專利名稱：電子零件裝配模件的制作方法
技術領域：
本發明涉及電子零件裝配模件，尤其是涉及通過配線底板上的導電性凸起電極來安裝電子零件的電子零件裝配模件及其制造方法，以及帶有該電子零件裝配模件的裝置。
原有的電子零件中，有硅片等半導體元件、在硅底板上等上形成電阻的電阻片或涂敷多層電介質的電容器片等。這些零件在電路連接上具有微細的連接部分，當與作為基底的底板之間的熱膨脹差異較大時，會發生如下問題。下面針對半導體元件來說明這些問題，但不言而喻，對其它電子零件來說也是一樣。
半導體元件的連接間距是探索微小化的一種途徑。由于半導體元件周圍的連接點個數有增多的趨勢，更加促使連接間距的微小化。驅動液晶顯示元件的IC(顯示控制器)就是連接間距微小的半導體元件的典型實例。而且在液晶顯示元件底板上進行多層接線是有困難的，結果連接端子就集中在IC片的外周部分，所以間距就更加微小了。
作為將IC片外周排列的一系列端子連接在配線底板上的方法，一般有引線接合法、使用聚酰亞胺類帶子的TAB〔Tape Automated Bonding(自動連接帶)〕等。然而在這些方法中，間距仍有一定限度。前者受焊頭尺寸限制，后者受銅箔的加工精度限制。
不受上述限度制約的一種結構，稱作背面饋送或倒裝片，例如半導體元件的表面與配線底板表面相對的結構。在這種結構中，為了確保半導體元件和配線底板的電路導通及絕緣，通常需要凸起電極。當然，不一定必須要有凸起電極，如特開平2-84747號公報所提出的不使用凸起電極的方案。還有如特開昭57-28337號公報、特開平2-54946號公報及特開平2-82545號公報提出的將連接構件設置在半導體元件和配線底板之間的一種結構。
可是考慮到成本、批量生產性等實際問題，還是形成凸起電極的方法最合理。因此有關凸起電極的專利很多。另外還分為將半導體元件還是配線底板形成凸起。關于在配線底板上設置凸起的技術，已公開發表在特開昭61-245543號、特開昭62-161187號、特開昭63-40331號、特開昭63-92036號、特開昭63-220533號、特開平1-273327號、特開平1-281433號、特開平2-28340號、特開昭62-35597號、特開昭63-70888號各公報中。特別是像液晶顯示元件那樣只在大型配線底板周邊安裝半導體元件時，與所使用的底板面積相比，所形成的凸起的個數少，從成本方面考慮，這種結構不利。
與此相反，在半導體元件上設置凸起的結構更合理，因此申請專利的也多。關于凸起的材質問題，在TAB中最一般的是使用Au(金)，特開昭60-85545號公報等多數是這方面的申請。其它引人注目的是以利用變形能力大的特征，使用焊錫的實例。可以舉出特開平2-37724號、特開昭63-9136號、特開昭62-287647號、特開昭63-122155號公報為例。總之是選擇軟材料。后面將要介紹，緩解半導體元件與配線底板的熱膨脹差異引起的應力為首要目的。形成凸起的方法一般是采用電鍍，但像特開昭63-304587號公報、或像特開昭61-117846號公報所述，是利用導線的方法，也引人注目。
不管上述的哪一種技術，連接間距變小時，不可避免地要使半導體元件和配線底板之間的間隙變小。結果因半導體元件和配線底板之間的熱膨脹差異而產生很大的應力。于是就像《日經微型儀器》1989年7月號第46頁至47頁中所述，在半導體元件和配線底板之間填加樹脂，以緩解分散應力。
然而，《如電子情報通信學會論文志》第J73-C-Ⅱ卷，第9冊第516-524頁(1990年9月)所述，這種結構的缺點是可靠性有賴于樹脂的物性。因此，不使用樹脂來緩解應力的結構就變得重要了。
一般來說，電極基板上形成的凸起的俯視斷面形狀呈圓形。與此相反，可以舉出特開平2-170548號公報或特開平1-243533號公報所示的技術，能使凸起的平面縱橫尺寸不同，使一個方向的尺寸比另一方向的尺寸大。前一公報中是用焊錫形成凸起，俯視斷面形狀呈橢圓形，其配置方法的實施例是使短邊方向朝向基片中心。但是，這種方法是為了使基片相對于基板的位置高精度的配合。后一公報中所述的凸起電極的平面形狀呈葫蘆形。這種凸起不僅長邊方向的剪切力大，短邊方向的剪切力也很大。以上兩例中的凸起都是使用焊錫，沒有考慮因凸起的變形而造成的底面的熱形變。
在特開昭61-43438號公報中敘述了使凸起的縱斷面取亞鈴形狀的方法，是一種用縮頸部的彎曲來吸收底面產生的熱形變的方式。但是，使用這種方式，凸起的剛性不具有各向異性。
如上所述，在原有的技術中看不到關于吸收電子零件與配線底板之間的熱膨脹差的帶本質性的對策的技術。
本發明的目的是提供一種能吸收電子零件與配線底板之間的熱膨脹差的電子零件裝配模件及其制造方法，這種方法不同于上述原有技術，不是依靠在電子零件與配線底板之間填充樹脂來緩解應力。
本發明者為達到上述目的而專心研究的結果，得出了適用于吸收凸起電極上的應力的結構。但是，如上所述，由于連接間距小，凸起電極的高度也小，因此為了充分發揮應力緩解的效果，就必須將凸起電極作得很細。可是凸起電極變細時，半導體元件的機械保持能力變壞。為了滿足與此相反的要求，就要在凸起電極的結構或配置方面采取特殊辦法。
即，使電子零件和配線底板表面面對面地連接，在采用所謂背面饋送或具有倒裝片式連接結構的電子零件裝配模件上，使設置在電子零件表面上或配線底板表面上的導電性的凸起電極的形狀在該電子零件和該配線底板之間具有縮頸部，且使該縮頸部的橫斷面的縱向尺寸和橫向尺寸不同，或短徑與長徑尺寸不同。
另外，在上述結構中，還要將縮頸部的橫向或長徑沿配線底板上安裝的電子零件的外周或邊緣配置。
下面作更具體的說明。
首先，本發明中必要的基本結構如前所述，采用本結構時，不只限于后面所述的實施例，也可能是下述的種種形式的變形。
(a)可在配線底板上形成凸起電極。
(b)在具有多個凸起部的形狀時，在實施例中是基座公用，前端部公用或單用，但是，也可以基座單用。
(c)凸起部、前端部、以及基座可以使用不同的材料。當然也可以用不同的材料組成凸起部(內部與外表、中央部分與兩端等)。
另外，關于上述結構的電子零件裝配模件的制造方法，不只限于后面所述的實施例，也可采用原來已知的制造方法。
