一種可控硅維持電流補償電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種可控硅維持電流補償電路，通過對通態電流或整流電路的輸出電壓進行采樣及微分處理得到微分信號，當通態電流的變化率或整流電路的輸出電壓的變化率較大時，依據微分信號產生一個相應大的補償電流，當通態電流的變化率或整流電路的輸出電壓的變化率較小時，在此時補償一個相應小的補償電流，使得負載電流和補償電流之和大于維持電流，從而避免可控硅非正常關斷。本實用新型考慮了可控硅導通時的沖激和震蕩引起的維持電流變化的情況，并依據沖激和震蕩動態調整補償電流的大小，所以本電路在通態電流存在沖擊和震蕩時解決LED燈閃的問題，并提高補償電路的使用效率。
【專利說明】一種可控硅維持電流補償電路
【技術領域】
[0001 ] 本實用新型涉及電路【技術領域】，尤其涉及一種可控硅維持電流補償電路。
【背景技術】
[0002]目前，利用可控硅進行LED調光是常見的LED調光技術之一，如圖1所示為可控硅的調光電路，包括:可控硅調光器100、整流電路200、DC/DC轉換電路300、LED負載400和交流電源600，整流電路輸出電壓為Vl，輸出電流為11，電路中的通態電流電流1等于負載電流II。圖2為上述可控硅的調光電路的通態電流的曲線示意圖。
[0003]可控硅有一個維持電流，當通態電流小于可控硅的電流時，可控硅便會關斷引起LED閃爍。并且在實際的可控硅LED調光系統中，由于LED負載及DC/DC轉換電路均為容性負載，所以可控硅導通瞬間會產生沖擊電流，如圖3所示在tl?tl'時間段內存在沖擊和振蕩。而可控硅中的電流與通態電流的變化率有關。
[0004]因此現在需要一種補償電路，不僅可以解決可控硅在過零點的誤關斷問題，也可以解決在通態電流存在沖擊和震蕩時可控硅誤關斷造成的LED燈閃的問題，并提高補償電路的使用效率。
實用新型內容
[0005]本實用新型提供了一種可控硅維持電流補償電路，解決了可控硅在過零點的誤關斷問題，也解決在通態電流存在沖擊和震蕩時可控硅誤關斷造成的LED燈閃的問題，即解決了整個周期內可控硅誤關斷的問題，并提高了補償電路的使用效率。
[0006]為解決上述技術問題，本實用新型提供的一種可控硅維持電流補償電路，包括交流電源、可控硅調光器，與容性負載相連的整流電路，其特征在于，還包括:
[0007]對所述整流電路的輸出電壓或電流進行采樣并微分，并將得到的微分信號輸出至電流補償電路的采樣微分電路；
[0008]與采樣微分電路相連，根據所述微分信號和流過所述容性負載的電流以及一個基準信號產生補償電流的所述電流補償電路。
[0009]優選的，所述采樣微分電路包括:
[0010]對所述整流電路的輸出電壓進行采樣，并對所述輸出電壓進行微分獲得電壓微分信號的電壓采樣微分電路；或，
[0011]對所述整流電路的輸出電流進行采樣，并對所述輸出電流進行微分獲得電流微分信號的電流采樣微分電路。
[0012]優選的，所述電流補償電路包括:
[0013]比較電路、反饋電路和負載電流采樣電阻，所述比較電路包括比較器；
[0014]所述比較器的第一輸入端經第五電阻與所述采樣微分電路相連接收所述微分信號，所述第一輸入端經第四電阻與所述負載電流采樣電阻相連接收負載電流轉換后的負載電壓，所述比較器的第二輸入端與所述基準信號相連，所述微分信號經過第五電阻與經所述第四電阻的所述負載電流采樣電阻共同作用在所述比較電路的第一輸入端，所述第一輸入端為所述比較電路的采樣端；所述比較器將所述負載電壓和所述微分信號的和值與所述基準信號進行比較，并輸出比較結果；
[0015]所述反饋電路的一個輸入端與所述比較器的輸出端相連，所述反饋電路的輸出端經所述負載電流采樣電阻和所述第四電阻與所述比較器的第一輸入端相連，所述反饋電路的輸出端接地，所述反饋電路的另一個輸入端與容性負載的輸入端相連，所述反饋電路依據接收到的所述比較結果輸出補償電流，并將所述補償電流與所述負載電流的和值轉換為所述負載電壓，輸入至所述比較器的第一輸入端。
