高分子無泄露雙箔自粘鋁箔及制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種既具有良好的耐折性、耐疲勞性，又具有強度高、屏蔽好、無回波損耗，同時具有高可靠性自粘強度的高分子無泄露雙箔自粘鋁箔及制作方法，屬通信輔助材料制造領域。
【背景技術】
[0002]本申請人所有在先專利CN201489850U、名稱“高強度雙面自粘鋁箔”，它包括鋁箔，其特征是:鋁箔兩面與PET膜之間分別置有一層粘接膠層，PET膜(1)面上置有自粘膜。其需要提高的是:一般的鋁箔在生產過程中，由于鋁錠的純度不足或含有雜質，乳輥的表面光澤度等因素而造成所乳鋁箔含有微孔等缺陷，這些缺陷直接導致所包裹電纜通信信號衰減、回波損耗增大。
【發明內容】
[0003]設計目的:避免【背景技術】中的不足，設計一種既具有良好的耐折性、耐疲勞性，又具有強度高、屏蔽好、無回波損耗，同時具有高可靠性自粘強度的高分子無泄露雙箔自粘鋁箔及制作方法。
[0004]設計方案:為實現上述設計目的。1、第一層鋁箔和第二層鋁箔之間采用PET膜復合的設計，是本發明的技術特征之一。這樣設計的目的在于:PET是乳白色或淺黃色、高度結晶的聚合物，表面平滑有光澤。在較寬的溫度范圍內具有優良的物理機械性能，長期使用溫度可達120°C，電絕緣性優良，甚至既使在高溫高頻下，其電性能仍較好，并且抗蠕變性，耐疲勞性，耐摩擦性、尺寸穩定性都很好，沖擊強度是其他薄膜的3?5倍，耐折性好。本發明將其置于兩層鋁箔之間，不僅能夠從根本上改善鋁箔的耐折性和強度，而且由于兩層鋁箔通過PET膜的復合，使鋁箔本身乳制過程中產生的孔隙等最大限度地被兩層鋁箔由于孔隙錯而相互彌補，從而最大限度地避免了通信信號衰減現象的發生。2、第一層鋁箔或第二層鋁箔的一面或雙面氣隙采用納米鋁填充的設計，是本發明的技術特征之二。這樣設計的目的在于:納米鋁的平均粒徑為55nm，而鋁箔乳制過程中所產生的孔隙及縫隙往往大于55nm，因而它能將鋁箔乳制過程中所產生的通透或不通透的孔隙、縫隙徹底填充且不增加鋁箔本身的厚度，使鋁箔的屏蔽性得到了根本性的提高，避免了回波損耗現象的發生。3、采用改性PE的目的在于:它可以強力粘合線纜外護套，在外部高空作業或狹小空間作業的施工環境下，剝線鉗剪斷外護套PE或PVC塑料的同時，由于改性PE在電纜最后一道工序(成纜)，鋁箔對外護套塑料的強力附著力粘合，故鋁箔同時脫落，加快施工進度和提高施工人員安全性。
[0005]技術方案1: 一種高分子無泄露雙箔自粘鋁箔，第一層鋁箔和第二層鋁箔一面采用膠粘劑與PET膜復合，第一層鋁箔和第二層鋁箔的另一面分別涂有一層改性PE膠層。
[0006]技術方案2: 一種高分子無泄露雙箔自粘鋁箔制備方法，1)將第一層鋁箔或第二層鋁箔或第一層鋁箔和第二層鋁箔面的一面或二面分別采用同屬性的納米鋁進行填充處理，使鋁箔面無通透氣隙；2)然后將PET膜置于第一層鋁箔和第二層鋁箔面間采用膠粘劑粘接復合成一體;3)將改性PE膠涂履在第一層鋁箔和第二層鋁箔的非復合面、烘干得改性PE膜。