再者，在本發明的情況下，不需要在電子零件和配線底板之間的凸起電極周邊填充樹脂，但若將粘接性好的樹脂填充在電子零件和配線底板的間隙中也沒關系。
在所謂背面饋送或倒裝片式連接結構中，在電子零件和配線底板間的連接部分產生的主要應力是由于兩者的熱膨脹系數不同而產生的熱應力。例如，在驅動液晶顯示元件的IC中，連接端子幾乎同樣配置在半導體元件周圍。半導體元件與配線底板之間因熱膨脹系數不同而產生的熱應力，以半導體元件的中心部分作為中點而呈放射狀。在各連接端子上，應力朝向半導體元件的中心方向。半導體元件可以是硅，熱膨脹系數小，約為3×10-6/℃，配線底板的熱膨脹系數約為1×10-5/℃。因此由于溫度的升高或降低，半導體元件與配線底板之間便產生相對位移。
伴隨這種位移而產生的應力，這里成為問題的是熱應力。為了使熱應力小一些，其有效的直接解決方法是將半導體元件和配線底板之間的距離加大。但是連接間距變小時，要增大連接間隙是困難的的。例如在特開昭57-28337號公報所述的實施例中，雖然連接用引出頭在300μm以上，但要用它來連接間距為50μm、直徑為25μm的連接端子時，考慮到連接間距和連接間隙的關系，其形狀接近細長導線。直徑為25μm的連接端子，與引線接合法用的導線直徑大致相同。在這么小的直徑下，長度也有300μm，稍加外力，導線就會變形。因此會產生種種問題。例如連接前后搬運時，鄰近的端子彼此之間接觸時，稍加外力就會將連接端子壓彎，不能保持連接間隙。但實用上最重要的還不是上述問題，問題是實用上很難用合適的成本實現這種結構。如果能用低成本實現這種結構，而且又能使連接端子的形變小的話，可以說是一種理想的連接狀態。
在實現這種結構的困難現狀中，用實用上可接受的成本實現盡可能小的連接間隙時，必須充分實現應力緩解。因此，在將連接端子切斷時，必須使截面積小。然而截面積小時雖然能使產生的熱應力小，但與此同時，對其它負載的反作用力也減弱。
本發明者的著眼點是使在平行于應力方向的截面上產生的應力與連接端子的粗細的二次方成正比，而在與應力方向正交的截面上，連接端子的粗細對應力無影響。作為半導體元件與配線底板的連接端子，可考慮采用半導體元件一側的鋁導線終端部分上形成的凸起電極。凸起電極分三個部分。它們是與半導體元件一側的鋁導線終端部分連接的基座、兩端寬的柱形凸起部、以及連接用的寬的前端部。設置在配線底板上的配線82的前端的底板一側的連接起來。將凸起部切成的斷面，不是正多邊形或圓形，而是類似于長方形的扁平多邊形或帶圓角的扁平多邊形、長圓形、橢圓形之類，隨方向的不同，斷面寬度也不同。使這種斷面上所受的對連接壽命有影響的熱應力的方向與斷面上最窄的方向一致。即如圖6所示那樣配置凸起電極81，使其短邊沿著放射方向、與熱應力的作用方向平行。這樣做可使用由于所產生的放射狀相對位移而產生的熱應力小，而且對作用于半導體元件50整體下的其它力來說，連接端子整體呈圓形支柱，剛性大，是一種理想的連接結構。
再來看看連接端子部分內部的應力分布情況，應力集中的地方是凸起電極的根部及前端部，為了緩解應力，加大這一部分的截面積是重要的，另外注意到使柱的兩端具有一定的曲率是有效的。滿足上述所要求的事項的典型的凸起電極的詳細截面示于圖7。在與熱應力平行的截面上，凸起部81細，在與熱應力垂直的截面上，凸起部81粗。
以上詳細說明的電子零件裝配模件之一例示于圖25A及圖25B。
如圖25A及25B所示，電子零件裝配模件500是安裝在底板上的半導體元件501和在硅基板上形成電阻及電容的基片502等電子元件的總稱。基板503和電子零件502連接時，是使用凸起電極504，能使電子零件工作時連接部分產生的熱應力及作用于電子零件上的外力有效地得到緩解。因此不僅對于半導體元件501，而且對于例如形成電阻的基片502等電子零件，本發明的模件結構是有用的。
下面對附圖作一簡單說明
圖1是表示本發明的第1實施例的斜視圖;
圖2是表示本發明的第1實施例一部分的斜視圖;
圖3是表示本發明的第1實施例的剖面圖;
圖4A及圖4B是表示第1實施例的制作工序的模式剖面圖;
圖5是表示本發明的作用的平面圖;
圖6是表示本發明作用的平面圖;
圖7是表示本發明的作用的剖面圖;
圖8是表示本發明的作用的斜視圖;
圖9是表示第2實施例效果的平面圖;
圖10是第4實施例的局部放大的剖面圖;
圖11A及圖11B是表示第4實施例作用的模式剖面圖;
圖12是表示第4實施例的作用的曲線圖;
圖13A及圖13B是表示第4實施例的制作工序的模式剖面圖;
圖14A及圖14B是表示第5實施例的作用的模式剖面圖;
圖15A及圖15B是表示第5實施例的制作工序的示意圖;
圖16A及圖16B是表示第5實施例的第1變形的制作工序的示意圖;
圖17A及圖17B是表示第5實施例的第2變形例的制作工序的示意圖;
圖18A及圖18B是表示第6實施例的制作工序的示意圖;
圖19是液晶顯示元件外觀略圖;
圖20是表示第10實施例的工序圖;
圖21是表示第11實施例的工序圖;
圖22是表示第12實施例的工序圖;
圖23A及圖23B是從斜下方看到的第13實施例的斜視圖;
圖24是第13實施例的制作方法說明圖;
圖25A及圖25B是表示本發明的電子零件裝配模件之一例的示意圖。
下面通過實施例來更具體地說明本發明。另外，本發明不限于這些實施例。
按照圖1至圖24的順序說明本發明的實施例1至實施例13。
參照圖1至圖4A及4B說明本發明的第1個實施例。
圖1是從斜上方看到的本發明的第1實施例的斜視圖。圖2是將連接端子部分放大后的斜視圖。圖3是將圖2的局部放大后的剖面圖。圖4A是本實施例的制作工序的流程，圖4B是其模式剖面圖。這里為了簡單起見，圖1中用虛線表示半導體元件10，并將包括鋁配線的半導體元件10內部的結構全部省略。同樣，在圖2中除鋁配線20以外，將半導體元件10及玻璃基板14省略。在圖3中，將半導體元件10內部的晶體三極管、二極管、電阻、電容等功能元件及連接這些元件的配線省略，總括起來作為硅基板30。剖面平行于熱應力。
