共極式led發光裝置制造方法

            文檔序號:8107991閱讀:162來源:國知局
            共極式led發光裝置制造方法
            【專利摘要】一種共極式LED發光裝置,包括電路板及裝設于電路板上的多組直流LED芯片與多個電子元件。每組直流LED芯片與其所搭配的電路板定義有共極接點與驅動接點,這些電子元件包含多個整流元件以及定電流元件,每個整流元件與其所搭配的電路板定義有定電流接點以及LED接點。這些定電流接點均電性連接于定電流元件,LED接點則分別電性連接于驅動接點,共極接點電性連接于定電流元件。本實用新型實施例所提供的共極式LED發光裝置能在以交流電力直接驅動發光的前提下,通過外部交流電源所提供的交流電力以使這些組直流LED芯片的至少一組直流LED芯片發光。
            【專利說明】共極式LED發光裝置

            【技術領域】
            [0001]本實用新型涉及一種發光裝置,且特別是涉及一種能以交流電力直接驅動發光的共極式LED發光裝置。

            【背景技術】
            [0002]近幾年來,發光二極管(LED)的應用已逐漸廣泛,且隨著【技術領域】的不斷提升,目前已研發出高照明輝度的高功率發光二極管,其足以取代傳統的照明光源。
            [0003]再者,本發明 申請人:在先前已提出一種能以交流電力直接驅動發光的LED發光裝置(如:中國臺灣實用新型第M472157號專利),其可直接應用于市電系統,即無須額外再安裝交流-直流轉換器,因此可降低生產成本并擴大應用范圍。
            [0004]然而,可惜的是,在上述能以交流電力直接驅動發光的LED發光裝置中,第一 LED芯片與第二 LED芯片分別獨立地電性連接于兩個LED驅動元件,也就是說,第一 LED芯片與第二 LED芯片之間并無電性連接關系。因此,先前能以交流電力直接驅動發光的LED發光裝置在使用時,會存在有多種不同的功率,進而需要針對不同功率來選擇搭配不同的散熱體,此無形中產生應用上的局限性。若是僅針對最大功率情形采用相對應的散熱體,則明顯有浪費且提高成本的問題。
            [0005]于是,本發明人有感上述缺陷的可改善,乃特潛心研究并配合學理的運用,終于提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本實用新型。
            實用新型內容
            [0006]本實用新型實施例在于提供一種共極式LED發光裝置,其能在以交流電力直接驅動發光的前提下,有效地解決因不同功率所產生的問題。
            [0007]本實用新型實施例提供一種共極式LED發光裝置,包括:一電路板,該電路板具有一基板與一電路層,該基板具有位于相反側的一第一表面與一第二表面,該電路層設于該基板的第一表面上,且該電路層具有一 LED線路、一電子元件線路及至少兩個電極,該電子元件線路電性連接于該LED線路,而電極電性連接于該電子元件線路;多組直流LED芯片,該直流LED芯片裝設于該LED線路上,并且每組直流LED芯片與其所搭配的LED線路的部位定義有一共極接點與一驅動接點;以及多個電子元件,該電子元件裝設于該電子元件線路上,并且電子元件包含多個整流元件及一定電流元件,每個整流元件與其所搭配的電子元件線路的部位定義有一定電流接點以及一 LED接點;定電流接點均電性連接于該定電流元件,而LED接點則分別電性連接于驅動接點,并且共極接點電性連接于該定電流元件;其中,電極用以電性連接于一外部交流電源,以通過控制該外部交流電源使該外部交流電源所提供的交流電力能選擇性地與驅動接點的至少其中之一導通并流經導通的至少一驅動接點所對應的電路層的部位與電子元件,而能使導通的至少一驅動接點所對應的直流LED芯片發光。
