專利名稱：化合物半導體的n型摻雜方法和用此法生產的電子及光器件的制作方法
技術領域：
本發明涉及用于化合物半導體的晶體生長的n型摻雜方法和使用該摻雜方法的晶體生長方法，以及使用該晶體生長方法形成的晶體和使用該晶體制作的器件。
在把GaAs、InP等作為基底的化合物半導體的晶體生成中，作為形成n型摻雜層的方法，已往，一般地說，使用使SiH4、Si2H6氣體流入晶體生長中的裝置內，把Si作為載體混入結晶中的方法。為了使Si混入晶體中，就需要在生長襯底表面把熱能供給SiH4、Si2H6等氣體，使之熱分解。因此，按照熱能量，即襯底溫度而改變混入晶體中的單體Si的量。為了減小熱能即襯底溫度的影響，通過選擇使流入氣體的組成之中與Si向結合能盡可能的小，并且單體Si的晶體中的混入量，要與氣體流量成正比。
這樣，為控制化合物半導體的晶體中的摻雜濃度，摻雜濃度就不依存于襯底溫度和V/III元素比等的各種條件，而僅依存于氣體流量，是令人滿意的。但是，已往作為Si的摻雜劑，通常使用的Si2H6氣體，不用說其Si2-H6的鍵合能，相對于生長襯底面的熱能是十分小的。因此，用生長襯底面的熱能分解Si2-H6的鍵合時，由Si2-H6分解而產生的Si量與襯底溫度有很大依存關系，變得難以控制摻雜濃度。圖5表示，例如，在CBE(Chemical Beam Epitaxy)裝置中，用SI2H6氣體進行Si摻雜時，載流子濃度與生長襯底溫度的依存關系。載流子濃度大大依存于生長襯底溫度，而且其激活能Ea為0.63ev，則非常大。
并且，摻雜濃度與Si2H6流量的依賴關系，濃度直到1×1018cm-3為止都與Si2H6氣體流量成正比，但是在此流量以上時，由于背壓上升得很高，以至不可能進行分子束區域中的生長。另外，V/III比的依賴關系也大，高的V/III比，摻雜效率變得特別低。這樣一來，使用Si2H6氣體進行Si摻雜時，其摻雜濃度的控制很難，特別是，在低生長溫度下，要求制成高濃度摻雜的InP、InGaP的摻雜材料，就存在不合適的問題。
為解決上述問題，本發明的目的是提供一種摻雜濃度難以受襯底溫度等的影響、摻雜濃度容易控制的摻雜方法，并通過使用該摻雜方法的晶體生長方法，提供獲得所希望的摻雜濃度的高可靠性晶體和器件。
根據本發明的化合物半導體的n型摻雜方法包括化合物半導體晶體一邊生長，一邊使SiI4氣體流入配置了已加熱的襯底的高真空氣氛中的步驟；此SiI4氣體達到已加熱的襯底附近，由襯底表面給予熱能而熱分解，Si作為載體，混入生長中的化合物半導體晶體的步驟。
并且，SiI4氣體是用He或H2等的攜帶氣體導入到襯底附近。
并且，化合物半導體晶體是GaAs、InP或InGaP等。
并且，根據本發明的化學束淀積方法，是使用化合物半導的n型摻雜方法，向配置已加熱襯底的高真空氣氛中，供給包含作為目標晶體構成元素和烷基的至少一種分子化合物和包含目標晶體構成元素的另一分子化合物，這些分子化合物形成分子束，并達到襯底附近，在襯底上進行反應，使化合物半導體晶體外延生長的步驟。
并且，根據本發明的有機金屬分子束外延生長方法，是使用化合物半導體的n型摻雜方法，向設置已加熱襯底的高真空氣氛中，供給包含作為目標晶體構成元素的至少一種有機金屬化合物和作為目標晶體構成元素的原子或分子，這些分子化合物和原子或分子形成分子束，并達到襯底附近，在襯底上進行反應，使化合物半導體晶體外延生長的步驟。
并且，根據本發明的氣體源分子束外延生長方法，是使用化合物半導體的N型摻雜方法，向設置已加熱襯底的高真空氣氛中，用氣相原料供給包含作為目標晶體構成元素的原子或分子的至少一種，這些原子或分子形成分子束，達到襯底附近，通過物理蒸鍍，使化合物半導體晶體外延生長的步驟。