本實施例的半導體元件的實際裝配結構，是在玻璃基板14的表面上形成由ITO(銦和錫的復合氧化物)構成的透明配線13，再用導電性粘合劑12將上述玻璃基板14和予先形成凸起電極11的半導體元件10連接起來而成。凸起電極11與半導體元件10連接的部分形成寬闊的形狀，這部分稱為基座1101。為了可靠地與導電性粘合劑12連接，其前端部1103也形成寬闊的形狀。中央部位是凸起部1102，圖中呈薄板狀，但用平行于玻璃基板14和半導體元件10的平面切割最細部分所得的截面呈長圓形。由圖1可知，凸起部1102的配置方式，從整體上看呈圓筒形。若從正上方看，其形狀近似圖5所示。在有熱應力時，這種形狀具有柔軟性，而且對于外力等其它負載具有足夠的剛性。圖1中畫出來的凸起電極11有10個，這是為了容易看而省略的結果，實際上是192個。半導體元件10是邊長為4mm的正方形，在正方形的各邊上每邊平均排列48個凸起電極，間距為80μm。圖2中用符號g表示的連接間隙約25μm，這是凸起電極11的高度(即基座1101的厚度、凸起部1102的高度和前端部1103的厚度合計起來的高度)和導電性粘合劑12的厚度的合計值。更詳細地說，即在厚5μm的基座1101和鋁配線20的界面上有由厚100nm的鉻膜3201和厚500nm的金膜3202重疊而成的薄膜，作為電鍍基底膜32。此膜的用途是防止鋁配線20和凸起電極11上的銅互相擴散，以及凸起電極11電鍍時用來供給電流。在凸起部1102和基座1101的連接部分，以及在凸起部1102和前端部1103的連接部分，為了避免應力集中而有一定的曲率(圖3中的R)。其值為15μm。在凸起部1102的中央最細的部分，受熱應力作用的方向的寬度為2μm，與其垂直的方向為30μm。基底1101及前端部1103的大小都是40μm的正方形。
參照圖4A及4B說明本實施例的制造方法。圖4A所示為制作工序，圖4B所示為各工序中形成的剖面。圖中的電鍍基底膜32雖然是用一層膜來表示，這只是為了簡化，前面已經講過，該膜是由鉻膜3201和金膜3202構成的兩層結構。另外將鋁配線20及除含有表面保護膜31的電鍍基底膜32以外的其它結構省略了，總括起來作為硅基板30。
(1)用保護層40形成基座1101的圖形，在此圖形中用電解鍍膜法形成基座1101。厚度為5μm。為了將保護層作為陽性層使用，電鍍液是酸性硫酸銅浴。
(2)將保護層40剝離，再形成厚約20μm的保護層41。在此狀態下，用主要成分為(NH4)2S2O5和NH4I的腐蝕液，將基座1101的一部分腐蝕掉。
(3)利用保護層41進行電解鍍膜，形成凸起部1102及前端部1103。
(4)將保護層41剝離，用電鍍膜作掩膜，將電鍍基底膜32腐蝕掉。
玻璃基板14的熱膨脹系數為4.6×10-6，數值較小溫度從常溫(20℃)上升到80℃時，半導體元件10與玻璃底板14之間的最大位移約為0.3μm。盡管如此，這個數值將引起凸起部1102發生塑性形變。在凸起部1102產生的最大應力約達15kg/mm2。可是在與基座1101下部的鋁配線20的界面上，以及與前端部1103的導電性粘合劑的界面上，使應力緩解到約0.5kg/mm2。這是使各界面保持安全的足夠小的值。結果通過了從-30℃到85℃的溫度循環試驗。另外，受到破壞的地方是凸起部1102。再者，因予先將基座1101部分腐蝕掉了一部分，所以應力減弱的電鍍連接部分偏離應力最集中的基座1101和凸起部分1102的接點，成為可靠性高的結構。
參照圖8-圖9說明本發明的第2個實施例。
圖8是從斜上方看到的本發明的第2個實施例的局部斜視圖。圖9是從玻璃基板一側看到的第1實施例和本實施例的平面圖。圖8中為了簡單起見，將全部含有鋁配線的半導體元件及玻璃基板省略。同樣的原因，圖9中將含有鋁配線的半導體元件中的結構、凸起的前端部、導電性粘合劑及玻璃底板省略。
在本實施例中，在一個連接處設置若干個凸起。圖8是在平行于熱應力的方向排列3個凸起部11002的實施例。這是3個凸起部公用一個基座11001和一個前端部11003的一種結構。
本發明的制作工序，只是將圖4中的保護層41的圖形改變成有三個穴的圖形，基本上與第1實施例相同，這里從略。
圖9是本實施例的凸起結構。本實施例中的凸起與熱應力平行的寬度與第1實施例相同，另外，3個凸起部11002的垂直于熱應力方向的寬度的總和與第1實施例相同，因此其機械特性與第1實施例相同。可是凸起電極在半導體元件10上所必需的面積，在本實施例中要小一些。因此若保持凸起電極之間的間隙大小相同時，能設置較多的凸起電極，另外，如圖9所示，如果凸起電極數量相同時，電極間的間隙便可取得較大。
凸起部11002的數量，不必是這里說明的3個，可根據需要適當地選擇2個以上即可。
下面說明第2實施例的第1個變形例。與第2實施例不同的是在垂直于熱應力的方向上排列3個凸起部。3個凸起部的作用與平行于熱應力方向的寬度相等，而垂直于熱應力方向的寬度等于這3個凸起沿該方向的寬度之和的單一凸起部的作用相同。
本實施例中只是保護層圖形與和2實施例的不同，因此本實施例的制作工序與第2實施例相同，故從略。
這種結構的優點是凸起部之間有間隙，將樹脂填充在半導體元件和玻璃基板之間后，對于包括對凸起部的間隙進行必要的加工的工序是有利的。
這里說明的凸起部的數量是3個，當然這不是必需的，可根據需要適當地選擇2個以上即可。
再來說明第2實施例的第2個變形例。在與熱應力平行的方向上和垂直方向上，分別排列2個凸起部。其作用與平行于熱應力方向的寬度和4個凸起部相等，而垂直于熱應力方向的寬度等于這四個凸起部沿該方向的寬度之和的單一凸起的作用相同。
本實施例中只是保護層的圖形與第2實施例的不同，因此本實施例的制作工序與第2實施例相同，故從略。
這種結構的優點在于與第2實施例及與第2實施例的第1變形例之間的特性。它具有能使基板部分的面積小的特征，而且對凸起部之間的間隙進行必要的加工有利。
這里說明的凸起部的個數是4個，當然這不是必需的，可根據需要適當地選擇3個以上即可。
下面說明第2實施例的第3個變形例。其結構基本上酷似第2實施例。唯一不同的地方是前端部分離。
本實施例的制作工序與第2實施例相同。但也不完全相同，凸起部電鍍時，要選擇電鍍條件，以使前端部彼此不接觸，電鍍時在保護層圖形上下功夫就能實現。