            [0008]進一步地,所述電子元件包含一 LED驅動元件、一整流元件以及一電壓抑制元件,而所述電壓抑制元件以及所述直流LED芯片呈并聯地電性連接,所述電壓抑制元件以及所述整流元件呈并聯地電性連接;其中,當所述電壓抑制元件所承受的電壓大于一電壓臨界值時,所述電壓抑制元件形成一電壓泄放路徑或短路路徑。
            [0009]進一步地,所述電壓抑制元件為設置于所述整流元件之后的單向元件或雙向元件,或者所述電壓抑制元件為設置于所述整流元件之前的雙向元件。
            [0010]進一步地,所述電壓抑制元件為金屬氧化物壓敏電阻或是瞬態電壓抑制器。
            [0011]進一步地,所述共極式LED發光裝置進一步包含有一透光狀的第一封裝體與一第二封裝體,所述第一封裝體形成于所述第一表面且將所述直流LED芯片包覆于所述第一封裝體內,所述第二封裝體形成于所述第一表面且將所述電子元件包覆于所述第二封裝體內。
            [0012]進一步地,所述第二封裝體具有一遠離所述電路板的反射面,并且所述反射面相對于波長為400nm至500nm的光線具有大于85%的反射率。
            [0013]進一步地,所述共極式LED發光裝置進一步具有呈圓形且設置于所述電路板上的一內阻隔墻與一外阻隔墻,所述內阻隔墻與所述電路板共同包圍界定出一內容置空間,所述LED線路至少部分地顯露于所述內容置空間,且所述直流LED芯片位于所述內容置空間中;所述外阻隔墻位于所述內阻隔墻的外側,并且所述外阻隔墻的圓心與所述內阻隔墻的圓心重疊,所述外阻隔墻、所述內阻隔墻與所述電路板共同包圍界定出一外容置空間,所述電子元件線路至少部分地顯露于所述外容置空間,且所述電子元件呈圓環狀地排列設置于所述外容置空間中,而所述電極至少部分地顯露于所述外阻隔墻之外。
            [0014]進一步地,所述第一封裝體具有一遠離所述電路板的出光面,所述反射面覆蓋在遠離所述電路板的所述內阻隔墻的頂緣,所述反射面與所述出光面呈共平面設置,并且所述反射面與所述出光面呈無間隙地相連。
            [0015]進一步地,每組直流LED芯片包含有多個串聯的直流LED芯片,并且每組直流LED芯片所定義的所述共極接點電性連接于所述共極接點所鄰近的所述直流LED芯片的陰極。
            [0016]進一步地,每組直流LED芯片包含有多個串聯的直流LED芯片,并且每組直流LED芯片所定義的所述共極接點電性連接于所述共極接點所鄰近的所述直流LED芯片的陽極。
            [0017]綜上所述,本實用新型實施例所提供的共極式LED發光裝置能在以交流電力直接驅動發光的前提下,通過外部交流電源所提供的交流電力以使這些組直流LED芯片的至少一組直流LED芯片發光。而不論是何種發光情況,所述共極式LED發光裝置經由這些組的LED芯片的共極設置以及將這些組的LED芯片一同連接于所述定電流元件,使得LED芯片總功率大致維持相同,進而令共極式LED發光裝置的散熱體選擇更為簡易。并且,由于LED芯片總功率大致相同,更是有助于在上述的任何發光情況時,均能使任一組的LED芯片發光亮度維持一致。
            [0018]為使能更進一步了解本實用新型的特征及技術內容,請參閱以下有關本實用新型的詳細說明與附圖,但是此等說明與所附圖式僅是用來說明本實用新型,而非對本實用新型的權利要求范圍作任何的限制。

            【專利附圖】

            【附圖說明】
            [0019]圖1為本實用新型共極式LED發光裝置的立體示意圖。
            [0020]圖2為圖1的剖視示意圖。
            [0021]圖3為圖1的分解示意圖。
            [0022]圖4為圖1的另一分解示意圖。
            [0023]圖5為圖1的又一分解示意圖。
            [0024]圖6為本實用新型共極式LED發光裝置的反射面的反射率示意圖。