并且，根據本發明的有機金屬化學氣相淀積方法，是使用化合物半導體的N型摻雜方法，向設置已加熱襯底的高真空氣氛中，供給包含作為目標晶體構成元素的至少一種有機金屬化合物和包含作為目標晶體的構成元素的第2分子化合物，這些分子化合物邊擴散，邊用攜帶氣體，引導到襯底附近，在襯底上進行反應，使化合物半導體晶體外延生長的步驟。
并且，根據本發明的分子束外延生長方法，是使用化合物半導體的n型摻雜方法，向配置已加熱襯底的高真空氣氛中，供給包含作為目標晶體的構成元素的原子或分子，這些原子或分子形成原子束或分子束，達到襯底附近，通過物理蒸鍍，使化合物半導體晶體外延生長的步驟。
并且，根據本發明的化合物半導體晶體是通過上述任何一種的晶體生長方法形成的。
并且，根據本發明的電子器件，是用上述化合物半導體晶體構成的。
還有，根據本發明的光器件，是用上述化合物半導體晶體構成的。
圖1是表示本發明的實施例1～3中使用的CBE裝置的示意圖。
圖2是表示用SiI4的Si摻雜的n-GaAs層載流子濃度與生長襯底溫度的依賴關系圖。
圖3是表示使用SiI4、Si2H6作為載體摻雜氣體時，n-GaAs層載流子濃度與摻雜氣體和攜帶氣體(He)的總流量之間的依賴關系圖。
圖4是表示使用SiI4、Si2H6作為載體摻雜氣體時，n-GaAs中Si濃度與載流子濃度的關系圖。
圖5是表示用現有的載體摻雜氣體Si2H6的Si摻雜的n-GaAs層載流子濃度與生長襯底溫度依賴關系圖。
實施例1在本發明的實施例1中，說明在用化學束淀積方法(CBEChemicalBeam Epitaxy)生長的n-GaAs中，使用SiI4氣體進行Si摻雜的情況。圖1是本實施例中所用CBE裝置示意圖。在圖中，1是CBE裝置的生長室。2是用作生長襯底，在本實施例中，為n-GaAs襯底。11是向生長襯底2的表面施加熱能的加熱器。3(3a～3c)是壓力自控制式恒溫層槽，此槽內，在周圍安裝配備了加熱器的三乙基鎵(TEGa)、三甲基銦(TMIn)等的有機金屬化學物的供給裝置。4是安裝了SiI4氣體供給裝置的恒溫槽、5(5a～5g)是為調整各氣體流量的流量計。6、7分別是He、H2攜帶氣體供給裝置，在本實施例中，SiI4氣體用He攜帶氣體流入生長室內。8是AsH3、PH3、Si2H6等的氫化物供給裝置。9是對氫化物中進行預熱解，而導入裝置的加熱器，10是質量分析裝置。
本CBE中，在壓力自控制式恒溫層槽3內，使三乙基鎵(TEGa)等的有機金屬化合物加溫，增大到可用流量計5控制有機金屬化合物分子的分壓值以上，可以不使用攜帶氣體而直接用流量計控制其流量。因此，由于不用攜帶氣體，而只靠有機金屬化合物到達生長室1內的生長襯底2附近，所以不會因攜帶氣體使生長室1內的壓力增加，有機金屬化合物分子的平均自由程變得足夠長，提高了分子束的性質。
接著，說明在本CBE裝置中，使用SiI4氣體，在生長中的n-GaAs中進行Si摻雜的方法。作為III族源用三乙基鎵(TEGa)，作為V族As源用了三氫化砷(AsH3)。三乙基鎵(TEGa)，被密封在專用容器里，保持在壓力自控制式恒溫層槽3內。壓力自控制式恒溫層槽3內，從室溫加熱到80℃，有機金屬的自控壓力成為10Torr以上的溫度。用TEGa時，在35℃下，可以流出流量計規定的流量。為進行n型摻雜，可使用He攜帶氣體，使SiI4氣體流入生長室內。這樣，把有機金屬分子(TEGa)、氫化物(AsH3)、SiI4氣體導入生長室內，在真空中放出的有機金屬分子和氫化合物的氣體，就在用加熱器11加熱的襯底2上進行反應，形成半導體材料，即GaAs的淀積層，同時通過生長襯底的表面，把熱能給予SiI4氣體而熱分解，Si作為載體，混入GaAs晶體中，進行n型摻雜。