[0007]本發明與【背景技術】相比，一是耐折、耐疲勞、強度高，是【背景技術】的數倍;二是包裹自粘接性能好，其粘接后所形成的剝離強度是【背景技術】的數倍;三是鋁箔面氣隙采用同屬性納米鋁填充，不僅大大地提高了鋁箔的密實度，而且實現了用低檔次鋁箔制作精品高分子無泄露雙箔自粘鋁箔的目的，從而極大地降低了對鋁箔乳制精度的要求，降低了鋁箔制造成本；四是不僅絕緣強度高、屏蔽效果好、大大地減少回波損耗，讓線纜的信號高速率安全通過，而且具有優秀的拉伸強度。
【附圖說明】
[0008]圖1是高分子無泄露雙箔自粘鋁箔的結構示意圖。
[0009]圖2是鋁箔孔隙、縫隙填充生產線的示意圖。
【具體實施方式】
[0010]實施例1:參照附圖1和圖2。一種高分子無泄露雙箔自粘鋁箔，第一層鋁箔2和第二層鋁箔5—面采用膠粘劑3和6與PET膜3復合形成一體，而第一層鋁箔2和第二層鋁箔5的另一面分別涂有一層改性PE膠層1和7。
[0011 ]所述第一層鋁箔2或第二層鋁箔5面為無通透氣隙面，即第一層鋁箔2面或第二層鋁箔5—面或雙面的氣隙(氣隙是指微小孔和縫隙，鋁箔乳制過程中其本身由于雜質及乳輥本身所導致的微小透孔、縫隙)被納米鋁填充，從而使得鋁箔的密實度得到了進上步提高。
[0012]其鋁箔面氣隙填充生產線，包括PLC控制器06，放卷輥08和收卷輥01間依據設有鋁箔氣隙檢測裝置07、納米鋁噴涂裝置05及納米鋁碾壓成型裝置03;鋁箔氣隙檢測裝置07光電信號輸出端接PLC控制器06的信號輸入端，PLC控制器06的信號輸出端一路接納米鋁噴涂裝置05的信號輸入端，一路接伺服電機的信號輸入端，伺服電機驅動收卷輥01傳動。鋁箔氣隙檢測裝置07由暗箱、發光源及光敏傳感器06構成;暗箱開有鋁箔進出口，發光源位于暗箱內下部且位于鋁箔下方，光敏傳感器06位于暗箱內上部且光敏傳感器06信號輸出端接PLC控制器的信號輸入端。納米鋁噴涂裝置05由納米鋁存儲箱、納米鋁噴涂噴嘴及納米噴涂封閉箱構成；納米噴涂封閉箱開有鋁箔進出口，納米鋁噴涂噴嘴直對鋁箔面且納米鋁噴涂噴嘴的工作與否受控于PLC控制器。納米鋁碾壓成型裝置03由封閉箱、對輥碾壓輥04和凈面刷02構成;對輥碾壓輥04分布在封閉箱內鋁箔進口部且對輥碾壓輥04由伺服電機驅動轉動，伺服電機的工作與否受控于PLC控制器，凈面刷02分布在封閉箱內對輥碾壓輥04出口一側。對輥碾壓輥04中兩輥之間的間隙可調，即通過調節對輥碾壓輥04中的上輥的升或降即可達到調節對輥之間間隙大小的目的。納米鋁碾壓成型裝置03中封閉箱底部開有排泄口且排泄口采用螺蓋09旋接密封。
[0013]其鋁箔面氣隙填充生產線的填充方法，工作時PLC控制器06指令伺服電機驅動收卷輥01和納米鋁碾壓成型裝置03中的對輥碾壓輥04轉動，被檢測鋁箔在收卷輥01的牽引下由放卷輥08進入鋁箔氣隙檢測裝置07的暗箱內，當被檢測的鋁箔面透光時，位于暗箱內的光敏傳感器06被觸發將檢測到的鋁箔氣隙的位置信號傳遞到PLC控制器，當有氣隙的鋁箔在通過納米鋁噴涂裝置05中的納米鋁噴涂噴嘴瞬間，PLC控制器指令納米鋁噴涂裝置05納米鋁噴涂噴嘴將納米鋁噴向鋁箔面的氣隙部，被噴涂納米鋁的鋁箔在通過納米鋁碾壓成型裝置03中的對輥碾壓輥04時，其納米鋁被對輥碾壓輥壓實后，經過凈面刷02將鋁箔面多余的納米鋁清除(凈面刷02的刷頭為毛刷頭，或絨刷頭，或布刷頭)，最后被收卷輥01收卷。