            [0025]圖7為本實用新型共極式LED發光裝置連接外部交流電源的發光示意圖。
            [0026]圖8A為圖7的部分電路示意圖。
            [0027]圖8B為圖7另一態樣的部分電路示意圖。
            [0028]圖9為圖7的共陽極電路示意圖。
            [0029]圖10為圖7的共陰極電路示意圖。
            [0030]圖11為本實用新型LED燈具的示意圖。
            [0031]圖12為本實用新型LED燈具另一態樣的示意圖。
            [0032]【符號說明】
            [0033]100 共極式LED發光裝置
            [0034]I電路板
            [0035]11 基板
            [0036]111 第一表面
            [0037]112 第二表面
            [0038]12電路層
            [0039]121 LED 線路
            [0040]1211驅動接點
            [0041]1212共極接點
            [0042]122電子元件線路
            [0043]123 電極
            [0044]2內阻隔墻
            [0045]21內容置空間
            [0046]3外阻隔墻
            [0047]31外容置空間
            [0048]4直流LED芯片
            [0049]5電子元件
            [0050]51 LED驅動元件
            [0051]52整流元件
            [0052]521 LED 接點
            [0053]522定電流接點
            [0054]53定電流元件
            [0055]54 電壓抑制元件
            [0056]6第一封裝體
            [0057]61出光面
            [0058]7第二封裝體
            [0059]71反射面
            [0060]200光學配件
            [0061]201反射杯
            [0062]202、202,開口
            [0063]300外部交流電源

            【具體實施方式】
            [0064]請參閱圖1,其為本實用新型的一實施例,需先說明的是,本實施例對應圖式所提及的相關數量與數量,僅用以具體地說明本實用新型的實施方式,以便于了解其內容,而非用以局限本實用新型的權利要求范圍。
            [0065]請參閱圖1和圖2所示,本實施例為一種共極式LED發光裝置100,包括一電路板
            1、設于電路板I上的一內阻隔墻2與一外阻隔墻3、設在電路板I上的多組直流LED芯片4與多個電子兀件5、設于電路板I與內阻隔墻2所包圍的空間內的一第一封裝體6以及設于內阻隔墻2外側的一第二封裝體7。本實施例于下述先說明共極式LED發光裝置100各元件的可能的實施構造,而后再適時介紹各元件之間的彼此連接關系。
            [0066]如圖3至圖5,所述電路板I包含有一基板11與一電路層12,上述基板11大致呈方形(如:長方形或正方形)且具有位于相反側的一第一表面111與一第二表面112。其中,所述基板11可為金屬基板和絕緣基板,當采用金屬基板時,還包含一介電層(圖略)設置于金屬基板和電路層12之間,介電層覆蓋于金屬基板的板面上,且介電層邊緣大致與金屬基板邊緣切齊。金屬基板可為鋁基板或銅基板,不以此為限。絕緣基板可為陶瓷基板或樹脂板。而于本實施例中,基板11是以絕緣基板為例。