就用以上這樣的方法形成SiI4的Si摻雜層，說明進行評價的結果圖。圖2是表示，用SiI4的Si摻雜n-GaAs層載流子濃度與生長襯底溫度的依賴關系。使用He攜帶氣體，使SiI4流入晶體生長氣氛中時，在各種流量下，載流子濃度與生長襯底溫度的依賴關系，與使用Si2H6氣體時比較，是很小的。使用Si2H6氣體時，如圖5所示，即使在一定Si2H6氣體流量下，晶體中激活的載流子濃度與生長襯底溫度有很大依賴關系。
圖3是表示使用SiI4、Si2H6作為載體摻雜氣體時，n-GaAs層載流子濃度與摻雜氣體流量的依賴關系。由圖3，把生長溫度設定為約520℃的情況下，就SiI4而言，與作為攜帶氣體的He流量合計，在Si2H6氣體約為流量的20％下，載體摻雜濃度可能約2×1018cm-3。另外，圖4是表示使用SiI4、Si2H6作為載體摻雜氣體時，n-GaAs中的Si濃度與載體濃度的關系圖。使用SiI4時，對Si的活性率幾乎100％，結果非常良好，而Si2H6為80％以下，證明了非活性Si混入GaAs晶體中。
還有，在本實施方案中，雖然示出了CBE裝置例，但是本發明不限于此，也可能適用于有機金屬分子束外延生長方法(MOMBEMetalorganic Molecular Beam Epitaxy)、氣體源分子束外延生長方法(GS-MBEGas Source Molecular Beam Epitaxy)、有機金屬化學氣相淀積(MOCVDMetalorganic Chemical VaporDeposition)以及分子束外延生長方法(MBEMolecular Beam Epitaxy)等的晶體生長方法。下面就說明這些晶體生長方法。
目前，化合物半導體的晶體生長方法，可以分成MBE、MOCVD和CBE三大類。MBE是在高真空中進行的真空蒸鍍法，就原理而言，在超高真空的生長室內設置著收納了目標晶體構成元素的分子束裝置，通過加熱該裝置使各元素氣化，并且輻射到另外加熱的生長用的底下襯底而進行外延生長。生長室內，即使生長時，也要保持約10-5Torr的高真空度，其氣化了的原子或分子的平均自由程很大，沿噴出的方向形成束，即分子束。這樣，所形成的晶體，生長表面和界面平坦性優良，還有，在生長中，由于不存在化學反應，所以對生長速度、膜厚及組成的控制性也是良好的。然而，由于需要在裝置內設置供給原料的分子束裝置，就存在因分子束裝置的加熱而產生雜質的問題和裝置的轉換等許多問題。作為解決這些問題的一個方法，還可以考慮，以氣相狀態供給至少一種原料的MOMBE、氣體源MBE等方法。
對此，MOCVD方法是，利用熱力學上不穩定，通過加熱，分解游離金屬的有機金屬化合物的性質，因此向加熱的襯底晶體表面，供給包含目標晶體構成元素的至少一種有機金屬化合物和供給使用攜帶氣體擴散包含目標晶體構成元素，例如氫化物等的分子化合物，并產生外延生長。生長室內可以是對應于從約10-3Torr的低壓到常壓的寬闊范圍的生長條件，通過多種材料的組合，可以獲得各種各樣的晶體，因此是自由度非常大的生長方法。然而，化學反應有助于晶體生長，存在因生長速度控制困難等膜厚控制性差的缺點。
處于上述兩種生長方法之間的生長方法是CBE法。CBE法是使有機金屬、氫化物等的分子化合物形成分子束，在加熱的襯底上進行反應，而發生外延生長。與MOCVD法比較，膜厚控制性優良。如上所述，作為化合物半導體晶體的生長方法，有CBE、MOMBE、氣體源MBE、MOCVD等各種方法，而無論哪一種方法，根據本發明的n型摻雜方法也能適用，與現有方法比較，摻雜濃度容易進行控制，可實現高可靠性的摻雜。