這種結構的優點與第2實施例幾乎相同。與第2實施例相比，前端部柔軟，能充分地利用導電性粘合劑的柔軟性，具有使應力更加緩解的優點。
這里說明的凸起部的個數是3個，當然這不是必需的，可根據需要適當地選擇2個以上即可。
包括以上3個變形例的第2實施例的共同特征是有許多個凸起，能使凸起部的感應分量小，這在電氣特性中是有利的。這一特征在使用高頻信號的應用中特別可貴。
說明本發明的第3實施例。
在本實施例中，凸起電極最細的部分的橫截面呈橢圓形。
一般來說，掩膜為長方形時，保護層是圓角長方形。在第1實施例及第2實施例中，凸起具有圓角長方形的剖面。在本實施例中，如圖中右側所示，掩膜近似于橢圓形狀，使得感光性樹脂的剖面形狀呈橢圓。取這種形狀時，當熱應力的方向稍微偏離凸起的短邊方向時，熱應力方向沿橫向改變的幅度比長方形小。總之，熱應力方向偏移時，性能劣化得小。
參照圖10至圖13說明本發明的第4個實施例。圖10是本實施例的局部放大剖面圖，圖11A及11B是說明由于基座厚度的不同造成的應力集中情況不同的剖面模式圖，圖12是表示由基座厚度造成的界面應力大小的曲線圖，圖13是表示本實施例的制作方法的工序圖。
圖10是本實施例中的連接部分的放大剖面圖。是平行于熱應力的縱剖面。這里為了簡化，也將半導體元件內部結構省略，只取作硅基板170。在從半導體元件內部引出的鋁配線171的前端部分上，設有表面保護膜172的開口部分，通過電鍍基底膜173，電鍍鎳形成基座17401。電鍍基底膜173由鉻膜17301和金膜17302構成。與以上所述的結構不同，凸起電極174的凸起部17402及前端部17403是由導電性樹脂構成的。這種樹脂是含有微細金粉的環氧樹脂。基座17401的厚度為5μm，凸起部17402的高度為20μm。凸起部的最細部分為2μm。凸起的前端部17403是用含有微細金粉的環氧樹脂的導電性粘合劑175粘接在玻璃底板177上的透明電極176上的。
在本實施例中，因凸起部17402是用樹脂構成的，所以增加了凸起電極174的整體柔軟性，能使連接部分產生的熱應力小。在本實施例中，基座17401不使用樹脂的原因，是因為(1)金屬的剛性大，所以能有效地擴散凸起部分的應力、(2)與樹脂不同，無透水性，能防止水分進入半導體元件內部。這里要研究一下基座的厚度。圖11A及11B所示為模式圖，凸起內的最大應力產生在凸起部和基座的交界附近的凸起部上。如圖中箭頭所示。圖中夸張地表示出形變情況，可清楚地看出，一側被拉伸，另一側被壓縮。如圖11A所示，如果基座18001薄時，在凸起部18002產生的應力不能在薄的基座18001中充分擴散，幾乎大小不變地作用到界面181。與此相反，如圖11B所示，如果基座18201厚時，凸起部18202的應力能充分地在厚的基座18201內部擴散。另一方面，受到厚基座18201和基底184之間因熱膨脹差異而產生的熱應力的作用，圖中在界面183附近用箭頭表示。如圖12所示，在基座和基底的界面上產生的熱應力隨厚度的增加而增大。在凸起部產生的應力隨基座增厚而在界面上擴散變小，逐漸接近一常數。兩者合成后的應力便是界面上產生的最大應力。因此基座有一個與界面上發生的最大應力為最小值相對應的厚度。基座如果采用樹脂，比采用金屬時，應力的擴散能力差，而另一方面，產生的熱應力小。因此采用樹脂基座時，比金屬基座厚一些好。
參照圖13A及13B說明本實施例的制造方法。圖13A表示工序，圖13B表示各工序間的剖面情況。圖中雖然將電鍍基底膜173作為一層膜來表示，但這是簡化的結果，與其它實施例一樣，它是由鉻膜17301和金膜17302構成的二層結構。另外，將包含鋁配線171及表面保護膜172的電鍍基底膜173以外的其它結構省略，總括起來作為硅基板201。
(1)用保護層200形成基座17401的圖形，在此圖形中用電鍍方法形成基座17401。因保護層200采用陽性的，所以電鍍液是酸性瓦特浴。
(2)將保護層200剝掉，再形成厚約20μm的保護層202。然后將表面上已形成了保護層202的硅基板201放入容器(圖中未示出)中，再用旋轉真空泵(圖中未示出)抽出容器中的空氣。
(3)用配合器203，向保護層202的孔上滴下導電性樹脂204。
(4)導入空氣，利用空氣壓力將導電性樹脂204填入保護層202的孔中。
(5)除去保護層202。然后在200℃溫度下進行20分鐘熱處理，使導電性樹脂204硬化，形成凸起部17402及前端部17403。最后以凸起電極174作為掩膜，將電鍍基底膜173腐蝕掉。
制作方法不限于上述方法，還可選用下述方法。
(a)向容器內施加大于大氣壓的壓力，更可靠地壓入。
(b)在進行樹脂硬化的熱處理時，同時進行保護層的分解。
(c)在大氣或真空中，不用配合器，而是用網板印刷的方法，將導電性樹脂涂敷在保護層的孔上。
另外，在本實施例中，基座是采用鎳，當然用銅也可以，還可以采用金、焊錫合金等。鎳比銅難氧化，而且因使用酸性電鍍浴，所以采用鎳。
參照圖14A及14B至圖17說明本發明的第5個實施例。圖14A及14B是用來說明由于凸起部兩端的曲率大小不同而造成的應力集中不同的剖面模式圖，圖15A及圖15B是表示本實施例的制作方法的工序圖。
本實施全是欲使凸起部的基座與前端部的交界部分的曲率大的一種制作方法。首先說明凸起部的基座與前端部的交界部分的曲率大小及其效果。圖14A及14B形象地示出了凸起電極的形狀、最大應力的產生位置、以及最大應力的大小。圖中符號的位置就是最大應力的位置，符號的大小就是最大應力的大小。圖14A是凸起部21002的基座21001與前端部21003的交界部分的曲率小時的情況，圖14B是曲率大時的情況。凸起電極近似于懸臂梁上的應力分布。即應力最大的部位，就是圖中用符號表示的部位。如圖14B所示，當凸起部21002的基座21001與前端部21003的交界部分的曲率大時，應力集中得到緩解。如第4實施例中所述，基座21001上的應力被擴散，凸起部21002內的應力當然有希望變小。本實施例是本發明者為了增大該曲率經研究后實現的。
下面參照圖15A及圖15B說明本實施例的制作方法。圖15A表示工序，圖15B表示各工序之間的剖面情況。圖中將電鍍基底膜222表示為一層膜，這是簡化的結果，與其它實施例一樣，它是由鉻膜和金屬構成的兩層結構。另外將包含鋁配線及表面保護膜的電鍍基底膜222以外的結構省略，總括起來作為硅基板221。
(1)用保護層223形成基座22001的圖形，用電鍍方法在該圖形中形成基座22001。厚度為5μm。因保護層采用陽性的，所以電鍍液是酸性硫酸銅浴。
(2)將保護層223剝離，再形成厚約20μm的保護層224。在此狀態下，用(NH4)2S2O5和NH4I為主要成分的腐蝕液，將基座22001的一部分腐蝕掉。
(3)在氮氣中加熱到110℃，保持30分鐘。保護層224增大了流動性，拐角部分的曲率變大后，成為保護層225。
(4)利用變形后的保護層225進行電鍍，形成凸起部22002及前端部22003。
(5)將變形后的保護層225剝離，用電鍍膜作為掩膜，將電鍍基座膜222腐蝕掉。
本發明的優點是工序簡單。另一方面，其缺點是所得到的曲率隨溫度條件的變化而變化。
其次，參照圖16A及圖16B說明本實施例的第1個變形例。圖16A表示工序，圖16B表示各工序之間的剖面情況。圖中將電鍍基底膜232作為一層膜來表示，這樣表示是為了簡化，與其它實施例一樣，它是由鉻膜和金膜構成的兩層結構。另外，將包含鋁配線及表面保護膜的電鍍基底膜232以外的其它結構省略，總括起來作為硅基板231。
(1)用保護層233形成基座23001的圖形，用電鍍方法在該圖形中形成基座23001。厚度為5μm。因保護層采用陽性的，因此不使用堿性電鍍液。而是使用酸性的硫酸銅浴。
(2)將保護層233剝離，涂敷厚約5μm的曝光前的保護層234。
(3)利用具有黑色部分23601和透明部分23602的玻璃掩膜236進行曝光。光照射部分的保護層變成曝過光的保護層234。
(4)涂敷厚約15μm的曝光前的保護層237。用比玻璃掩膜236窄一些的玻璃掩膜(圖中未示出)對透明部分進行曝光，形成曝過光的保護層238。這時因保護層厚，表面部分稍有點彎曲。
(5)對保護層進行顯影和烘干。烘烤時，一邊烤，保護層一邊流動，使得保護層端部的曲率變大。
(6)在此狀態下，用以(NH4)2S2O5和NH4I為主要成分的腐蝕液將基座23001的一部分腐蝕掉。
(7)放在丙酮和水的體積比為1∶1的混合溶液中浸漬約10秒鐘。顯影后的保護層239及229受到極其微小的腐蝕。這時，拐角部分的腐蝕比平坦部分重一些，形成拐角部分的曲率大的腐蝕過的保護層228及227。
(8)利用腐蝕過的保護層228及227的積層體進行電鍍，形成凸起部23002及前端部23003。
(9)將腐蝕過的保護層228及227的積層體剝離，以基座23001為掩膜，將電鍍基底膜232腐蝕掉。
本實施例的優點是因利用掩膜獲得曲率，所以制作條件變化時，能使所獲得的曲率變化小。相反的方面是需進行多次涂敷保護層、烘干、曝光、工序復雜。
另外，在本變形例中，為了使保護層的角變圓，用丙酮進行了輕微的腐蝕。與利用熱形成曲率相比，保護層因受熱發生質變很小，這一點是有利的。
在本變形例中，保護層分兩個階段，還可再增加階段數，能制作出形狀光滑的凸起。
接著參照圖17A及17B說明本實施例的第2個變形例。在本實施例中，利用濕法腐蝕形成曲率，實現在其它實施例中難以實現的在基座與凸起部的連接部分形成曲率。
圖17A表示工序，圖17B表示各工序之間的剖面情況。圖中將電鍍基底膜241作為一層膜來表示，這樣表示是為了簡化，與其它實施例一樣，它是由鉻膜和金膜構成的兩層結構。另外，將包含鋁配線及表面保護膜的電鍍基底膜241以外的其它結構省略，總括起來作為硅基板240。
(1)用保護層242形成基座24501的圖形，用電鍍方法在該圖形中形成初始凸起243。基座24501的目標厚度為5μm，而初始凸起的厚度約為15μm。因此保護層242的厚度也大約為15μm。
(2)將保護層242剝離，再形成厚約5μm的保護層244。圖形由包圍著已經形成的初始凸起243的部分和覆蓋著初始凸起243的中央部的部分構成。
(3)在此狀態下，用以(NH4)2S2O5和NH4I為主要成分的銅的腐蝕液，將初始凸起243的一部分腐蝕掉。腐蝕作用不僅沿與掩膜垂直的方向進行，而且沿與掩膜面平行的方向進行。結果，初始凸起243的形狀由基座24501和下凸起部24502合成。
(4)將保護層244除去，再形成厚約20μm厚的保護層246。在此狀態下進行電解鍍銅。結果形成上凸起部24503及前端部24504。
(5)將保護層246除去，以基座24501作掩膜，將電鍍基底膜241腐蝕掉。與其它實施例一樣，用I和NH4I的水溶液腐蝕金后，再用K3Fe(CN)6和NaOH水溶液腐蝕掩膜。
本變形例的特征是下凸起部24502和基座24501之間沒有交界。而且在下凸起部24502和基座24501的交界處形成曲率。在其它實施例中，形成這一部分的曲率是困難的，因此這是本實施例的很大優點。另外，凸起呈細長狀，采用電鍍法時會產生電鍍液侵入不良的問題，但是這一點對于用電鍍法只形成凸起部的上半部分的本方法來說是有利的。
但是也有缺點。首先是下凸起部24502的寬度不容易穩定。下凸起部24502的寬度是一個重要尺寸，而采用本方法時，只能依賴停止腐蝕的時間，這就是問題之所在。另外，本方法是在由腐蝕決定的下凸起部24502上，再通過電鍍繼續形成上凸起部24503，所以存在要使兩者的寬度一致的問題，另外還有必須竭力防止兩者位置偏移的問題。應力集中的結果，有時會在上凸起24503和下凸起部24502的界面處斷裂。
本發明的第6個實施例是用電鍍和腐蝕的方法形成基座的例子。參照圖18A及18B來說明。圖18A表示工序，圖18B表示各工序之間的剖面情況，圖中將電鍍基底膜251作為一層膜表示，這樣表示是為了簡化，與其它實施例一樣，它這是由鉻膜和金膜構成的兩層結構。另外，將包含鋁配線及表面保護膜的電鍍基底膜251以外的其它結構省略，總括起來作為硅基板250。
(1)用電解電鍍法形成銅的全面電鍍膜252。膜厚約為5μm。
(2)涂敷感光性樹脂，再蓋上玻璃掩膜253。被掩膜的黑色部分25301遮住的部分不被曝光，而作為保護層253留下來，被掩膜的透明部分25302遮住的部分，形成曝光后的保護層255。
(3)因使用陽性保護層，所以顯影后只留下曝過光的保護層255。在此狀態下，用以(NH4)2S2O5和NH4I為主要成分的銅的腐蝕液，對電鍍膜252全面進行腐蝕。結果留下凸起的基座25601。已經講過，濕法腐蝕不僅會沿垂直于掩膜的方向進行，而且還沿平行于掩膜面的方向進行。因此如圖所示，在基座25601周邊形成光滑的斜面，有助于緩解應力。
(4)形成厚約20μm的保護層257，往其孔中注入銅的腐蝕液，將基座25601的一部分腐蝕掉。
(5)進行銅的電解電鍍。結果形成凸起部25602及前端部25603。
(6)除去保護層257，以基座25601作掩膜，將電鍍基座膜251腐蝕掉。
在本實施例中，是用腐蝕法形成基座，因此像已經說過的那樣，基座的下部寬，這是一個特征。另外，在制作非常細的凸起時，采用通過掩膜上的孔進行電鍍的方法，會使電鍍液注入不完全，容易產生電鍍不良的問題，但即使是這樣，本方法也是有利的。
下面參照圖19說明本發明的第7個實施例。
現以在液晶顯示元件用的玻璃基板上直接安裝激發液晶用的半導體元件的COG(玻璃載板)實際安裝方式為例進行說明。
圖19示出了液晶顯示元件的外觀簡圖。在玻璃基板260的中央部位形成液晶顯示部分261，從液晶顯示部分261沿縱橫方向引出配線。在個人計算機用的彩色液晶顯示元件的情況下，配線262的條數為縱向480條，橫向為640個光點×3原色計1920條。利用這些配線262，將激發液晶用的半層體元件263、一個一個地按比例安裝在驅動液晶顯示部分261用的160根掃描線上。
玻璃基板260上的配線用ITO(銦-錫的復合氧化物)形成，連接用的電極基板排列配置在半導體元件外周部分。半導體元件263的電極基板的間距約為50微米。
連接間距這樣微小的電極基板的方法，通常是使用各向異性導電的薄膜的方法。
這種方法是將其中含有分散的導電性粒子的各向異性導電的薄膜插入半導體元件和玻璃基板之間，通過加壓、加熱進行連接。連接時通過加壓，將插在半導體元件一側的電極基板和玻璃基板一側的電極之間的導電性粒子擠緊，將上下電極連接起來。其它部分中的導電性粒子在薄膜中處于懸浮狀態，不會導通。
這種方法是連接微小間距的行之有效的方法。但是當溫度周期性變化時，可靠性等方面會出現問題。
現說明本實施例中使用的凸起。
該凸起電極具有與半導體元件連接面相平行的剖面，呈橢圓形，剖面的長邊和短邊之比大于1，呈板狀。由于將凸起電極作成這種形狀，則沿與剖面的長邊平行的方向施加負載時，剛性大，不易變形。可是若沿與剖面的短邊平行的方向施加負載時，剛性小，易變形。另外，由于作成這種形狀，在確保必要的剛性和柔軟性之后，可使凸起電極的導電剖面積最大，因此用導體(例如銅)制作凸起電極時，可使導通電阻小。
由于將凸起電極前端設計成蘑菇狀的頭部，所以容易與玻璃基板側電極基板連接，可提高連接后的強度。
現說明使用這種凸起電極的實際裝配結構。
在本半導體元件實際裝酸結構中，在將排列在半導體元件連接面的內外周部分的半導體元件側電極基板和與其相對設置的玻璃基板側電極基板連接起來時，在兩者之間使用凸起電極。該凸起電極一個一個地配置在全部半導體元件側電極基板上，且使全部凸起電極中與半導體連接面平行的剖面的短邊相平行的方向朝向接頭中心。
由于這樣配置，使液晶顯示元件工作時由于半導體元件發熱，以及半導體元件與玻璃基板之間的熱膨脹的差異而產生位移，利用凸起電極的形變，就能抵消上述位移。而對半導體元件施加外力時，作為整體具有很大的剛性，所以不易變形，可靠性高。
再者，即使玻璃底板和半導體元件的熱膨脹的差異變化時，也能因這種凸起電極形狀的變化，使半導體元件的大小和凸起電極的高度相適應。
說明本發明的第8個實施例。
在一個電極基板上形成多個凸起電極，用它來連接半導體元件側電極基板和玻璃底板側電極基板，可獲得可靠性高的連接結構。
作為在單一電極基板上配置許多凸起電極的形態，可列舉出格子狀配置形態、沿著朝向接頭中心方向排成一排的配置形態、以及沿著朝向接頭中心方向并排配置形態等。
上述各種情況，都是這樣配置各凸起電極，即使其與半導體元件側連接面平行的剖面的長邊方向指向接頭中心。這許多凸起電極都能分別地形成蘑菇狀的頭部。另外，將許多凸起電極的頭部匯合成一個單一頭部，容易與玻璃基板側電極基板連接。而且對于將凸起電極配置成格子狀、以及朝向接頭中心方向排成一排的配置結構來說，由于形成單一的頭部，則當因熱膨脹而產生位移時，因頭部與半導體元件側電極基板平行移動，減小了加在頭部與電極基板間的連接部位上的剝離方向的應力。
凸起電極的材料是導電性的，只要具有能最低限度地保持半導體元件的強度，什么材料都可以。從導電性、強度、易形成等方面來看，可以認為用銅形成凸起電極最好。可是，利用其本身無導電性能的材料(例如樹脂)形成凸起電極，在其外面鍍一層導電性物質，也可以導通。另外，用樹脂形成凸起電極，再在凸起電極內部開一個從半導體元件側電極基板通向玻璃基板側電極基板的通孔，將金屬等導電性物質涂敷在通孔內部，也可以導通。
還可以將導電性粒子分散在樹脂中，再用這種導電性樹脂形成凸起電極。
說明本發明的第9個實施例。
現說明將在半導體元件側電極基板上形成的凸起電極與玻璃基板側電極基板連接起來的方法。
一種方法是將各向異性導電的薄膜張貼在玻璃底板側連接面上。然后將半導體元件側電極基板上形成的凸起電極置于上述薄膜上，擠壓玻璃底板側，使各向異性導電膜中的導電粒子變形，得以導通。在此狀態下加熱，使薄膜固化。
再一種方法是，首先用印刷方法將導電糊劑(如銀糊劑或金糊劑)涂敷在玻璃基板側電極基板上。然后在它上面配置好半導體元件側電極基板上形成的凸起電極，連接起來。然后加熱，使導電糊劑固化。
如果凸起電極采用耐蝕性差的材料時，可在安裝后的玻璃基板上涂敷潤濕性好的樹脂，將凸起電極周邊全面包住，作為耐蝕被膜，可提高凸起電極的耐蝕性能。
參照圖20說明本發明的第10個實施例。
本實施例是用腐蝕法制作由導電性樹脂構成的凸起電極。
前一半工序與第6實施例相同，這里從略。以下從圖18A之(3)的工序終了狀態開始往下說明。