[0014]實施例2:在實施例1的基礎上，一種高分子無泄露雙箔自粘鋁箔制備方法，1)將第一層鋁箔2或第二層鋁箔5或第一層鋁箔2和第二層鋁箔5面的一面或二面分別采用同屬性的納米鋁進行填充處理，使鋁箔面無通透氣隙；2)然后將PET膜(4)置于第一層鋁箔2和第二層鋁箔5面間采用膠粘劑粘接復合成一體;3)將改性PE膠涂履在第一層鋁箔2和第二層鋁箔5的非復合面、烘干得改性PE膜。
[0015]需要理解到的是:上述實施例雖然對本發明的設計思路作了比較詳細的文字描述，但是這些文字描述，只是對本發明設計思路的簡單文字描述，而不是對本發明設計思路的限制，任何不超出本發明設計思路的組合、增加或修改，均落入本發明的保護范圍內。
【主權項】
1.一種高分子無泄露雙箔自粘鋁箔，其特征是:第一層鋁箔(2)和第二層鋁箔(5)—面采用膠粘劑(3和6)與PET膜(4)復合，第一層鋁箔(2)和第二層鋁箔(5)的另一面分別涂有一層改性PE膠層(1和7)。2.根據權利要求1所述的高分子無泄露雙箔自粘鋁箔，其特征是:第一層鋁箔(2)或第二層鋁箔(5)面為無通透氣隙面。3.根據權利要求1所述的高分子無泄露雙箔自粘鋁箔，其特征是:第一層鋁箔(2)或第二層鋁箔(5)的一面或雙面的氣隙被納米鋁填充。4.根據權利要求2或3所述的高分子無泄露雙箔自粘鋁箔，其特征是:氣隙是指微小孔和縫隙。5.—種高分子無泄露雙箔自粘鋁箔制備方法，其特征是:1)將第一層鋁箔(2)或第二層鋁箔(5)或第一層鋁箔(2)和第二層鋁箔(5)面的一面或二面分別采用同屬性的納米鋁進行填充處理，使鋁箔面無通透氣隙；2)然后將PET膜(4)置于第一層鋁箔(2)和第二層鋁箔(5)面間采用膠粘劑粘接復合成一體;3)將改性PE膠涂履在第一層鋁箔(2)和第二層鋁箔(5)的非復合面、烘干得改性PE膜。
【專利摘要】本發明涉及一種高分子無泄露雙箔自粘鋁箔及制作方法，第一層鋁箔和第二層鋁箔一面采用PET膜復合，第一層鋁箔和第二層鋁箔的另一面分別復有一層改性PE膠層。優點：一是耐折、耐疲勞、強度高，是【背景技術】的數倍；二是包裹自粘接性能好，其粘接后所形成的剝離強度是【背景技術】的數倍；三是鋁箔面氣隙采用同屬性納米鋁填充，不僅大大地提高了鋁箔的密實度，而且實現了用低檔次鋁箔制作精品高分子無泄露雙箔自粘鋁箔的目的，從而極大地降低了對鋁箔軋制精度的要求，降低了鋁箔制造成本；四是不僅絕緣強度高、屏蔽效果好、避免了回波損耗現象的發生，而且具有優秀的拉伸強度。
【IPC分類】B32B33/00, B32B15/09, B32B15/20, B32B7/10, B32B37/12, B32B38/16, B32B7/12
【公開號】CN105479854
【申請號】CN201610000122
【發明人】沈國忠
【申請人】杭州巨力絕緣材料有限公司
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2016年1月1日