如上所述，根據本實施例，在CBE法的n-GaAs晶體生長過程中，用SiI4作為N型摻雜氣體，通過形成Si摻雜的n-GaAs層，因摻雜濃度不受襯底溫度影響，僅依賴于SiI4流量，摻雜濃度所以容易進行控制。還有，就SiI4而言，與現有的Si2H6比較，用小流量就可以高效地進行摻雜，載流子活性化率也良好到幾乎100％。因此，容易獲得所希望的摻雜濃度，可靠性高的n-GaAs晶體，通過使用這種晶體，就能夠得到高性能，高可靠性的高頻器件等的電子器件，或半導體激光器等的光器件。實施例2在實施例2中，說明用CBE(Chemical Beam Epitaxy)法，在n-InP中，使用SiI4氣體進行Si摻雜的情況。本實施例也與實施例1同樣，在使用如圖1所示的CBE裝置的本CBE裝置中，說明在生長中的n-InP內，使用SiI4氣體，進行Si摻雜的方法。使用三甲基銦(TMIn)作為III族源，使用PH3作為V族源。將三甲基銦(TMIn)密封在專用的容器中，并保持于壓力自控制式恒溫層槽3b內。壓力自控制式恒溫層槽3b內，進行從常溫到80℃的加熱，有機金屬的自控壓力成為10Torr以上的溫度。為進行n型摻雜，使用He攜帶氣體，使SiI4氣體流入生長室內。這樣以來，就把有機金屬分子(TMIn)、三氫化磷(PH3)及SiI4氣體導入生長室內，真空中放出的有機金屬分子和氫化物氣體，在用加熱器11加熱的襯底2上進行反應，形成半導體材料，即InP的淀積層，同時SiI4氣體，由生長襯底表面給予熱能而熱分解，Si作為載體，混入InP晶體中，進行了n型摻雜。
對用如上方法形成的由SiI4的Si摻雜n-InP層進行評價的結果，與實施例1同樣，對各種流量，與使用Si2H6氣體的情況做比較，載流子濃度與生長襯底溫度的依賴性是小的，Si的活性化率也良好，幾乎是100％。還有，n-InP因為必須在約520℃以下的低溫進行生長，所以對Si2H6氣體來說，Si不能充分分解，因此難以得到所希望的濃度，而使用SiI4時，即使低溫也足以分解，載流子活性化率也很好。所以是最適合作為對n-InP層的n型摻雜氣體。
還有，在本實施例中，示出了CBE裝置例，但本發明不限于此，也可適用于MOMBE、氣體源MBE、MOCVD、MBE等的晶體生長方法。
如上所述，根據本實施例，在用CBE法的n-InP晶體的生長過程中，使用SiI4作為n型用摻雜氣體，由于形成Si摻雜n-InP層，摻雜濃度難以受到襯底溫度的影響，而僅依賴于SiI4流量，所以容易進行摻雜濃度的控制。還有，就SiI4而言，與現有的Si2H6比較，用小流量，就能夠進行高效摻雜，即使在520℃以下的低溫，也足以分解，載流子活性化率也良好，幾乎100％。因此，能夠容易地得到所希望摻雜濃度的高可靠性n-InP晶體和使用此晶體的電子器件或光器件。實施例3在實施例3中，說明了使用SiI4氣體對用CBE(Chemical BeamEpitaxy)方法生長的n-InGaP中，進行Si摻雜的情況。在本實施例中，也與實施例1和2同樣，使用如圖1所示的CBE裝置。
說明在本CBE裝置中，在生長中的n-InGaP里，使用SiI4氣體進行Si摻雜的方法。作為III族源使用三乙基鎵(TEGa)、三甲基銦(TMIn)，作為V族P源使用PH3。三乙基鎵(TEGa)和三甲基銦(TMIn)被密封在專用容器內，并保持在壓力自控制式恒溫層槽3a、3b內。壓力自控制式恒溫層槽3a、3b內進行從常溫到80℃的加熱，作為有機金屬的自控制壓力成為10Torr以上的溫度。用以進行n型摻雜的SiI4氣體，使用He攜帶氣體，流入生長室內。這樣一來，就把有機金屬分子(TEGa、TMIn)、氫化物(PH3)及SiI4氣體導入生長室內，真空中放出的有機金屬分子和氫化物的氣體，在用加熱器11加熱的襯底2上進行反應，而形成半導體材料，即InGaP的淀積層，同時生長襯底表面把熱能供給SiI4而熱分解，Si作為載體混入InGaP晶體中，并進行n型摻雜。
