專利名稱:制造低成本鑄型準直儀組件的簡化方法
技術領域：
本發明基本涉及用于高能成像和其它放射成像系統的設備，更特別地，涉及ー種準直儀設備和制造方法。
背景技術：
放射成像系統普遍用于醫療和エ業目的，例如用于X射線計算機斷層成像技術(CT)。在CT系統中,X射線源投射扇形束,所述扇形束被準直使之位于笛卡爾(Cartesian)坐標系的X-Y平面中，該平面術語稱為“成像平面”。X射線束隨后穿過要被成像的物體，例如內科患者，并撞擊多行多列檢測器陣列。
ー些CT系統利用帶有準直儀的CT檢測器，所述準直儀由單個的高密度、高原子序數板，如鎢板，以及與所述板成90度角的高密度、高原子序數的線制造。所述板用于消除損 害CT圖像質量的散射X射線。
準直儀組件中的鎢板具有200微米的寬度尺寸。該寬度所需的材料比正好準直散射X射線所需材料更多。然而，為了準直儀的第二功能，即屏蔽閃爍體的邊緣、屏蔽反射體材料和屏蔽光敏ニ極管，需要所述寬度尺寸。為了有效準直散射的放射線，準直儀組件還設計為具有ー個高的縱橫比，即高度(或在y方向上的總厚度)長度(或X方向上的總間距)的比。所述縱橫比導致比屏蔽X射線穿透所需深度更大的深度(在y方向上)。
CT檢測器還使用由有機反射體合成物組成的反射體,所述有機反射體合成物位于閃爍體之間的間隙中。反射體由有機反射體合成物組成或由多層組成，其中的一層是鉛或其他X射線高吸收材料。這些反射體最多適度地衰減已散射的X射線。反射體的合成物結構使其在制造和使自身成為具有小間隙的單元時存在困難。在有機反射體合成物中的高X射線衰減色素中，已經發現這些結構的可選結構，但是它們自身在衰減散射的X射線中仍存在困難。這些困難來自能夠裝載入有機反射體合成物的衰減色素最大數量和對反射體總反射率的影響。
因此，需要ー種準直儀組件，其在可制造性和成本方面有所改善，并可將準直儀功能分成散射準直和X射線屏蔽，并依次使每個功能最優化，改進檢測器總的性能。
發明內容
根據示意性實施例，提供了一種制造準直儀組件的方法。該方法包括將第一層附著到第二層，井形成貫穿已附著的第一層和第二層的通道。第一層和第二層附著在一起定義了準直儀組件的總厚度。第一層的厚度范圍從總厚度的大約5%到大約10%。
根據另ー示意性實施例，提供了一種制造用于高能成像系統的準直儀組件的方法。該準直儀組件包括外層和內層。該方法包括在外層和內層設定孔洞。在設定孔洞之后，將外層連接到內層。在兩層連接之后，通過外層的孔洞將部分內層移除。內層的移除部分形成貫穿外層和內層的通道。
參考示意圖，其中在附圖中，相同元件由相同附圖標記編號
圖I示出了根據本發明實施例的準直儀組件的示意性實施例的剖視圖；
圖2示出了根據本發明實施例的包括準直儀組件的CT檢測器模塊的示意性實施例的剖視圖；
圖3示出了根據本發明實施例的準直儀組件的第一層的示意性實施例的頂視圖；
圖4示出了圖3所示的第一層的剖視圖。
圖5和圖6示出了根據本發明的示意性實施例的準直儀組件的第二層的示意性實施例的頂視圖；
圖7示出了根據本發明實施例的準直儀組件的示意性實施例的剖視圖；和
圖8示出了根據本發明實施例的準直儀組件的另ー示意性實施例的剖視圖。 具體實施方式
本發明的實施例提供了一種用于高能成像系統中的多部件準直儀組件，所述高能成像系統例如用于醫學應用中的多層計算機斷層掃描(CT)X射線檢測器。運用高能系統的エ業應用可以包括，X射線投影檢測器、核伽瑪攝像機檢測器和行李掃描檢測器。雖然在此描述的實施例將X射線作為示意性電離輻射，但是應當意識到該公開的發明還可以應用于其他高能電離福射，例如伽瑪射線、高能電子(beta)射線或者高能帶電粒子(在核物理和空間望遠鏡領域中會遇到的那些)。同樣地，在此描述的用于作為示意性電離輻射的X射線的高原子序數、高密度材料，還可以用于上面討論的其他高能電離輻射。因此，該公開的發明不局限于X射線檢測或醫學應用的實施例。