            [0067]所述電路層12設于基板11的第一表面111,且電路層12具有一 LED線路121、一電子元件線路122以及至少兩個電極123,上述電子元件線路122電性連接于LED線路121,而兩個電極123則電性連接于電子元件線路122。須說明的是,有關電性連接的方式可以通過打線等方式實施,在此不加以局限。于本實施例的圖式中是以兩個電極123為例,但此也可依設計者的需求而調整成更多的電極123數量。
            [0068]所述內阻隔墻2的材質優選為陶瓷材料,但不局限于此。內阻隔墻2大致呈圓形且固設于電路板I的大致中央部位上(即位于基板11的第一表面111與部分電路層12上)。其中,遠離基板11的內阻隔墻2頂緣,其至基板11第一表面111的距離(相當于內阻隔墻2的高度)大于任一直流LED芯片4頂緣至基板11第一表面111的距離(相當于直流LED芯片4的高度)。
            [0069]再者,所述內阻隔墻2與電路板I共同包圍界定出一內容置空間21,而上述LED線路121至少部分顯露于內容置空間21,用以供直流LED芯片4作為置晶與打線之用。
            [0070]所述外阻隔墻3的材質優選為陶瓷材料,但不局限于此。外阻隔墻3也大致呈圓形且設置于電路板I上(即位于基板11的第一表面111與部分電路層12上),并且外阻隔墻3位于內阻隔墻2外側,而外阻隔墻3的圓心重疊于內阻隔墻2的圓心。其中,遠離基板11的外阻隔墻3頂緣,其至基板11第一表面111的距離(相當于外阻隔墻3的高度)大于任一電子元件5頂緣至基板11第一表面111的距離(相當于電子元件5的高度)。而于本實施例中,所述外阻隔墻3的高度大致等于內阻隔墻2的高度,但實際應用時不受限于此。
            [0071]再者,所述外阻隔墻3、內阻隔墻2與電路板I共同包圍界定出一外容置空間31,所述電子元件線路122至少部分顯露于外容置空間31,用以供電子元件5安裝之用;而上述兩電極123至少部分顯露于外阻隔墻3之外,用以供外部電源連接之用。
            [0072]更詳細地說,所述兩個電極123位于外阻隔墻3徑向方向上的相反兩側部位,并且所述兩個電極123所在的位置大致位于基板11的相對向的兩個角落。并且所述兩個電極123用以電性連接于一外部交流電源300 (如圖7),使外部交流電源300所提供的交流電力經由電路層12與這些電子元件5的傳輸與轉換,而能使置于LED線路121上的直流LED芯片4發光。
            [0073]所述這些組的直流LED芯片4設置于內容置空間21,每組直流LED芯片4包含有多個串聯的直流LED芯片4,上述直流LED芯片4優選為裸晶態樣,并且直流LED芯片4電性連接于電路層12的LED線路121。其中,這些直流LED芯片4于本實施例中是以串聯作為說明之用,但于實際應用時,這些直流LED芯片4之間的連接方式可以依設計者需求而使用串聯、并聯或串并聯,在此不加以限制。
            [0074]所述電子元件5優選為裸晶態樣且大致呈圓環狀地排列設置于外容置空間31,并且電子元件5電性連接于電路層12的電子元件線路122。進一步地說,本實施例通過將電子元件5以圓環狀排列的方式設置于直流LED芯片4的周圍,藉以使電子元件5的排列更為密集,進而使基板11的尺寸能夠縮小。
            [0075]再者,所述電子元件5包含有多個LED驅動元件51、多個整流元件52 (如:橋式整流器)、一定電流元件53及多個電壓抑制元件54,但于實際應用時,電子元件5所包含的元件種類與數量可依設計者需求而加以調整,并不局限于此。舉例來說,在一未繪示的實施例中,所述電子元件5也可以同時包含有線性元件與非線性元件。附帶說明一點,本實施例所述的電子元件5是排除上述所指的直流LED芯片4。
            [0076]補充說明一點,上述直流LED芯片4與電子元件5裝設于電路層12的方式可以是覆晶(flip chip)、回焊(reflow)、超音波(ultrasonic)、表面貼裝技術(SMT)或打線(wirebonding)等方式,在此不加以限制。
            [0077]更詳細地說,所述電壓抑制元件54呈并聯地電性連接于整流元件52(如圖8A或圖8B所示),當共極式LED發光裝置100所連接的外部交流電源300發生故障(如:開關突波、靜電或雷擊影響)導致共極式LED發光裝置100的電路的電壓升高時,電壓抑制元件54所承受的電壓也會隨之升高,當電壓抑制元件54所承受的電壓大于一電壓臨界值(也可稱之為崩潰電壓值)時,電壓抑制元件54形成一電壓泄放路徑或實質上的短路路徑。
            [0078]也就是說,因外部交流電源300故障而突然升高電壓所產生的電流大部分會經由電壓抑制元件54所形成的短路路徑而導向接地。藉此,可降低因外部交流電源300故障而突然升高電壓所產生的電流對這些電子元件5或直流LED芯片4的傷害。但須說明的是,所述“實質上的短路路徑”是指作為供大部分電流通過的路徑,也即,在能供大部分電流通過的前提下,“實質上的短路路徑”的廣義范圍也可涵蓋低阻抗路徑。
            [0079]再者,所述電壓抑制元件54可以是金屬氧化物壓敏電阻(MOV,Metal OxideVaristor)或是瞬態電壓抑制器(TVS, Transient Voltage Suppressor)等元件。換個角度來說,所述電壓抑制元件54可如圖8A所示設置于整流元件52之后且為單向元件或雙向元件,又或者,所述電壓抑制元件54可如圖8B所示設置于整流元件52之前且為雙向元件。
            [0080]請參閱圖9所示,其為本實施例共極式LED發光裝置100的共陽極電路示意圖,以下將就本實施例共極式LED發光裝置100的共極特點作一介紹。為便于說明,以上所述的多組直流LED芯片4在圖9中僅以兩組呈現,并且該兩組直流LED芯片4可以是用以發出同色光線或是不同色光線。但于實際應用時,所述直流LED芯片4的組數并不受限于兩組。
            [0081]其中,每組直流LED芯片4與其所搭配的LED線路121部位定義有一驅動接點1211與一共極接點1212,并且每組直流LED芯片4所定義的共極接點1212相鄰且電性連接于其所鄰近的直流LED芯片4陽極。
            [0082]再者,所述共極式LED發光裝置100的LED驅動元件51與定電流元件53數量各限定為單個,而整流元件52及電壓抑制元件54則可區分為兩組,并且所述兩組的整流元件52及電壓抑制元件54分別電性連接于上述兩組直流LED芯片4。
            [0083]更詳細地說,每個整流元件52與其所搭配的電子元件線路122部位定義有一 LED接點521與一定電流接點522。這些LED接點521則分別電性連接于這些驅動接點1211,這些定電流接點522均電性連接于定電流元件53的一端,而這些共極接點1212則電性連接于定電流元件53的另一端。上述各組直流LED芯片4所對應的共極接點1212均電性連接于定電流元件53,以形成陽極電路設置。
            [0084]藉此,通過控制所述外部交流電源300使其所提供的交流電力能選擇性地與這些驅動接點1211的至少其中之一導通并流經該導通的至少一驅動接點1211所對應的電路層12部位與電子元件5,而能使該導通的至少一驅動接點1211所對應的直流LED芯片4發光。
            [0085]更詳細地說,本實施例的共極式LED發光裝置100能通過外部機制分配外部交流電源300所提供的交流電力,以使兩組直流LED芯片4同時發光或是僅使其中一組直流LED芯片4發光。而不論是上述何種發光情況,所述共極式LED發光裝置100經由這些組的LED芯片4的共極設置以及將這些組的LED芯片4 一同連接于所述定電流元件53,使得LED芯片4總功率大致維持相同,進而使共極式LED發光裝置100的散熱體選擇更為簡易。并且,由于LED芯片總功率大致相同,更是有助于在上述的任何發光情況時,均能使任一組的LED芯片4發光亮度維持一致。
            [0086]若當該兩組直流LED芯片4可以是用以發出不同色光線的情況時,本實施例所提供的共極式LED發光裝置100能分別用以驅動上述兩組不同發光型態的直流LED芯片4,藉以調整上述兩組不同發光型態的直流LED芯片4的發光比例,進而達到混光的效果。
            [0087]此外,本實施例共極式LED發光裝置100于上述中雖以圖9所示的共陽極電路示意圖為例,但并不以此為限。舉例來說,請參閱圖10所示,其為本實施例共極式LED發光裝置100的共陰極電路示意圖,其與圖9的差異主要在于,每組直流LED芯片4所定義的共極接點1212電性連接于其所鄰近的直流LED芯片4陰極。
            [0088]所述第一封裝體6呈透光狀且可以由硅樹脂(silicone)或是環氧樹脂Gpoxyresin)所制成,更進一步地說,所述第一封裝體6可為一種單純的透明膠體或內混有熒光粉的熒光膠體,但本實施例不以此為限。
            [0089]再者,所述第一封裝體6填設于內阻隔墻2與電路板I所共同圍繞定義的內容置空間21之中,藉以使直流LED芯片4能被第一封裝體6所封裝(即直流LED芯片4包覆于第一封裝體6之內)。換個角度來看,通過上述第一封裝體6被限位在內阻隔墻2所圍繞的封裝范圍內,以使得第一封裝體6的封裝范圍及填膠量得到有效的控制。
            [0090]所述第二封裝體7優選為不導電膠體,第二封裝體7主要填設于電路板1、內阻隔墻2及外阻隔墻3所共同包圍的外容置空間31之中,藉以使第二封裝體7包覆這些電子元件5于其內,也就是說,裸晶態樣的電子元件5能被第二封裝體7所封裝。
            [0091]藉此,通過第二封裝體7同時一體封裝電子元件5于其內,以大幅度地降低生產共極式LED發光裝置100時所需耗費的封裝成本。并且由于第二封裝體7為不導電膠體,因而使得第二封裝體7能具備有隔絕電路的功能,進而避免共極式LED發光裝置100有跳火的事情發生。
            [0092]于遠離基板11的第一封裝體6表面(如圖1中的第一封裝體6頂面)與第二封裝體7表面(如圖1中的第二封裝體7頂面),兩者于本實施例中均平行于基板11的第一表面111且大致呈共平面設置,但不以此為限。
            [0093]更詳細地說,所述第一封裝體6具有一遠離基板11的出光面61,而第二封裝體7具有一遠離基板11的反射面71。其中,上述反射面71相對于波長為400nm至500nm的光線具有大于85%的反射率(優選為90%以上)。也即,第二封裝體7能使用如圖6所示的任一曲線所代表的材質,或是說,圖6所示的任一曲線即代表上述反射面71的反射率。
            [0094]再者,所述反射面71覆蓋在遠離基板11的內阻隔墻2頂緣,并且反射面71與出光面61呈無間隙地相連。而在共極式LED發光裝置100的俯視角度下,遠離基板11的內阻隔墻2頂緣完全被第二封裝體7的反射面71所遮蔽,所以無法被看到。藉此,第二封裝體7的反射面71能用以將光線有效地進行反射,以避免遠離基板11的內阻隔墻2頂緣產生吸收光線的事情,進而提升所述共極式LED發光裝置100整體的光效。
            [0095]附帶說明一點,第二封裝體7除覆蓋遠離基板11的內阻隔墻2頂緣之外,也可一并覆蓋外阻隔墻3的頂緣與外表面,具體實施態樣在此不加以限制。
            [0096]以上為共極式LED發光裝置100的構造說明,上述共極式LED發光裝置100即為一完整的產品,其能直接地被應用(如圖7的共極式LED發光裝置100連接于外部交流電源300)或搭配其他裝置使用,可能的應用情況如下述實施例說明之。
            [0097]請參閱圖11和圖12所示,本實用新型的另一實施例提供一種LED燈具,包括如上述實施例所載的共極式LED發光裝置100以及裝設于共極式LED發光裝置100的一光學配件200。其中,光學配件200于本實施例中是以一反射杯201為例,但也可以是其他類型的光學配件(如:透鏡)。
            [0098]所述反射杯201的外型大致呈中空的截圓錐狀,也即,反射杯201的兩端各形成有一大致呈圓形且尺寸不同的開口 202、202’,并且反射杯201較小的開口 202鄰近于共極式LED發光裝置100的第二封裝體7,而上述較小的開口 202的圓心對應于內阻隔墻2的圓心。
            [0099]由于共極式LED發光裝置100的第二封裝體7形成有反射面71,所以上述反射杯201在選用時,只須符合其較小的開口 202的直徑大于等于內阻隔墻2的直徑,并小于等于外阻隔墻3的直徑。換言之,共極式LED發光裝置100能與更多尺寸的反射杯201搭配使用而不影響出光效果。
            [0100]補充說明一點,由于本實施例所述的共極式LED發光裝置100必須能以交流電力直接驅動發光,藉以便于使用者運用,而就本領域的普通技術人員來說,能以交流電力直接驅動發光的共極式LED發光裝置100,其當然也能用以連接直流電源(圖略)。換言之,本實施例是在說明本實用新型的共極式LED發光裝置100具有能以交流電力直接驅動發光的功能,但并非局限于此。
            [0101][本實用新型實施例的可能效果]
            [0102]綜上所述,本實用新型實施例所提供的共極式LED發光裝置能在以交流電力直接驅動發光的前提下,通過外部機制使外部交流電源所提供的交流電力,使這些組直流LED芯片的至少一組直流LED芯片發光。而不論是何種發光情況,所述共極式LED發光裝置經由這些組的LED芯片的共極設置以及將這些組的LED芯片一同連接于所述定電流元件,使得LED芯片總功率大致維持相同,進而使共極式LED發光裝置的散熱體選擇更為簡易。并且,由于LED芯片總功率大致相同,更是有助于在上述的任何發光情況時,均能使任一組的LED芯片發光亮度維持一致。
            [0103]再者,所述共極式LED發光裝置能在以交流電力直接驅動發光的前提下,通過第二封裝體內設有電壓抑制元件,藉以有效地避免因超額的電壓而造成共極式LED發光裝置內的電子元件或直流LED芯片損壞。
            [0104]又,所述共極式LED發光裝置通過將電子元件圓環狀地排列設置在外容置空間,藉以能進一步縮小基板所使用的尺寸;并且,經由形成圓環狀的第二封裝體,用以使共極式LED發光裝置頂面能有效地反射光線,進而使裝設在共極式LED發光裝置的光學配件開口尺寸能有更大的選用范圍。
            [0105]另,通過第二封裝體形成相對于波長400nm至500nm的光線具有大于85%反射率的反射面,進而有效地提升共極式LED發光裝置的整體光效。
            [0106]以上所述僅為本實用新型的優選可行實施例,其并非用以局限本實用新型的專利范圍,凡依本實用新型申請專利范圍所做的均等變化與修飾,均應屬本實用新型的涵蓋范圍。
            【權利要求】
            1.一種共極式LED發光裝置,其特征在于,所述共極式LED發光裝置包括: 一電路板,所述電路板具有一基板與一電路層,所述基板具有位于相反側的一第一表面與一第二表面,所述電路層設于所述基板的所述第一表面上,且所述電路層具有一 LED線路、一電子元件線路以及至少兩個電極,所述電子元件線路電性連接于所述LED線路,而所述電極電性連接于所述電子元件線路; 多組直流LED芯片,所述直流LED芯片裝設于所述LED線路上,并且每組所述直流LED芯片與其所搭配的所述LED線路的部位定義有一共極接點與一驅動接點;以及 多個電子元件,所述電子元件裝設于所述電子元件線路上,并且所述電子元件包含多個整流元件及一定電流元件,每個所述整流元件與其所搭配的所述電子元件線路的部位定義有一定電流接點以及一 LED接點;所述定電流接點均電性連接于所述定電流元件,而所述LED接點則分別電性連接于所述驅動接點,并且所述共極接點電性連接于所述定電流元件; 其中,所述電極用以電性連接于一外部交流電源,以通過控制所述外部交流電源使所述外部交流電源所提供的交流電力能選擇性地與所述驅動接點的至少其中之一導通并流經導通的至少一所述驅動接點所對應的所述電路層的部位與所述電子元件,而能使導通的至少一所述驅動接點所對應的所述直流LED芯片發光。
