液體界面10和11之間的液相9逐漸增厚，如附在這些界面上的箭頭12和13所示，直到達到最厚。應該注意的是，所述兩個界面10和11的前進速率可以完全不同。
從上文可看出，吸收光功率通量8并轉化為熱能的吸收劑層3構成結構1的部件，其引發和產生中間層4的液化，所述光功率通量8在表面襯底5區域中吸收較少。
上述相液化之后接著材料相再固化，這導致界面10和11之間的距離的逐漸減小，如附在這些界面的箭頭14和15所示。該相再固化通常基本上在光功率通量4的脈沖施加后發生。
在上述的材料相液化期間，包括在中間層4中的雜質進入液相9中的溶液。
在上述的材料相再固化期間，雜質傾向于保留在液相9中，這樣，在材料相再固化結束時，大部分所述雜質濃縮到最后再固化的初始中間層4的一部分或層16中，也就是說，在厚度比上述液相9的最大厚度小很多例如幾十納米的硅的容積內。
這些雜質可以隨后被引入到部分16，其濃度水平遠遠高于其在固相中有限的溶解度，從而形成弱化濃縮區域16中的材料的沉淀和/或晶體缺陷。
通常，在部分16中高濃度的雜質顯著地改變了材料的特性或特征，使得可能對結構1施加后續處理，改變部分16但不改變結構的其余部分。
所述結構1的這種后續處理可以有利地讓其分為兩個晶片，其中一個包括基礎襯底2，另一個包含表面襯底5，該分離發生在弱化部分或包括高濃度雜質的層16。例如，可通過施加力、熱處理或二者相結合來實現該分離。
圖3和圖4表示用于處理初始結構1的裝置100。
該裝置包括有垂直軸的圓柱形支撐物101，在其內表面安裝并且沿圓周分布待處理的初始結構1，其垂直放置并且面向支撐物101的軸。
裝置100包括用來產生時域平穩的光功率通量的發生器102，所述發生器安裝在支撐物101的下面，并包括激光發射器103，該激光發射器向光擴束器104發射光，這樣通過該擴束器104的通量輸出是水平的，并且其軸與支撐物101的軸相交。
裝置100包括光學系統105，該光學系統105包括以45°傾斜的固定反射鏡106，其垂直向上偏轉來自擴束器104的通量輸出，通過聚焦透鏡108到旋轉反射鏡107的方向，所述旋轉反射鏡107以45°安裝在支撐物101的中心，并且其旋轉軸沿著支撐物101的軸，這樣，被旋轉反射鏡105反射的光功率通量被導向支撐物101的內面。
因此，當旋轉反射鏡107旋轉時，通過驅動裝置(未示出)垂直移動支撐物101，光功率通量水平連續掃描待處理的結構1。因而可能以脈沖的形式掃描待處理的結構1的整個表面6。
本發明不限于上述實施例。在不偏離所附權利要求
的范圍情況下可能有許多變化方案。
權利要求
1.一種制造多層結構的方法，所述多層結構在其深度范圍內包括分離層，其特征在于，所述方法包括-制造初始多層結構(1)，其包含基礎襯底(2)、表面襯底(5)以及在所述基礎襯底和所述表面襯底之間的吸收劑層(3)和可液化中間層(4)，所述吸收劑層可以在至少一個區域吸收光功率通量，所述可液化中間層至少在一個區域包括雜質，該雜質相對于構成所述中間層材料的偏析系數小于1；和-在限定時間內使所述初始結構(1)經受以至少一個脈沖形式的所述光功率通量，調節所述光功率通量以在熱能傳播效應下液化至少一部分所述中間層(4)，所述熱能傳播效應源自光功率在所述吸收劑層(3)中的吸收、從所述吸收劑層(3)到所述中間層(4)中和/或光功率由所述中間層(4)的吸收，這樣，由于初始存在的所述雜質，導致所述中間層(4)由于至少部分固化而改變至少一個特性和/或至少一個性質，因此該中間層至少部分構成分離層(16)
2.如權利要求
1所述的方法，其特征在于，所述改變包括改變所述中間層中所述雜質的濃度和/或分布。
3.如前述權利要求
中任一項所述的方法，其特征在于，所述改變包括所述中間層的一個區域中所述雜質的濃度和/或分布的增加。
4.如權利要求
1所述的方法，其特征在于，所述初始結構包含單一類型材料。
5.如權利要求
1所述的方法，其特征在于，所述初始結構包含不同的材料。
6.如權利要求
1所述的方法，其特征在于，所述方法包括利用離子注入將所述雜質引入所述中間層的預備步驟。