在根據本發明的一個實施例的示意性實施例中，準直儀組件可以包括連接在一起的“薄”的第一層和“厚”的第二層。具有精確形成的孔洞的第一層，可以實質上作為掩摸，并通過其移除在第二層中粗糙形成的孔洞中的材料。這種材料的移除形成了延伸貫穿已連接的第一層和第二層的精加工(finished)通道。
圖I是根據本發明實施例的準直儀組件100的示意性實施例。準直儀組件100包括兩個置于第二層20相對面的第一層10。在可選的實施例中，ー個第一層10可以連接到第二層20上，或者兩個以上的第一層10或第二層20可以互相連接。
如在此所用，術語“總厚度”指的是整個準直儀組件的厚度“T”，而不考慮其具有第一層10或第二層20的數量。僅為了說明目的，圖I描述了兩個第一層10和ー個第二層20。
在一示意性實施例中，第一層10的厚度“h”(在y方向)范圍可以為準直儀組件100的總厚度的約5%到約10%。在可選實施例中，第一層10可以具有優選近似為總厚度的5%或不多于10%的厚度“h”。在示意性實施例中，其中可能有不止ー個第一層10，這些層可能具有相同的厚度，或者可能如在圖8中示意性實施例所示的具有不同的厚度。一般而言，在相對意義上，可以認為第一層在y方向或X射線方向上是“薄”的。相反地，可以認 為第二層20在y方向或X射線方向上相對準直儀組件100的總厚度是“厚”的。
在示意性實施例中，準直儀組件100總厚度“T”的范圍從約I厘米到約6厘米。準直儀組件100在X方向上基本與厚度方向垂直的長度“L”，可以近似是O. 5-2米。在可選實施例中，準直儀組件100可以分部件制造，組裝所述部件以達到總長度。[0024]與前述具有較高縱橫比(y方向/X方向比例)的其它準直儀組件相比，本發明的準直儀組件100提供了一個穿透方向深度，所述穿透方向深度同樣適于有效地屏蔽CT系統的閃爍體、反射體或光敏ニ極管，因為目前CT檢測器準直儀的屏蔽總量遠遠大于所需量。
圖2示出了包括準直儀組件100的CT檢測器模塊的示意性實施例。參考圖2，非散射X射線202穿過準直儀組件100。在X射線方向上將X射線202發射到閃爍體陣列204上，在閃爍體陣列204的面板之間具有反射體206。然后，包括光敏ニ極管210的光耦合器208接收閃爍體可見光子212。在閃爍體陣列204、光耦合器208和光敏ニ極管210的作用下，電離福射轉換成光能量，隨后轉換成代表該撞擊電離福射的電信號。
在圖3和圖4中示出了根據本發明實施例的準直儀組件100的第一層10的示意性實施例。在此，第一層10示為柵格狀結構，然而，應當意識到柵格狀結構僅僅為了說明的目的，并且適于在此處所述目的的任何結構都可以用于第一層10。柵格10包括以直線形式 排列、基本垂直于柵格10外邊緣16的邊界14。在可選實施例中，邊界14可以配置成大量圖案結構中任ー結構，包括但不局限于，相對柵格10的外邊緣16基本對角線配置的圖案。
在示意性實施例中，邊界14的尺寸“t”的范圍可以從約10微米(μπι)到約500微米(μπι)。在其它示意性實施例中，“t”的范圍可以從約25 μ m2到20 μ m2。在其它示意性實施例中，“t”的范圍可以從約50 μπι到約200 μπι。在又一些其它示意性實施例中，“t”的范圍可以從約50 μπι到約100 μπι。參考圖3和圖4，在第一層10中，邊界14具有近似相同的尺寸“t”。然而，在可選實施例中，在第一層10中“t”可以不同。在示意性實施例中，尺寸“t”的精確度范圍可以從約±2 μπι到約±50 μπι。
圖3中示出的柵格10的邊界14，在邊界14之間形成了開ロ 12。參考圖3，柵格10的開ロ 12大體上是正方形的并具有近似相同的尺寸，然而，應當意識到該正方形的結構僅是為了說明的目的，并且任何適于在此公開的目的的結構都可以用于第一層10的開ロ 12。例如，開ロ 12可以為其他形狀，包括但不局限于直線、六邊形、八邊形、圓形、橢圓形等。第ー層10上的開ロ 12的尺寸可以全部相同或者不同。
圖3中示出的第一層10的示意性實施例的開ロ 12可以認為是“精加工的”或“精確的”，因為邊界14的邊緣基本上是平坦和光滑的。進ー步的說明，包括如何在第一層10上形成這些“精加工的”開ロ 12，將在隨后進行更詳細地討論。