[0016]優選的，所述電流補償電路包括:
[0017]比較電路、反饋電路和負載電流采樣電阻，所述比較電路包括比較器；
[0018]所述比較器的第一輸入端經第六電阻與所述采樣微分電路相連接收所述微分信號，所述微分信號經過第六電阻與所述基準信號共同作用在所述比較器的第一輸入端，所述第一輸入端為所述比較器的基準端；所述比較器第二輸入端與所述負載電流采樣電阻的一端相連，用于接收所述負載電流轉換后的負載電壓，所述比較器將所述微分信號與基準信號的和值與所述負載電壓進行比較，并輸出比較結果，所述負載電流采樣電阻的另一端接地；
[0019]所述反饋電路的一個輸入端與所述比較器的輸出端相連，所述反饋電路輸出端與所述比較器的第一輸入端相連，所述反饋電路的另一個輸入端與容性負載的輸入端相連；所述反饋電路依據接收到的所述比較結果輸出補償電流，并將所述補償電流與所述負載電流的和值轉換為所述負載電壓，輸入至比較器的第二輸入端。
[0020]優選的，所述電壓采樣微分電路包括:
[0021]與所述整流電路輸出端相連的第一電容；
[0022]與所述第一電容相連的第一電阻，與所述第一電阻并聯的第二電容，所述第一電阻的另一端接地；
[0023]所述第一電容與所述第一電阻的公共連接點與所述電流補償電路相連。
[0024]優選的，所述電流采樣微分電路包括:
[0025]串聯于地與所述容性負載之間的采樣電阻；
[0026]與所述米樣電阻并聯的第一電容；
[0027]所述第一電容與所述采樣電阻的公共連接點與所述電流補償電路相連。
[0028]優選的，還包括:
[0029]NPN型三極管和濾波電容；
[0030]所述第一電容與所述第一電阻的公共連接點與所述三極管的基極相連；
[0031]所述三極管的集電極與電源正極相連；
[0032]所述三極管的發射極通過發射極電阻與地相連；
[0033]所述濾波電容與所述發射極電阻并聯。
[0034]優選的，還包括:
[0035]二極管，所述二極管串聯在整流橋輸出端和所述第一電容之間；所述二極管的陽極連接整流橋輸出端，陰極連接第一電容；或，
[0036]所述二極管串聯在所述采樣電阻和所述第一電容之間；所述二極管的陽極連接所述采樣電阻，陰極連接第一電容。
[0037]優選的，所述反饋電路包括N型MOS管；
[0038]所述N型MOS管的柵極與所述比較器的輸出端相連；
[0039]所述N型MOS管的漏極與所述容性負載輸入端相連；
[0040]當所述比較器用于將所述負載電壓和所述微分信號的和值與所述基準信號進行比較時，所述N型MOS管的源極與所述負載電流采樣電阻接地的一端相連；
[0041]當所述比較器用于將所述微分信號與所述基準信號的和值與所述負載電壓進行比較時，所述N型MOS管的源極與所述負載電流采樣電阻接所述比較器第二輸入端的一端相連。
[0042]優選的，所述的容性負載包括:LED驅動器，與所述LED驅動器輸入端并聯的濾波電容，與所述LED驅動器輸出端并聯的LED光源。
[0043]優選的，所述電流補償電路包括一集成電路和負載電流采樣電阻；
[0044]所述集成電路包括所述比較電路和所述反饋電路。
[0045]本實用新型提供了一種可控硅維持電流補償電路，由【背景技術】可知通態電流的變化率與維持電流的大小有關，加之通態電流即為回路電流，回路電流和整流橋后電壓的幅值變化趨勢一致，所以通態電流的變化率和整流橋后電壓的變化率均與維持電流成正比關系。本實用新型通過對通態電流或整流電路輸出的電壓進行采樣并微分得到相應的微分信號。