(1)涂敷混入了導電粒子的樹脂330，厚約20μm。用光刻法或其它方法，在基座33101的正上面形成厚約1μm的橢圓圖形332。
(2)用波長為258nm的紫外線激光(強度約0.6J/cm2)照射。利用光的繞射現象，形成如圖所示的凸起部33102及前端部33103。然后將電鍍基底膜333腐蝕掉，完成凸起電極331。
在本實施例中，與第6實施例相同，是用腐蝕方法形成基座33101，所以基座33101的下部寬，是它的一個特征。另外制作非常細的凸起時，采用通過掩膜上的孔進行電鍍的方法，雖然容易產生樹脂注入不完全、形成不了凸起的問題，但即使這樣，本方法也是有利的。
參照圖21說明本發明的第11個實施例。
(1)在用聚酰亞胺制成的可撓性薄膜340上形成由厚約20μm的銅箔構成的配線圖形341。為了增大粘接力，在銅箔34101和可撓性薄膜340之間插入厚約3μm的鉻膜34102。
(2)與第6實施例相同，使用陽性保護層，用玻璃掩膜(圖中未示出)形成腐蝕圖形342。在此狀態下，用銅的腐蝕液腐蝕銅箔34101。結果留下鉻膜34102，形成同時用作凸起的基座34301和配線層344的構件。同時形成下凸起部34302。
(3)形成厚約20μm的保護層345，往其孔中注入銅的腐蝕液，腐蝕基座下凸起部34302的前端。這是為了確保粘接力。然后進行銅的電解電鍍。結果形成上凸起部34303及前端部34304。
(4)除去保護層345。
本實施例不是在半導體元件上、而是在可撓性薄膜上形成凸起電極，不需要對半導體元件作任何的加工處理，這一點是有利的。如前所述，采用原有的技術時，銅箔的加工精度自然會受到間距的限制。
第12個實施例是將第5實施例中所述的形成曲率在的凸起電極的半導體元件351安裝在樹脂底板或印刷底板上的一種結構。
圖22示出了外觀。因印刷板350的熱膨脹系數大，所以必須采用連接部位的應力緩和效果大的結構。采用第5實施例的凸起電極時，能確保充分地可靠性。最后將印刷板收入組件中，作成IC插件。
說明本發明的第13個實施例。
圖23A及23B是從斜下方看到的本發明的第13實施例的斜視圖。
在本實施例中，說明省略了基座402的凸起電極結構。
在前面所述的實施例中，如圖23A所示，已講過有關在基座402上設置一個或多個凸起電極403的實際裝配結構。然而這種實際裝配結構要進行兩次以上的光學處理，因此凸起電極的制作工序復雜，制作成本高。
可是在本實施例中，如圖23B所示，將基座402省略。由于采用這種結構，基底上的鋁配線的終端部401和凸起電極403的結合面積減小了，因而兩者的結合強度也減小了。但是，由于省略了基座402，而凸起電極的頭部4032沒有變，凸起部4031的長度增加了，所以能使碰撞時產生的應力小。再者，在本實施例的凸起電極結構的制作工序中，能減少光學處理的次數，所以工序可以簡化，還可降低成本。
下面說明本實施例的制作方法。
圖24是本發明的第13實施例的制作方法說明圖。
為了制作這種凸起電極，首先在硅基板410表面上涂敷厚約5μm的保護層411。將具有比欲制作的凸起電極尺寸大的透明部4121的玻璃掩膜412配置在硅基板410上的連接電極部位，并曝光。被光照射的那部分保護層形成曝過光的保護層413。在它上面再涂敷厚15μm的曝光前的保護層414，再放上具有與欲制作的凸起電極的縮頸部大小一致的透明部4151的玻璃掩膜415，并曝光，在相當于凸起電極的縮頸部位形成曝過光的保護層416。
對保護層進行顯影及烘烤。顯影時，對兩個階段曝過光的保護層413、416同時顯影。烘烤時保護層稍有流動，保護層的端部曲率417變大。再進行熱處理，使保護層端部的曲率418加大。
利用該保護層的積層體進行電解電鍍，形成凸起電極419。
將保護層的積層剝離，以凸起電極下表面作掩膜，將電鍍基底膜腐蝕掉。
這樣就形成了本實施例的凸起電極419。
如果采用本發明，則能緩解因電子零件與配線底板之間的熱膨脹差異而引起的應力，因此能獲得壽命長、可靠性高的電子零件裝配模件。
權利要求
1.電子零件裝配模件具有配線底板、以及通過該配線底板上的多個凸起電極群連接的電子零件，其特征為連接該電子零件的多個凸起電極群中2個以上的凸起電極，在與該電子零件的連接面和與該底板的連接面之間有縮頸部，該縮頸部的橫截面的縱向尺寸和橫向尺寸或短徑和長徑尺寸不同。
2.根據權利要求1所述的電子零件裝配模件，其特征為該多個凸起電極群沿該電子零件的外周或邊配置。
3.根據權利要求1所述的電子零件裝配模件，其特征為該縮頸部的橫截面的縱向尺寸或短徑比橫向尺寸或長徑小，該縮頸部的橫向或長徑沿該電子零件的外周或邊配置。
4.根據權利要求1所述的電子零件裝配模件，其特征為該縮頸部的橫截面大致呈矩形。
5.根據權利要求1所述的電子零件裝配模件，其特征為該縮頸部的橫截面大致呈橢圓形。
6.根據權利要求2所述的電子零件裝配模件，其特征為該凸起電極群中位于該電子零件的角部的凸起電極的縮頸部的橫向或長徑相對于該角部交叉配置。
7.根據權利要求1所述的電子零件裝配模件，其特征為該凸起電極群大致圍繞著該電子零件安裝面的中心配置。
8.根據權利要求3所述的電子零件裝配模件，其特征為該凸起電極群中位于該電子零件的角部的凸起電極的縮頸部的橫向或長徑相對于該角部交叉配置。
9.半導體元件裝配模件具有配線底板、以及通過該配線底板上的多個凸起電極群連接的半導體元件，其特征為連接該半導體元件的該多個凸起電極群，在與該半導體元件的連接面和與該底板的連接面之間有縮頸部，該縮頸部的厚度尺寸和寬度尺寸或短徑和長徑尺寸不同。
10.根據權利要求9所述的半導體元件裝配模件，其特征為該縮頸部的厚度尺寸或短頸比寬度尺寸或長徑小，該縮頸部的橫向或長徑沿該半導體元件的外周或邊配置。
11.根據權利要求9所述的半導體元件裝配模件，其特征為該多個凸起電極群沿該半導體元件外周或邊配置。
12.根據權利要求9所述的半導體元件裝配模件，其特征為該縮頸部的厚度尺寸比寬度尺寸小，該縮頸部的橫向沿該半導體元件的邊配置。
13.根據權利要求9所述的半導體元件裝配模件，其特征為該凸起電極群中位于該半導體元件的角部的凸起電極的縮頸部的橫向或長徑相對于該角部交叉配置。