圖3所示中的柵格10的開ロ 12相對于柵格10的外邊緣16排列成行和列，然而，應當意識到行和列的結構僅是為了說明的目的，并且任何適于此處所述目的的結構都可以用于排列第一層10的開ロ 12。例如，在可選實施例中，開ロ 12可以是大量圖案結構中任一結構，包括但不局限于基本對角形圖案。
在另ー示意性實施例中，開ロ 12的尺寸“h”與開ロ 12的尺寸“w”的比例范圍可以從約I : I到約I : 4。在其他示意性實施例中，比例“h/w”的范圍可以從約I : 2到約I 4。在又一些其他示意性實施例中，比率“h/w”的范圍可以從約I : 2到約I : 3。例如，圖4中示意性實施例的剖視圖示出了開ロ 12 “h”與開ロ 12 “w”的比例近似為I : 2。
如圖3示意性實施例中最佳顯示，開ロ 12的拐角包括由基本正交的邊界14形成的角度，所述拐角基本是直角。在可選實施例中，拐角可以包括半徑。圖4中第一層10的示意性實施例最佳示出了邊界14,所述邊界14包括互相基本成直角的邊緣，即，y方向上的邊緣與X方向上的邊緣。在其他可選實施例中，邊界14可以包括削邊。[0033]在又一示意性實施例中，開ロ 12的面積(例如，W2)的范圍可以從近似10平方微米(μπι2)到500平方微米(μπι2)。在其他示意性實施例中，開ロ的面積的范圍可以從約50 μ m2到約200 μ m2。在又一些其他示意性實施例中，比例“h/w”的范圍可以從約50 μ m2到約ΙΟΟμπι2。在又一示意性實施例中，開ロ 12之間的中心到中心位置距離的精確度范圍可以從約±2μηι到約±50 μπι。
圖5和圖6描述了根據本發明一個實施例的，處于不同放大倍數的準直儀組件100的第二層20的示意性實施例的視圖。第二層20包括由形成在那里的邊界15形成的開ロ13。圖5示出了基本上為正方形圖案的開ロ 13，圖6示出了基本上為矩形的開ロ 13。
在圖5和圖6中示出的第二層20的示意性實施例的開ロ 13，可以認為是“粗糙的”或“不精確的”，因為邊界15的邊緣基本上是不平坦和不光滑的，例如，當與上面討論的第 ー層10的開ロ 12相比吋。進ー步的說明，包括如何在第二層20上形成這些“粗糙的”開ロ 13和邊界15，將在隨后進行更詳細地討論。
如上述對第一層10的討論，第二層20的開ロ 13可以為其它形狀，包括但不局限于直線、六邊形、八邊形、圓形、橢圓形等。同樣，如上述對第一層10的討論，第二層20的開ロ 13和邊界15的圖案結構，可以包括直線形或對角線形。就是說，第二層20的開ロ 13可以與第一層10的開ロ 12基本相匹配，其中第二層20可以附著到所述第一層10。
與第一層10的開ロ 12的尺寸和圖案結構相匹配形成的第二層20的開ロ 13，也可以認為是“不精確的”，因為第二層20的邊界15的尺寸“ t2”可以大于第一層10的邊界14的尺寸“t”。可選地，第二層20的“不精確的”開ロ 13的尺寸“w2”可以小于第一層10開ロ 12的尺寸“w，”。在示意性實施例中，例如，如果因為與圖3中所示柵格10相匹配形成，而認為如圖5中所示第二層20是“不精確的”，而將柵格10覆蓋在第二層20上，則經由第ー層10的開ロ 12可以看到第二層20的邊界15。
圖7示出了本發明實施例中的兩個第一層10的示意性實施例的剖視圖，兩個第一層10置于第二層20的相對側。這里，形成的第二層20的開ロ 13貫穿第二層20的厚度延伸并基本與第一層10的開ロ 12對準。第二層的這些延伸開ロ 13置于第二層20材料的列24之間。
貫穿第二層20的開ロ 13可以基本如圖7的示意性實施例中所示形成。在可選實施例中，開ロ 13可以包括位于第二層20的開ロ 13中的物體，如圖8中根據本發明的實施例的準直儀組件100的另ー實施例的準直儀組件100的示意性實施例中最佳所示。例如，該物體可以包括形成第二層時形成的網或人造物品。在其他示意性實施例中，該物體可以是多個第二層20附著在一起以形成準直儀組件100的結果。位于第二層20的開ロ 13中某處的物體，可以進ー步導致第二層20的開ロ 13或第二層20自身被認為是“粗糙的”或“不精確的”。