有關對用按上述的方法形成SiI4的Si摻雜n-InGaP層進行評價的結果，與實施例1和2同樣，在各種流量下，與使用Si2H6的情況做比較，載流子濃度與生長襯底溫度的依賴關系是很小的，Si的活性化率也是非常良好，幾乎100％。還有，n-InGaP因為必須在約520℃以下的低溫進行生長，所以對Si2H6氣體來說，Si分解不充分，難以得到所希望的摻雜濃度，而使用SiI4時，即使低溫也能充分分解，載流子活性化率也良好，因此，作為對n-InGaP層的n型摻雜氣體，是最佳的。
另外，在本實施例中，雖然示出了CBE裝置例，但本發明不限于此，也可能適用于MOMBE、氣體源MBE、MOCVD、MBE等的晶體生長方法。還有，本發明的實施例的說明中，SiI4氣體雖然說明用He攜帶氣體，但是很清楚，也可以用H2攜帶氣體。
如上所述，根據本實施例，在用CBE法n-InGaP晶體的生長過程中，使用SiI4作為n-型用摻雜氣體，以形成Si摻雜n-InGaP層，由于摻雜濃度難以受到襯底溫度的影響，而僅僅取決于SiI4流量，所以摻雜濃度容易進行控制。還有，就SiI4來說，與現有的Si2H6比較，用小流量，就能夠進行高效摻雜，即使在520℃以下的低溫，也能充分分解，載流子活性化率也良好，幾乎100％。因此，能夠容易地得到具有所希望摻雜濃度的高可靠性n-InGaP晶體和使用此晶體的電子器件或光器件。實施例4在實施例4中，說明使用SiI4對用CBE(Chemical BeamEpitaxy)方法生長n-InGaAs，進行Si摻雜的情況。在本實施例中，也與實施例1和2同樣，使用如圖1所示的CBE裝置。
說明在本CBE裝置中，對生長中的n-InGaAs，使用SiI4氣體進行Si摻雜的方法。作為III族源使用三乙基鎵(TEGa)、三甲基銦(TMIn)，作為V族As源使用三氫化砷AsH3。三乙基鎵(TEGa)和三甲基銦(TMIn)被密封在專用容器內，并保持在壓力自控制式恒溫層槽3a、3b內。壓力自控制式恒溫層槽3a、3b內進行從常溫到80℃的加熱，作為有機金屬的自控制壓力成為10Torr以上的溫度。用以進行N型摻雜的SiI4氣體，使用He攜帶氣體流入生長室內。這樣一來，就把有機金屬分子(TEGa、TMIn)、氫化物(AsH3)及SiI4氣體導入生長室內，真空中放出的有機金屬分子和氫化物的氣體，在用加熱器11加熱的襯底2上進行反應，而形成半導體材料，即InGaAs的淀積層，同時生長襯底表面把熱能供給SiI4而熱分解，Si作為載體混入InGaAs晶體中，并進行N型摻雜。
就用如上述的方法形成的，由SiI4的Si摻雜n-InGaAs層，進行評價的結果，與實施例1和2同樣，在各種流量下，與使用Si2H6的情況做比較，載流子濃度與生長襯底溫度的依賴關系是很小的，Si的活性化率也是非常良好，幾乎100％。還有，n-InGaAs因為必須在約520℃以下的低溫進行生長，所以對Si2H6氣體來說，Si分解不充分，難以得到所希望的摻雜濃度，而使用SiI4時，即使低溫也能充分分解，載流子活性化率也良好，因此，作為n-InGaAs層的n型摻雜氣體，最合適。
另外，在本實施例中，雖然示出了CBE裝置例，但本發明不限于此，也可能適用于MOMBE、氣體源MBE、MOCVD、MBE等的晶體生長方法。還有，本發明的實施例的說明中，SiI4氣體雖然說明用He攜帶氣體，但是很清楚，也可以用H2攜帶氣體。
如上所述，根據本實施例，在用CBE法的n-InGaAs晶體的生長過程中，使用SiI4作為n-型用摻雜氣體，以形成Si摻雜n-InGaAs層，由于摻雜濃度難以受到襯底溫度的影響，而僅僅取決于SiI4流量，所以摻雜濃度容易進行控制。還有，就SiI4來說，與現有的Si2H6比較，用小流量，就能夠進行高效摻雜，即使在520℃以下的低溫，也能充分分解，載流子活性化率也良好，幾乎100％。因此，能夠容易地得到具有所希望摻雜濃度的高可靠性n-InGaAs晶體和使用此晶體的電子器件或光器件。