[0046]當通態電流的變化率或整流電路的輸出電壓的變化率較大時，即微分信號較大時維持電流也較大，此時便依據微分信號產生一個相應大的補償電流，當通態電流的變化率或整流電路的輸出電壓的變化率較小時，即微分信號較小時維持電流也較小，在此時補償一個相應小的補償電流，總之要使得負載電流和補償電流之和大于維持電流，從而避免可控娃關斷。
[0047]本實用新型相對于現有技術考慮了可控硅導通時的沖激和震蕩引起的維持電流變化的情況，并依據沖激和震蕩動態調整補償電流的大小，而不是補償一個較大的補償電流，所以本電路在通態電流存在沖擊和震蕩時解決LED燈閃的問題，并提高補償電路的使用效率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0048]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0049]圖1為現有的可控硅調光電流補償電路結構圖；
[0050]圖2為本實用新型實施例公開的一通態電流的曲線示意圖；
[0051]圖3為本實用新型實施例公開的一維持電流的曲線示意圖；
[0052]圖4為本實用新型實施例公開的一種可控硅維持電流補償電路的結構示意圖；
[0053]圖5為本實用新型實施例公開的又一種可控硅維持電流補償電路的結構示意圖；
[0054]圖6為本實用新型實施例公開的一種可控硅維持電流補償電路的結構示意圖；
[0055]圖7為本實用新型實施例公開的又一種可控硅維持電流補償電路的結構示意圖；
[0056]圖8為本實用新型實施例公開的經過采樣微分電路處理后獲得的微分信號的曲線示意圖；
[0057]圖9為本實用新型實施例公開的又一種可控硅維持電流補償電路的結構示意圖；
[0058]圖10為本實用新型實施例公開的一種可控硅維持電流補償電路的結構示意圖；
[0059]圖11為本實用新型實施例公開的又一種可控硅維持電流補償電路的結構示意圖；
[0060]圖12為本實用新型實施例公開的又一種可控硅維持電流補償電路的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0061]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0062]如圖4所示，本實用新型提供了一種可控硅維持電流補償電路，該可控硅維持電流補償電路和容性負載相連，除包括交流電源600、可控硅調光器100、整流電路200之外還包括采樣微分電路700和電流補償電路800，所述容性負載包括DC/DC轉換電路和/或LED負載，為了清楚表示容性負載，說明書中以標號340進行表示。圖8中示1為通態電流，Vl為整流電路200的輸出電壓，整流電路200的輸出電流為II，負載電流為II。
[0063]采樣微分電路700，用于對所述整流電路200的輸出信號進行采樣并微分，獲得相應的微分信號；
[0064]其中，需要說明的是，當該輸出信號為電流信號時，該采樣電路700需對該輸出電流進行采樣后進行微分處理，對電流信號進行微分的幾何意義即為得到通態電流的變化率。
[0065]與所述采樣微分電路700和所述整流電路200的輸出端相連的電流補償電路800，用于獲取所述微分信號和所述容性負載340的負載電流，并依據所述微分信號和所述負載電流產生補償電流，使所述補償電流與所述負載電流之和大于可控硅的維持電流。
[0066]實驗發現，維持電流的大小與通態電流的變化率有關，一般，變化率越大，維持電流越大。加之通態電流和整流橋后電壓的變化率趨勢一致，所以通態電流的變化率和整流橋后電壓的變化率均與維持電流正相關，在未進行電流補償之前，通態電流=整流電路的輸出電流=負載電流，所以本實用新型將整流電路的輸出電流和負載電流作為未補償之前的通態電流，將整流電路的輸出電壓作為未補償之前的通態電壓。
[0067]本實用新型的主體思路為當整流電路200的輸出電流變化率或輸出電壓變化率較大時，即維持電流較大時產生一個較大的補償電流，當負載電流的變化率或整流電路的輸出電壓的變化率較小時，即維持電流較小時產生一個較小的補償電流，依據輸出電流的變化率或輸出電壓的變化率動態調整補償電流的大小，使得負載電流和補償電流之和大于維持電流，從而避免可控硅關斷。
[0068]在具體實施時，通過采樣微分電路700對整流電路輸出電流或輸出電壓進行采樣微分，對采樣后的電流信號進行微分的幾何意義即為獲取信號變化率，得到的經微分處理后的電流微分信號可作為輸出電流的變化率。
[0069]將微分信號發送至電流補償電路800，電流補償電路依據微分信號產生一個與微分信號成正比的補償電流，即微分信號越大補償電流越大，由此動態調整補償電流的大小。
[0070]本實用新型相對于現有技術考慮了可控硅導通時的沖激和震蕩引起的維持電流變化的情況，并依據沖激和震蕩動態調整補償電流的大小進行補償電流，而不是固定補償一個很大的補償電流，本實用新型要使得負載電流和補償電流之和大于維持電流，從而避免可控硅關斷。并且提供的補償電流是根據沖激和震蕩實時變化的。所以本電路不僅解決了在通態電流存在沖擊和震蕩時LED燈閃的問題，并提高補償電路的使用效率。
[0071]由于本實用新型中既可以使用整流電路的輸出電壓的變化率，又可以使用輸出電流的變化率，所以本實用新型中所述采樣微分電路700包括:電壓采樣微分電路701或電流采樣微分電路702 ；
[0072]其中電壓采樣微分電路701，用于對所述整流電路200的輸出電壓進行采樣，并對所述輸出電壓進行微分獲得電壓微分信號；電流采樣微分電路702，用于對所述整流電路200的輸出電流進行采樣，并對所述輸出電流進行微分處理后獲得的電流微分信號。
[0073]下面介紹所述電流補償電路800，如圖5所示，包括:
[0074]比較電路，反饋電路802和負載電流采樣電阻R3;其中，所述比較電路包括比較器801。
[0075]所述微分信號作用在采樣端，即所述比較器801的第一輸入端經第五電阻R5與所述采樣微分電路700相連，用于接收所述微分信號，所述第一輸入端經第四電阻R4與所述負載電流采樣電阻R3相連，用于接收負載電流轉換后的負載電壓，所述比較器801的第二輸入端與基準信號相連，所述微分信號經過第五電阻R5與經所述第四電阻R4的所述負載電流采樣電阻R3共同作用在所述比較器的第一輸入端，所述第一輸入端為所述比較器的采樣端；所述比較器801用于將所述負載電壓和所述微分信號和值與基準信號值進行比較，并輸出比較結果；
[0076]所述反饋電路802的一個輸入端與所述比較器801的輸出端相連，所述反饋電路801的輸出端經所述負載電流采樣電阻R3和所述第四電阻R4與所述比較器801的第一輸入端相連，所述反饋電路802的輸出端接地。所述反饋電路802依據接收到的所述比較結果輸出補償電流，并將所述補償電流與所述負載電流的和值轉換為所述負載電壓，輸入至所述比較器801的第一輸入端，
[0077]同樣，所述微分信號也可以作用在基準端，使得新的基準信號=設置的基準信號+微分信號，再與負載電流微分信號進行計較。當負載電流微分信號小于新的基準信號時，則進行更多的補償。具體如圖6所示:
[0078]該電流補償電路800包括:比較電路、反饋電路802和負載電流采樣電阻R3，所述比較電路包括比較器801 ；
[0079]所述比較器801的第一輸入端經第六電阻R6與所述采樣微分單元相連，用于接收所述微分信號，所述微分信號作用在基準端，即所述微分信號經過第六電阻R6與所述基準信號共同作用在所述比較器801的第一輸入端，所述第一輸入端為所述比較器801的基準端；所述比較器801第二輸入端與所述負載電流采樣電阻R3的一端相連，用于接收所述負載電流轉換后的負載電壓，所述比較器801用于將所述微分信號與所述基準信號的和值與所述負載電壓進行比較，并輸出比較結果，所述負載電流采樣電阻R3的另一端接地；
[0080]所述反饋電路802的一個輸入端與比較電路的輸出端相連，即與所述比較器801的輸出端相連，所述反饋電路802輸出端與所述比較器801的第一輸入端相連，所述反饋電路802的另一個輸入端與容性負載的輸入端相連。所述反饋電路802用于接收所述比較結果，依據比較結果輸出補償電流，并將所述補償電流與所述負載電流的和值轉換為所述負載電壓，輸入至比較器801的第一輸入端。
[0081]綜上，為了實現比較的功能，需要使用比較電路，利用負載電流采樣電阻將負載電流轉換為負載電壓，將采樣電壓和負載電壓的和值比較單元的一個輸入端。為了實現電壓比較的功能將比較單元的另一個輸入端與基準信號相連，將基準信號作為參考電壓。
[0082]反饋電路包括MOS管，當負載電壓和微分電壓的和值小于參考電壓時，比較電路輸出一個電壓，該電壓能夠使MOS管工作在線性區，根據所述和值和參考電壓的差值動態調節mos線性電阻，改變補償電流，對負載電流進行補償，即將負載電流與補償電流進行求和，獲得補償后的負載電流。
[0083]然后反饋電路802將補償后的負載電流與此時微分電壓的和值再次輸入至比較器801的第一輸入端，與參考電壓進行對比，如果第一輸入端的輸入電壓還是小于參考電壓則繼續對負載電流進行補償，如果第一輸入端的輸入電壓大于參考電壓則停止對負載電流進行補償。
[0084]本實用新型還要解決過零點的閃爍問題，所以本實用新型還包括:
[0085]與所述容性負載340相連的電流補償電路，用于接收所述負載電流，在所述負載電流小于可控硅調光器的維持電流時，對所述負載電流進行補償，使所述負載電流與所述補償電流的和值大于可控硅調光器的維持電流。
[0086]電流補償電路，作用為如圖3所示的t2?T的部分，對負載電流進行補償，用于避免可控硅關斷。
[0087]下面具體介紹具體的電路結構圖，如圖7所示，所述電壓采樣微分電路701包括:
[0088]與所述整流電路200輸出端相連的第一電容Cl ；
[0089]與所述第一電容Cl相連的第一電阻R1，所述第一電阻Rl的另一端接地；
[0090]與所述第一電阻Rl并聯的第二電容C2 ；
[0091]所述第一電容Cl與所述第一電阻Rl的公共連接點與所述電流補償電路800相連。參見圖8:當整流橋后輸出電壓存在過沖時，輸出電流1也會出現過沖，經過采樣微分電路處理，可以獲得圖8所示微分信號。
[0092]如圖9所示,所述電流采樣微分電路702包括:
[0093]一端與所述容性負載340相連，另一端接地的采樣電阻Rs ；
[0094]與所述采樣電阻Rs接所述容性負載304的一端相連的第一電容Cl，所述第一電容Cl另一端接地；即所述采樣電阻Rs與所述第一電容Cl并聯；
[0095]所述第一電容Cl與所述采樣電阻Rs的公共連接點與所述電流補償電路800相連。
[0096]優選的，如圖10或圖11所示，電壓采樣微分電路701和電流采樣微分電路702還包括:
[0097]NPN型三極管Q和濾波電容C3 ；
[0098]所述第一電容Cl與所述第一電阻Rl的公共連接點與所述三極管Q的基極相連；
[0099]所述三極管的集電極與電源正極VCC相連；
[0100]所述三極管的發射極通過發射極電阻R2與地相連；
[0101]所述濾波電容C3與所述發射極電阻R2并聯。
[0102]優選的，基于圖10所示，在整流電路200輸出端與第一電容Cl之間還可以串聯一個二極管(圖中未標出)，該二極管的陽極連接所述整流電路200的輸出端，陰極連接所述第一電容Cl。
[0103]基于圖11所述，二極管在串在Rs和Cl之間，該二極管的陽極連接Rs，陰極連接Cl。
[0104]優選的，如圖12所示，所述電流補償電路800包括:
[0105]比較電路，反饋電路和負載電流采樣電阻R3，所述比較電路包括比較器M，第四電阻R4和第五電阻R5，所述反饋電路包括N型MOS管；
[0106]所述比較器M的同相輸入端“ + ”經第四電阻R4與負載電流采樣電阻R3相連，同相輸入端“ + ”經第五電阻R5與采樣微分電路700相連，反相輸入端基準信號Vref相連，所述比較器M的輸出端與所述N型MOS管的柵極G相連；
[0107]所述N型MOS管的漏極D與所述整流電路200的輸出端相連，所述N型MOS管的源極S與所述負載電流采樣電阻R3接地的一端相連，所述負載電流采樣電阻R3 —端接地，一端與所述第四電阻R4相連。
[0108]綜上可知，本實用新型提供了一種可控硅維持電流補償電路，通態電流的變化率一定程度上決定維持電流的大小，加之通態電流和整流電路的輸出電壓的幅值變化趨勢一致，所以通態電流的變化率和整流電路的輸出電壓的變化率均與維持電流正相關。本實用新型通過對通態電流或整流電路的輸出電壓進行采樣并微分得到微分信號，對信號進行微分的幾何意義即為通態電流的變化率或整流電路的輸出電壓的變化率。
[0109]當通態電流的變化率或整流電路的輸出電壓的變化率較大時，即微分信號較大時維持電流也較大，此時便依據微分信號產生一個相應大的補償電流，當通態電流的變化率或整流電路的輸出電壓的變化率較小時，即微分信號較小時維持電流也較小，在此時補償一個相應小的補償電流，總之要使得負載電流和補償電流之和大于維持電流，從而避免可控娃關斷。
[0110]本實用新型相對于現有技術考慮了可控硅導通時的沖激和震蕩引起的維持電流變化的情況，并依據沖激和震蕩動態調整補償電流的大小，而不是補償一個較大的補償電流，所以本電路在通態電流存在沖擊和震蕩時解決LED燈閃的問題，并提高補償電路的使用效率。
[0111]本說明書中各個實施例采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其它實施例的不同之處，各個實施例之間相同或相似部分互相參見即可。
[0112]對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業技術人員能夠實現或使用本實用新型。對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【權利要求】
1.一種可控硅維持電流補償電路，包括交流電源、可控硅調光器，與容性負載相連的整流電路，其特征在于，還包括: 對所述整流電路的輸出電壓或電流進行采樣并微分，并將得到的微分信號輸出至電流補償電路的采樣微分電路； 與采樣微分電路相連，根據所述微分信號和流過所述容性負載的電流以及一個基準信號產生補償電流的所述電流補償電路。
2.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述采樣微分電路包括: 對所述整流電路的輸出電壓進行采樣，并對所述輸出電壓進行微分獲得電壓微分信號的電壓米樣微分電路；或， 對所述整流電路的輸出電流進行采樣，并對所述輸出電流進行微分獲得電流微分信號的電流采樣微分電路。
3.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述電流補償電路包括: 比較電路、反饋電路和負載電流采樣電阻，所述比較電路包括比較器； 所述比較器的第一輸入端經第五電阻與所述采樣微分電路相連接收所述微分信號，所述第一輸入端經第四電阻與所述負載電流采樣電阻相連接收負載電流轉換后的負載電壓，所述比較器的第二輸入端與所述基準信號相連，所述微分信號經過第五電阻與經所述第四電阻的所述負載電流采樣電阻共同作用在所述比較電路的第一輸入端，所述第一輸入端為所述比較電路的采樣端；所述比較器將所述負載電壓和所述微分信號的和值與所述基準信號進行比較，并輸出比較結果； 所述反饋電路的一個輸入端與所述比較器的輸出端相連，所述反饋電路的輸出端經所述負載電流采樣電阻和所述第四電阻與所述比較器的第一輸入端相連，所述反饋電路的輸出端接地，所述反饋電路的另一個輸入端與容性負載的輸入端相連，所述反饋電路依據接收到的所述比較結果輸出補償電流，并將所述補償電流與所述負載電流的和值轉換為所述負載電壓，輸入至所述比較器的第一輸入端。
4.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述電流補償電路包括: 比較電路、反饋電路和負載電流采樣電阻，所述比較電路包括比較器； 所述比較器的第一輸入端經第六電阻與所述采樣微分電路相連接收所述微分信號，所述微分信號經過第六電阻與所述基準信號共同作用在所述比較器的第一輸入端，所述第一輸入端為所述比較器的基準端；所述比較器第二輸入端與所述負載電流采樣電阻的一端相連，用于接收所述負載電流轉換后的負載電壓，所述比較器將所述微分信號與基準信號的和值與所述負載電壓進行比較，并輸出比較結果，所述負載電流采樣電阻的另一端接地；所述反饋電路的一個輸入端與所述比較器的輸出端相連，所述反饋電路輸出端與所述比較器的第一輸入端相連，所述反饋電路的另一個輸入端與容性負載的輸入端相連；所述反饋電路依據接收到的所述比較結果輸出補償電流，并將所述補償電流與所述負載電流的和值轉換為所述負載電壓，輸入至比較器的第二輸入端。
5.如權利要求2所述的電路，其特征在于，所述電壓采樣微分電路包括: 與所述整流電路輸出端相連的第一電容； 與所述第一電容相連的第一電阻，與所述第一電阻并聯的第二電容，所述第一電阻的另一端接地； 所述第一電容與所述第一電阻的公共連接點與所述電流補償電路相連。
6.如權利要求2所述的電路，其特征在于，所述電流采樣微分電路包括: 串聯于地與所述容性負載之間的采樣電阻； 與所述采樣電阻并聯的第一電容； 所述第一電容與所述采樣電阻的公共連接點與所述電流補償電路相連。
7.如權利要求5或6所述的電路，其特征在于，還包括: NPN型三極管和濾波電容； 所述第一電容與所述第一電阻的公共連接點與所述三極管的基極相連； 所述三極管的集電極與電源正極相連； 所述三極管的發射極通過發射極電阻與地相連； 所述濾波電容與所述發射極電阻并聯。
8.根據權利要求5或6所述的電路，其特征在于，還包括: 二極管，所述二極管串聯在整流橋輸出端和所述第一電容之間；所述二極管的陽極連接整流橋輸出端，陰極連接第一電容；或， 所述二極管串聯在所述采樣電阻和所述第一電容之間；所述二極管的陽極連接所述采樣電阻，陰極連接第一電容。
9.如權利要求3或4所述的電路，其特征在于，所述反饋電路包括N型MOS管； 所述N型MOS管的柵極與所述比較器的輸出端相連； 所述N型MOS管的漏極與所述容性負載輸入端相連； 當所述比較器用于將所述負載電壓和所述微分信號的和值與所述基準信號進行比較時，所述N型MOS管的源極與所述負載電流采樣電阻接地的一端相連； 當所述比較器用于將所述微分信號與所述基準信號的和值與所述負載電壓進行比較時，所述N型MOS管的源極與所述負載電流采樣電阻接所述比較器第二輸入端的一端相連。
10.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述的容性負載包括:LED驅動器，與所述LED驅動器輸入端并聯的濾波電容，與所述LED驅動器輸出端并聯的LED光源。
11.根據權利要求3或4所述的電路，其特征在于，所述電流補償電路包括一集成電路和負載電流采樣電阻； 所述集成電路包括所述比較電路和所述反饋電路。
【文檔編號】H05B37/02GK204190978SQ201420541550
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年9月19日 優先權日:2014年9月19日
【發明者】羅世偉, 李鎮福 申請人:英飛特電子（杭州）股份有限公司