當第一層10和第二層20相附著并且開ロ 12和開ロ 13分別對準時，例如在圖7中所示，第一層10的開ロ 12基本上界定了形成在準直儀組件100中的通道22的邊界。參考圖7，當從第一層10在y方向上觀察已附著的第一層10和第二層20的已對準的開ロ 12和13時，可能有未被第一層10邊界14 “遮蔽”住的第二層20的材料，或者換句話說，可能在開ロ 13中觀察到第二層20的材料。如上討論的，該觀察到的“不精確”的第二層20的材料可能來自第二層20的列24或來自開ロ 13中的物體。[0041]為了形成準直儀組件100的通道22，需要時可以移除第二層20的開ロ 13中觀察到的第二層20的材料。在實施例中，較精確的第一層10可以實質上用作掩模以移除較不精確第二層20的材料以形成準直儀組件100的通道22。移除材料之后，延伸并貫穿于第一層10的開ロ 12和第二層20的開ロ 13之間的通道22可以認為是“精加工”或“精確”形成的。在圖I中最佳示出了在移除第二層20的材料之后形成的通道22的一示意性實施例。隨后將更詳細地討論如何通過移除材料而形成通道22。
如圖I中所示，準直儀組件100的通道22的長度可以定義為準直儀組件的總厚度“T”(在y方向)。在示意性實施例中，通道22的長度“ T”與通道22的寬度或基本上通道22的開ロ 12的尺寸“w”的比率，可以近似為5 I到40 I。在其它示意性實施例中，t匕例“T/w”可以是近似5 1-10 I。在 又一些其它示意性實施例中，比例“T/w”可以是近似7 I。低于5 I的比例通常不能對X射線的準直提供足夠的深度，但是可以用于適于在此公開的目的和如應用所需的準直儀組件100的可選實施例和結構中。
還提供了根據本發明實施例的制造準直儀組件的方法的示意性實施例，其中如前討論的，為了說明的目的，所述準直儀組件包括第一層和第二層。在示意性實施例中，第一層可以基本上用作掩模以移除第二層20的材料從而形成準直儀組件100的通道22。
參考圖7，用包括但不局限于層壓、擴散粘結、膠接、熱粘結、熔銅焊、錫焊或任何其它適于此處所述目的的附著手段，可以將第一層10和第二層20不可移動的附著在一起。如上所述，在將第一層10附著到第二層20后，第一層10厚度“h”的范圍可以是準直儀組件100的總厚度“T”的約5%約到10%。在可選實施例中，可以附著ー個以上的第一層10和/或ー個或多個第二層20，以形成準直儀組件100。例如，準直儀組件100可以包括這樣ー種結構，該結構包括ー個第一層10附著到ー個第二層20，而后另ー個第一層10，而后另一個第二層20,和然后ー個最終第一層10。
一旦第一層10和第二層20附著在一起，就形成了分別貫穿第一層10和第二層20的通道22。通道22可以通過移除第一層10和/或第二層20的材料而形成。所述移除的方法可以包括但不局限于，化學蝕刻、等離子蝕刻、化學蝕銑或任何適合于此處所述目的的類似方法。材料的移除形成的通道22可以認為是“精加工”或“精確”的。
根據本發明形成準直儀組件的ー種方法的另ー示意性實施例中，可以在將第一層10附著到第二層20之前形成第一層10中的開ロ 12。第一層10開ロ 12的形成方式可以包括但不局限于，激光切割、蝕刻或化學蝕銑或任何適合于此處所述目的的方法。例如，可以使用許多精確制造方法中任ー種在第一層10中形成開ロ 12，所述方法使開ロ 12和邊界14的尺寸以及第ー層10開ロ 12的位置達到需求。在可選實施例中，該制造方法可以包括適于第一層10的材料的方法，只要可以達到開ロ 12的尺寸、定位或精確性。圖3和圖4中示意性實施例最佳示出了例如激光切割、蝕刻等精確形成方法處理之后的類似柵格結構的第一層10。