            2.根據權利要求1所述的共極式LED發光裝置,其特征在于,所述電子元件包含一LED驅動元件、一整流元件以及一電壓抑制元件,而所述電壓抑制元件以及所述直流LED芯片呈并聯地電性連接,所述電壓抑制元件以及所述整流元件呈并聯地電性連接;其中,當所述電壓抑制元件所承受的電壓大于一電壓臨界值時,所述電壓抑制元件形成一電壓泄放路徑或短路路徑。
            3.根據權利要求2所述的共極式LED發光裝置,其特征在于,所述電壓抑制元件為設置于所述整流元件之后的單向元件或雙向元件,或者所述電壓抑制元件為設置于所述整流元件之前的雙向元件。
            4.根據權利要求2所述的共極式LED發光裝置,其特征在于,所述電壓抑制元件為金屬氧化物壓敏電阻或是瞬態電壓抑制器。
            5.根據權利要求1所述的共極式LED發光裝置,其特征在于,所述共極式LED發光裝置進一步包含有一透光狀的第一封裝體與一第二封裝體,所述第一封裝體形成于所述第一表面且將所述直流LED芯片包覆于所述第一封裝體內,所述第二封裝體形成于所述第一表面且將所述電子元件包覆于所述第二封裝體內。
            6.根據權利要求5所述的共極式LED發光裝置,其特征在于,所述第二封裝體具有一遠離所述電路板的反射面,并且所述反射面相對于波長為400nm至500nm的光線具有大于85%的反射率。
            7.根據權利要求6所述的共極式LED發光裝置,其特征在于,所述共極式LED發光裝置進一步具有呈圓形且設置于所述電路板上的一內阻隔墻與一外阻隔墻,所述內阻隔墻與所述電路板共同包圍界定出一內容置空間,所述LED線路至少部分地顯露于所述內容置空間,且所述直流LED芯片位于所述內容置空間中;所述外阻隔墻位于所述內阻隔墻的外側,并且所述外阻隔墻的圓心與所述內阻隔墻的圓心重疊,所述外阻隔墻、所述內阻隔墻與所述電路板共同包圍界定出一外容置空間,所述電子元件線路至少部分地顯露于所述外容置空間,且所述電子元件呈圓環狀地排列設置于所述外容置空間中,而所述電極至少部分地顯露于所述外阻隔墻之外。
            8.根據權利要求7所述的共極式LED發光裝置,其特征在于,所述第一封裝體具有一遠離所述電路板的出光面,所述反射面覆蓋在遠離所述電路板的所述內阻隔墻的頂緣,所述反射面與所述出光面呈共平面設置,并且所述反射面與所述出光面呈無間隙地相連。
            9.根據權利要求1至8中任一項所述的共極式LED發光裝置,其特征在于,每組直流LED芯片包含有多個串聯的直流LED芯片,并且每組直流LED芯片所定義的所述共極接點電性連接于所述共極接點所鄰近的所述直流LED芯片的陰極。
            10.根據權利要求1至8中任一項所述的共極式LED發光裝置,其特征在于,每組直流LED芯片包含有多個串聯的直流LED芯片,并且每組直流LED芯片所定義的所述共極接點電性連接于所述共極接點所鄰近的所述直流LED芯片的陽極。
            【文檔編號】H05B37/02GK204005329SQ201420295219
            【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年6月4日 優先權日:2014年6月4日
            【發明者】黃建中, 吳志明, 陳逸勛, 張彥雄, 蔡育宗 申請人:弘凱光電(深圳)有限公司, 弘凱光電股份有限公司
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