權利要求
1.一種化合物半導體的N型摻雜方法，其特征是，它包括一邊生長化合物半導體晶體，一邊使SiI4氣體流入配置已加熱襯底的高真空氣氛中的的步驟；上述SiI4氣體到達上述已加熱襯底附近，由上述襯底表面供給熱能而熱分解，Si作為載體，混入生長中的上述化合物半導體晶體內的步驟。
2.根據權利要求1的化合物半導體的N型摻雜方法，其特征是，SiI4氣體是用He或H2等的攜帶氣體，導入到襯底附近。
3.根據權利要求1或2的化合物半導體的N型摻雜方法，其特征是，上述化合物半導體晶體是GaAs、InP、InGaP和InGaAs中的任何一種。
4.一種化學束淀積方法，其特征是在以下步驟中使用根據權利要求1～3的任一項化合物半導體的N型摻雜方法，所說的步驟是，向配置已加熱襯底的高真空氣氛中，供給含有目標晶體構成元素和烷基的至少一種分子化合物和含有目標晶體構成元素的另一種分子化合物，這些分子化合物形成分子束，到達上述襯底附近，在上述襯底上進行反應，使化合物半導體晶體外延生長的步驟。
5.一種有機金屬分子束外延生長方法，其特征是在以下步驟中使用根據權利要求1～3的任一項化合物半導體的N型摻雜方法，所說的步驟是向配置已加熱襯底的高真空氣氛中，供給含有目標晶體構成元素的至少一種有機金屬化合物和含有目標晶體構成元素的原子或分子，這些分子化合物和原子或分子形成分子束并到達上述襯底附近，在上述襯底上進行反應，使化合物半導體晶體外延生長的步驟。
6.一種氣體源分子束外延生長方法，其特征是在以下步驟中使用根據權利要求1～3的任一項化合物半導體的N型摻雜方法，所說的步驟是向配置已加熱襯底的高真空氣氛中，用氣相原料供給至少一種含有目標晶體構成元素的原子或分子，這些原子或分子形成原子束或分子束并到達上述襯底附近，通過物理蒸鍍，使化合物半導體晶體外延生長的步驟。
7.一種有機金屬化學氣相淀積方法，其特征在于在以下步驟中使用根據權利要求1～3的任一項化合物半導體的N型摻雜方法，所說的步驟是向配置已加熱襯底的高真空氣氛中，供給含有目標晶體的構成元素的至少一種有機金屬化合物和含有目標晶體構成元素的另一種分子化合物，這些分子化合物一邊擴散一邊通過攜帶氣體，引導到上述襯底附近，在上述襯底上進行反應，使化合物半導體晶體外延生長的步驟。
8.一種分子束外延生長方法，其特征是在以下步驟中使用根據權利要求1～3的任一項化合物半導體的N型摻雜方法，所說的步驟是向配置已加熱襯底的高真空氣氛中，供給至少一種含有目標晶體構成元素的原子或分子，這些原子或分子形成原子束或分子束并到達上述襯底附近，用物理蒸鍍法，使化合物半導體晶體外延生長的步驟。
9.一種化合物半導體晶體，其特征是，使用根據權利要求4的晶體生長方法形成晶體。
10.一種化合物半導體晶體，其特征是，使用根據權利要求5的晶體生長方法形成晶體。
11.一種化合物半導體晶體，其特征是，使用根據權利要求6的晶體生長方法形成晶體。
12.一種化合物半導體晶體，其特征是，使用根據權利要求7的晶體生長方法形成晶體。
13.一種化合物半導體晶體，其特征是，使用根據權利要求8的晶體生長方法形成晶體。
14.一種電子器件，其特征是，它是用根據權利要求9的化合物半導體晶體構成的。
15.一種光器件，其特征是，它是用根據權利要求9的化合物半導體晶體構成的。
全文摘要
本發明提出一種摻雜濃度難以受襯底溫度等影響，且摻雜濃度控制容易的摻雜方法，并提供能獲得所希望摻雜濃度的高可靠性晶體和器件。將有機金屬分子(TEGa)、氫化物(AsH
文檔編號C30B31/06GK1160929SQ9611249
公開日1997年10月1日 申請日期1996年10月31日 優先權日1996年10月31日
發明者和泉茂一, 采女豐 申請人:三菱電機株式會社