在另ー示意性實施例中，可以在將第一層10附著到第二層20之前形成第二層20的開ロ 12。形成第二層10開ロ 12的方法可以包括但不局限于鑄造、蝕刻、模制或任何適于此處所述目的的方法。例如，可以使用許多方法中任ー種，以形成與第一層10的開ロ 12的形狀和圖案結構相匹配的第二層20的開ロ 13。在可選實施例中，該形成方法可以包括適于第二層20的材料或適于形成與第一層10的開ロ 12的形狀和圖案結構相匹配的第二層20的“粗糙”開ロ 13的方法。例如，圖5和圖6中的示意性實施例最佳地示出了具有粗糙形成的開ロ 13的第二層20。
參考圖7和圖8，分別形成在第一層10中的開ロ 12和形成在第二層20中的開ロ13基本對準。如上所述，由于用于兩層的形成方法不同，第一層10的開ロ 12和邊界14可以比第二層20的開ロ 13和邊界15更精確地形成。第二層20的列24的材料或者第二層20開ロ 13中的物體也可以存在于第二層開ロ 13中。參考圖1，一旦第一層10和第二層20對準并附著了，就形成了分別貫穿第一層10和第二層20的通道22。通道22可以通過移除第一層10和/或第二層20的材料而形成。如上所述，該移除方法可以包括許多方法或方式中的任ー種。第一層10的開ロ 12和邊界14可以基本上用作掩模以移除第二層20開ロ 13中的材料。
在移除第二層20的材料之后，第二層20的列24的形狀或輪廓可以不同于材料移除之前第二層列24的形狀或輪廓。例如，圖7和圖8中第二層20的材料的列24具有基本矩形的形狀。相比較，如圖I中最佳所示，移除第二層20材料后第二層20的列24包括“沙漏”形狀。在可選實施例中，移除第二層20材料之后，列24的輪廓可以包括許多其他形狀和輪廓中任ー種，例如包括基本矩形形狀。
第一層10的材料可以包括但不局限于，多個高原子序數、高密度材料或適于在此描述目的的材料。例如，第一層10可以包括鎢、鑰、鉭或鉛或者其他高原子序數高密度材料。在示意性實施例中，第一層10可以是許多材料中任ー種，所述材料可以通過上述形成方法在第一層10中形成第一層10的精確開ロ 12和邊界14，例如不銹鋼或銅或任意易于成形的材料。在其他可選實施例中，第一層10可以包括能夠經受在附著兩層后移除材料以形成通道22這ー后續處理的材料。在這些二次材料移除過程中，第一層10可以基本上用作掩模以移除第二層20材料。因此，在移除第二層20的材料吋，需要第一層10保持其開ロ
12和邊界14的結構和尺寸。
在示意性實施例中，第一層10和第二層20的材料是不同的材料。第二層20可以包括許多高原子序數、高密度材料或適于在此描述目的的材料中任一材料。例如，第二層可以包括鎢、鉭、鉛或鑰。在可選實施例中，可以使用能夠支持形成第二層20的開ロ 13的材料，該第二層20的開ロ匹配于第一層10的開ロ 12的形狀和圖案結構。在可選實施例中，第二層20可以包括在這樣的材料，該材料在材料移除的同時允許移除第二層20材料以在兩層附著之后形成通道22。
通過多層形成準直儀組件100，尤其是通過比形成第一層不精確(或便宜)的方法形成“較厚”的第二層，以成本有效的方式達到了準直儀組件100的所需縱橫比(T/L)。基本上，上面討論的方法的示意性實施例，減少了形成和/或材料移除步驟，以實現總成本優勢。
例如，當薄的第一層10精確地預形成并附著到粗糙形成的較厚第二層20時，第一層10可以基本上用作掩模以移除第二層20的材料以形成精確的精加工通道22。在該示意性方法中，制造準直儀組件具有附加總成本利益，因為從在第一層精確開ロ 12之下的第二層20的預形成的開ロ 12中移除材料以形成通道22，可以比貫穿ー個或多個實心層以形成通道22的成本更低。
在另ー示意性實施例中，由于精確預形成的第一層10可以確保有如上描述的成本優勢，在形成了精加工通道22之后，第一層10可以從第二層20上分離。這里，第二較厚的層20自身可以是精加工的準直儀組件100。該實施例中的第一層10和第二層20可以通過包括暫時粘結、暫時焊接等類似方法，以及任何適于此處所述的目的的方法可拆除地附著。[0056]作為附加利益，由于第一層10和/或第二層20的成形過程可以在第二層20附著到第一層10的之前完成，為了進一步的成本優勢，準直儀組件100的制造可以模塊化。例如，第一層10不是一片，而是可以包括許多片，例如矩形板。