7.如權利要求
1所述的方法，其特征在于，構成所述中間層的材料包含硅，所述雜質選自于鋁和/或鉍和/或鎵和/或銦和/或銻和/或錫。
8.如權利要求
1所述的方法，其特征在于，至少構成所述中間層的材料包含硅-鍺。
9.如權利要求
1所述的方法，其特征在于，至少構成所述表面襯底的材料包含硅或硅-鍺。
10.如權利要求
1所述的方法，其特征在于，選擇至少構成所述中間層的材料和構成所述雜質的材料，使得分離層包含內含物。
11.如權利要求
10的方法，其特征在于，所述內含物包括沉淀物和/或氣泡和/或微氣泡和/或缺陷和/或相變和/或化學組成變化和/或斷裂和/或孔穴和/或非均相和/或合金。
12.如權利要求
1所述的方法，其特征在于，選擇構成所述中間層的材料和構成所述雜質的材料，使得分離層包括弱化部分。
13.如權利要求
12所述的方法，其特征在于，所述弱化足夠使基礎襯底從表面襯底物理性分離，同時可施加分離力。
14.如權利要求
1所述的方法，其特征在于，選擇構成所述中間層的材料和構成所述雜質的材料，使得分離層包括金屬部分。
15.如權利要求
1所述的方法，其特征在于，選擇構成所述中間層的材料和構成所述雜質的材料，使得分離層包括熔點降低的部分。
16.如權利要求
15所述的方法，其特征在于，所述熔點降低足夠在后續加熱步驟中使基礎襯底從表面襯底物理性分離，同時可伴隨施加分離力。
17.如權利要求
1所述的方法，其特征在于，光功率通量具有在該光功率通量通過所述中間層后到達所述吸收劑層的方向。
18.如權利要求
1所述的方法，其特征在于，光功率通量具有該光功率通量達到所述吸收劑層而不通過所述待處理層的方向。
19.如權利要求
1所述的方法，其特征在于，所述方法包括使所述初始結構經受時域穩定的光功率通量并相對于該結構掃描。
20.如權利要求
1所述的方法，其特征在于，所述方法包括使所述初始結構經受光功率通量，所述光功率通量是空域穩定的并以一個或多個時域脈沖的形式調制。
21.如權利要求
1所述的方法，其特征在于，所述光功率通量包括紅外光通量。
22.如權利要求
1所述的方法，其特征在于，所述光功率通量是激光束。
23.如權利要求
22所述的方法，其特征在于，所述激光束為CO2激光。
24.如權利要求
22所述的方法，其特征在于，所述激光束為化學激光。
25.如權利要求
22所述的方法，其特征在于，所述激光束在1.06微米的波長下工作。
26.如權利要求
1所述的方法，其特征在于，所述吸收劑層包括至少一個摻雜區域。
27.如權利要求
1所述的方法，其特征在于，所述吸收劑層包括至少一個非晶區域。
28.如權利要求
1所述的方法，其特征在于，所述吸收劑層包括至少一個硅-鍺區域。
29.如權利要求
1所述的方法，其特征在于，所述表面襯底和/或所述中間層和/或所述吸收劑層通過外延產生。
專利摘要
一種用于生產在其深度范圍內包含分離層的多層結構的方法，所述方法包括生產初始多層結構(1)，該初始多層結構包括基礎襯底(2)、表面襯底(5)以及位于基礎襯底和表面襯底之間的吸收劑層(3)和可液化的中間層(4)；所述吸收劑層(3)能在至少一個區域吸收光功率通量；所述中間層(4)至少在一個區域包括雜質，相對于構成所述中間層的材料，該雜質具有的偏析系數小于1；所述生產方法還包括在一定時間內將初始結構(1)暴露于至少一個脈沖方式的所述光功率通量下，調節所述功率通量以便于在熱能傳播效應下液化至少一部分所述中間層(4)，這樣由于原來存在所述雜質，在所述中間層至少部分固化之后，所述中間層(4)的至少一個特性和/或至少一個性質被改變，從而所述中間層至少部分地形成分離層。
文檔編號H01L21/762GK1998071SQ20058002184
公開日2007年7月11日 申請日期2005年5月20日
發明者米歇爾·布呂埃爾 申請人:米歇爾·布呂埃爾導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan