一種控制氧施主單晶的生產工藝方法
【專利摘要】本發明涉及一種控制氧施主單晶的生產工藝方法，包括引頸步驟、放肩步驟、轉肩步驟、等徑步驟、收尾步驟和控氧步驟，其特征在于：在上述所有步驟中，單晶爐體內的坩堝（1）內的液面始終保持在高鍋位，所述的高鍋位為坩堝（1）內的液面與導流屏（2）底部的距離是15～25mm。本發明的有益效果是：通過對生產步驟中籽晶轉速的控制、坩堝的轉速控制、坩堝上升速度的控制和惰性氣體流量的控制以及單晶爐體內保溫層和導流屏保溫層的改進，減少單晶處于氧施主產生空間的時間,達到降低氧施主的目的。
【專利說明】一種控制氧施主單晶的生產工藝方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及單晶生產工藝【技術領域】，尤其是一種控制氧施主單晶的生產工藝方法。
【背景技術】
[0002]近年來隨著市場形勢的變化，對產品質量要求極為嚴格，在單晶生產過程中，氧施主單晶是造成不合格單晶的重要組成部分，氧施主單晶比例占生產單晶的30%，造成大比例氧施主單晶不能滿足市場形勢的需求，在單晶銷售利潤率不斷下降。大量氧施主單晶直接造成生產成本增加，給公司造成嚴重經濟損失，因此有效降低氧施主單晶，不斷提高單晶質量，降低生產成本迫在眉睫。
【發明內容】
[0003]本發明的目的是提供一種減少生產中產生氧施主單晶的、提高單晶質量的控制氧施主單晶的生產工藝方法。
[0004]為了完成上述目的，本發明采用的技術方案是:
[0005]一種控制氧施主單晶的生產工藝方法，包括引頸步驟、放肩步驟、轉肩步驟、等徑步驟、收尾步驟和控氧步驟，在上述所有步驟中，單晶爐體內的干鍋內的液面始終保持在高鍋位，所述的高鍋位為干鍋內的液面與導流屏底部的距離是15~25mm ；
[0006]所述的引頸步驟中，籽晶的轉速為7~8r/min，坩堝的轉速為7~9r/min，坩堝上升的速度為Omm/min ；
[0007]所述的放肩步驟中，籽晶的轉速為7~8r/min，坩堝的轉速為7~9r/min，坩堝上升的速度為0.05~0.15mm/min ；`
[0008]所述的轉肩步驟中，籽晶的轉速為7~8r/min，坩堝的轉速為7~9r/min，坩堝上升的速度為0.15~0.2mm/min ；
[0009]所述的等徑步驟中，籽晶的轉速為7~8r/min，坩堝的轉速為7~9r/min，坩堝上升的速度為0.19~0.25mm/min ；
[0010]所述的收尾步驟中，籽晶的轉速為7~8r/min，坩堝的轉速為7~9r/min，坩堝上升的速度為0.15~0.05mm/min。
[0011]所述的控氧步驟為控制單晶爐體內的惰性氣體流量，在所述的引頸步驟中，單晶爐體內的惰性氣體流量為30~40L/min ；
[0012]在所述的放肩步驟中，單晶爐體內的惰性氣體流量為30~40L/min ；
[0013]在所述的轉肩步驟中，單晶爐體內的惰性氣體流量為30~40L/min ；
[0014]在所述的等徑步驟中，單晶爐體內的惰性氣體流量從40L/min勻速減少至到20L/min ；
[0015]在所述的收尾步驟中，單晶爐體內的惰性氣體流量為20L/min。
[0016]所述的引頸步驟中，籽晶的轉速為7r/min，坩堝的轉速為8r/min，坩堝上升的速度為 Omm/min ；
[0017]所述的放肩步驟中，籽晶的轉速為7r/min，坩堝的轉速為8r/min，坩堝上升的速度為從0.05mm/min勻速增加到0.15mm/min ；
[0018]所述的轉肩步驟中，籽晶的轉速為7r/min，坩堝的轉速為8r/min，坩堝上升的速度為 0.15mm/min 勻速增加到 0.195mm/min ；
[0019]所述的等徑步驟中，籽晶的轉速為7r/min，坩堝的轉速為8r/min，坩堝上升的速度為 0.195mm/min 勻速增加到 0.22mm/min ；
[0020]所述的收尾步驟中，籽晶的轉速為7r/min，坩堝的轉速為8r/min，坩堝上升的速度為 0.lmm/min。
[0021]在所述的引頸步驟中，單晶爐體內的惰性氣體流量為30L/min ；