在參考示意性實施例已經描述了本發明的同時，本領域技術人員應當理解在不脫離本發明的范圍的情況下，可以對本發明進行各種改變，并且可用等效物代替其中的元件。另外，根據本發明的教導，在不脫離本發明的實質范圍的情況下，可以產生許多修改方案以適應特殊條件或材料。因此，本發明不局限于作為最佳公開的特殊實施例或預期實現本發明的唯一模式，而是本發明將包括落入所附權利要求
的范圍中的所有實施例。此外，使用第一、第二等術語不表示任何次序或重要性，而是用于將ー個元件區分于另ー個。而且，使用一、ー個等術語不表示對數量的限制，而是表示存在至少ー個提到的項目。
部件列表
~第一層/柵格
~ 2 第一層開ロ~
~Τ3 第二層開ロ~
14第一層邊界~
15第二層邊界~
16 外邊緣
20 第二層
~22 jfil
24列
26 物體
~ 準直儀組件~
~200 CT檢測器模塊
202 X射線
權利要求
1.一種制造準直儀組件(100)的方法，所述準直儀組件(100)包括第一層(10)和第二層(20)，所述方法包括 將第一層(10)附著到第二層(20)從而定義總厚度，其中第一層(10)的厚度范圍從總厚度的約5%到約10%，其中所述第一層包括鎢、鑰、鉭或鉛或者其他高原子序數高密度材料，并且所述第二層包括許多高原子序數、高密度材料；并且 在附著之后，形成貫穿第一層(10)和第二層(20)的通道(22)。
2.根據權利要求
I的方法，其中第一層(10)包括柵格。
3.根據權利要求
I的方法，其中所述第二層包括鎢、鉭、鉛或鑰。
4.根據權利要求
I的方法，還包括在所述附著之前，在第一層(10)中形成開口(12，13)。
5.根據權利要求
4的方法，還包括 在所述附著之前，在第二層(20)中形成開口(12，13);以及 其中所述形成通道包括通過所述第一層的開口移除所述第二層的開口中的材料。
6.根據權利要求
5的方法，還包括將第二層(10)的開口(12，13)和第二層(20)的開口(12，13)對準。
7.根據權利要求
I的方法，其中所述形成通道(22)包括通過第一層(10)的開口(12，13)移除第二層(20)的開口 (12，13)中的材料。
8.—種制造用于高能成像系統的準直儀組件(100)的方法，所述準直儀組件(100)包括外層和內層，所述方法包括 在外層和內層中設置孔洞； 在設置孔洞之后，將外層連接到內層； 在連接之后，通過外層的孔洞移除內層的一部分，所述移除構成貫穿外層和內層的通道(22)。
9.根據權利要求
8的方法，其中所述連接包括將多于一個的外層和內層連接在一起、將多于一個的內層和外層連接在一起或將多于一個的外層和多于一個的內層連接在一起。
10.根據權利要求
8的方法，其中所述連接包括將外層(10)的孔洞與內層(20)的孔洞對準。
11.根據權利要求
8的方法，其中連接的外層和內層定義了總厚度，其中外層具有范圍從總厚度的約5%到約10%的厚度。
專利摘要
本發明涉及一種制造準直儀組件(100)的方法，所述方法包括將第一層(10)附著到第二層(20)，并形成貫穿已附著的第一層(10)和第二層(20)的通道(22)。在附著第一層(10)和第二層(20)之前，將開口(12，13)設置在第一層(10)和第二層(20)中。在形成通道(22)之前，使第一層(10)和第二層(20)的開口(12，13)對準。形成通道(22)包括移除第一層(10)、第二層(20)或兩層的材料。第一層(10)和第二層(20)的附著定義了準直儀組件(100)的總厚度。第一層(10)的厚度范圍從總厚度的約5％到約10％。
文檔編號G21K1/02GKCN1975938SQ200610172377
公開日2012年8月15日 申請日期2006年8月18日
發明者D·M·霍夫曼 申請人:通用電氣公司導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan專利引用 (5),