14.根據權利要求9所述的半導體元件裝配模件，其特征為該縮頸部的橫截面大致呈矩形。
15.根據權利要求9所述的半導體元件裝配模件，其特征為該縮頸部的橫截面大致呈橢圓形。
16.根據權利要求9所述的半導體元件裝配模件，其特征為該凸起電極群大致圍繞該半導體元件安裝面的中心配置。
17.根據權利要求9所述的半導體元件裝配模件，其特征為該縮頸部的橫截面呈橢圓形。
18.電子零件裝配模件具有配線底板和通過該配線底板上的多個凸起電極群連接的電子零件，其特征為連接該電子零件的該多個凸起電極群，在與該電子零件的連接面和與該底板的連接面之間有縮頸部，該縮頸部的橫截面的縱向尺寸或短徑比橫向尺寸或長徑小，而且該縮頸部的橫向或長頸沿該電子零件的外周或邊配置。
19.根據權利要求18所述的電子零件裝配模件，其特征為該縮頸部的橫截面大致呈橢圓形。
20.根據權利要求18所述的電子零件裝配模件，其特征為該縮頸部的橫截面大致呈矩形。
21.電子零件裝配模件具有配線底板和與應安裝在該配線底板上的電子零件的連接面對應的多個凸起電極群，其特征為該多個凸起電極群中2個以上的凸起電極在與該電子零件的連接面和與該底板的連接面之間有縮頸部，該縮頸部的橫截面的縱向尺寸和橫向尺寸或短頸和長徑尺寸不同。
22.根據權利要求21所述的電子零件裝配模件，其特征為該縮頸部的厚度尺寸或短徑比寬度尺寸或長徑小，該縮頸部的橫向沿該電子零件的邊配置。
23.根據權利要求21所述的電子零件裝配模件，其特征為該多個凸起電極群沿該電子零件的外周或邊配置。
24.根據權利要求21所述的電子零件裝配模件，其特征為該縮頸部的橫斷面的縱向尺寸或短徑比橫向尺寸或長徑小，該縮頸部的橫向沿該電子零件的外周或邊配置。
25.根據權利要求21所述的電子零件裝配模件，其特征為該縮頸部的橫截面的縱向尺寸或短徑比橫向尺寸或長徑小，該縮頸部的橫向或長徑沿該電子零件的外周或邊配置。
26.根據權利要求21所述的電子零件裝配模件，其特征為該凸起電極群中位于該電子零件的角部的凸起電極的縮頸部的橫向或長徑相對于該角部交叉配置。
27.根據權利要求21所述的電子零件裝配模件，其特征為該縮頸部的橫截面大致呈矩形。
28.根據權利要求21所述的電子零件裝配模件，其特征為該縮頸部的橫截面大致呈橢圓形。
29.電子零件裝配模件具有配線底板和連接應安裝在該配線底板上的電子零件用的多個凸起電極群，其特征為該多個凸起電極群在與該電子零件的連接面對應的連接面和與該底板的連接面之間有縮頸部，該縮頸部的橫截面的縱向尺寸或短徑比橫向尺寸或長徑小，而且該縮頸部的橫向或長徑沿該電子零件的外周或邊配置。
30.根據權利要求29所述的電子零件裝配模件，其特征為該縮頸部的橫截面大致為橢圓形。
31.根據權利要求29所述的電子零件裝配模件，其特征為該縮頸部的橫截面大致呈矩形。
32.根據權利要求29所述的電子零件裝配模件，其特征為該凸起電極群大致圍繞該電子零件的安裝面的中心配置。
33.電子零件裝配模件具有配線底板和連接應安裝在該配線底板上的電子零件用的多個凸起電極群，其特征為該凸起電極群在與該電子零件的連接面對應的連接面和與該底板的連接面之間有縮頸部，該凸起電極群中2個以上凸起電極被該電子零件的外周或邊方向分成若干個，該縮徑部的橫截面的縱向尺寸或短徑比外周方向或邊方向的合計尺寸小，而且該縮頸部的橫向或長徑沿該電子零件的外周或邊配置。
34.電子零件裝配模件具有配線底板和連接應安裝在該配線底板上的電子零件用的多個凸起電極群，其特征為該多個凸起電極群在與該電子零件的連接面對應的連接面和與該底板的連接面之間有縮頸部，該縮頸部的橫截面的縱向尺寸或短徑比橫向尺寸或長徑小，而且該縮頸部橫向或長徑沿該電子零件的外周或邊配置2列以上。
35.電子零件裝配模件具有電子零件和應將該電子零件安裝在配線底板上用的多個凸起電極群，其特征為該多個凸起電極群在與該配線底板的連接面對應的連接面和與該電子零件的連接面之間有縮頸部，該縮頸部的橫截面的縱向尺寸或短徑比橫向尺寸或長徑小，而且該縮頸部的橫向或長徑沿該配線底板的外周或邊配置2列以上。
36.根據權利要求1所述的電子零件裝配模件，其特征為上述凸起電極的高度為10-30微米。
37.根據權利要求1所述的電子零件裝配模件，其特征為上述凸起電極與上述電子零件或上述底板的連接部的厚度為2-10微米。
38.根據權利要求37所述的電子零件裝配模件，其特征為上述連接部至少在上述電子零件或上述底板兩者中的一個上形成。
39.根據權利要求1所述的電子零件裝配模件，其特征為上述凸起電極到上述電子零件及上述底板的最遠部分，長徑為10-100微米，短徑為長徑的30-80%。
40.根據權利要求1所述的電子零件裝配模件，其特征為上述凸起電極是銅、金、銀或鋁中的任意一種。
41.根據權利要求1所述的電子零件裝配模件，其特征為上述凸起電極是鉛、銦、錫、鉍或以這些金屬中的至少兩種以上為主要成分的合金中的任意一種。
42.根據權利要求1所述的電子零件裝配模件，其特征為上述凸起電極是導電性樹脂或含導電性粒子的樹脂。
43.將電子零件和配線底板相對設置，用導電性凸起電極將上述電子零件和上述配線底板連接起來的電子零件裝配模件，其特征為用印刷方法只向上述凸起電極同上述電子零件及上述配線底板的連接部分供給導電性粘合劑，使之連接起來。
44.液晶顯示裝置的特征是具有權利要求1所述的結構。
45.IC插件的特征是具有權利要求1所述的結構。
全文摘要
提供一種電子零件裝配模件，它具有配線底板和通過該配線底板上的多個凸起電極群連接的電子零件或半導體元件，連接電子零件的上述多個凸起電極群中2個以上凸起電極在與電子零件的連接面和與底板的連接面之間有縮頸部，該縮頸部的橫截面的縱向尺寸和橫向尺寸或短徑和長徑不同，同時縮頸部的橫向或長徑沿電子零件的外周或邊配置，用印刷導電性粘合劑的方法將相對配置的電子零件和配線底板同導電性凸起電極連接起來。
文檔編號H05K3/40GK1067138SQ9210344
公開日1992年12月16日 申請日期1992年5月9日 優先權日1991年5月9日
發明者細川隆, 井上広一, 澤畠守, 福岡正樹 申請人:株式會社日立制作所