[0022]在所述的放肩步驟中，單晶爐體內的惰性氣體流量為30L/min ；
[0023]在所述的轉肩步驟中，單晶爐體內的惰性氣體流量為30L/min ；
[0024]在所述的等徑步驟中，單晶爐體內的惰性氣體流量從30L/min勻速減少到20L/min ；
[0025]在所述的收尾步驟中，單晶爐體內的惰性氣體流量為20L/min。
[0026]還包括單晶爐體內保溫層和導流屏保溫層的改進，所述的單晶爐體內保溫層從坩堝的上口部分為上下兩部分相連接的上部保溫區和下部保溫區，所述的保溫層的側壁整體為上薄下厚形，下部保溫區的厚度至少不小于80mm，上部保溫區的厚度不大于58mm ;
[0027]所述的導流屏保溫層的改進包括保溫層高度的改進和保溫層位置的改進，導流屏內部的保溫層高度降低至不高于167mm，導流屏內部的保溫層設置在導流屏的底部，在導流屏內部的頂部設有空腔。
[0028]本發明的有益效果是:通過對生產步驟中籽晶轉速的控制、坩堝的轉速控制、坩堝上升速度的控制和惰性氣體流量的控制以及單晶爐體內保溫層和導流屏保溫層的改進，減少單晶處于氧施主產生空間的時間，達到降低氧施主的目的。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0029]圖1是本發明中單晶爐的結構示意圖。
[0030]圖2是現有技術中單晶爐的結構示意圖。
[0031]圖中，1、坩堝，2、導流屏，3、上部保溫區，4、下部保溫區。
【具體實施方式】
[0032]本發明為一種控制氧施主單晶的生產工藝方法，通過對生產步驟中籽晶轉速的控制、坩堝的轉速控制、坩堝上升速度的控制和惰性氣體流量的控制以及單晶爐體內保溫層和導流屏保溫層的改進，減少單晶處于氧施主產生空間的時間，達到降低氧施主的目的。
[0033]下面結合附圖對本發明做進一步說明。
[0034]具體實施例1，如 圖1所示，一種控制氧施主單晶的生產工藝方法，包括引頸步驟、放肩步驟、轉肩步驟、等徑步驟、收尾步驟和控氧步驟，在上述所有步驟中，單晶爐體內的坩堝I內的液面始終保持在高鍋位，所述的高鍋位為坩堝I內的液面與導流屏2底部的距離是15~25mm，因為在不影響成晶的前提條件下，坩堝I堝位的提高使得單晶生長速度加快，減少單晶處于氧施主產生空間的時間，達到降低氧施主的目的；
[0035]所述的引頸步驟中，籽晶的轉速為7r/min，坩堝I的轉速為7r/min，坩堝I上升的速度為Omm/min,單晶生長的速度為2mm/min~6mm/min,此時還包含控氧步驟,單晶爐體內的惰性氣體流量為30L/min，在不影響成晶的前提條件下，保持高鍋位且坩堝I堝位的提高使得單晶生長速度加快，減少單晶處于氧施主產生空間的時間，達到降低氧施主的目的；
[0036]所述的放肩步驟中，籽晶的轉速為7r/min，坩堝I的轉速為7r/min，坩堝I上升的速度為0.05mm/min,單晶生長的速度為0.7mm/min,此時還包含控氧步驟,單晶爐體內的惰性氣體流量為30L/min，確保在整個放肩過程中堝位始終保持在引頸高堝位，使轉肩后單晶生長速度加快，減少單晶處于氧施主產生空間的時間，達到降低氧施主的目的；
[0037]所述的轉肩步驟中，籽晶的轉速為7r/min，坩堝I的轉速為7r/min，坩堝I上升的速度為0.15mm/min,單晶生長的速度為0.7mm/min~2mm/min,此時還包含控氧步驟,單晶爐體內的惰性氣體流量為30L/min，繼續加大堝升給定比例，直到給定的堝升比例符合等徑堝升比例，確保在整個轉肩過程中堝位始終保持在引頸高堝位，使單晶生長速度始終保持高拉速，減少單晶處于氧施主產生區域的時間，達到降低氧施主的目的；
[0038]所述的等徑步驟中，籽晶的轉速為7r/min，坩堝I的轉速為7r/min，坩堝I上升的速度為0.19mm/min,單晶生長的速度為0.85mm/min~1.05mm/min,此時還包含控氧步驟，單晶爐體內的惰性氣體流量從30L/min勻速減少至到20L/min，保證真空泵抽速，增大惰性氣體的流量，既要保證晶體生長堝位始終不變，又要保證硅液表面快速散熱，提高晶體生長速度，縮短等徑時間，使單晶生長過程中快速通過氧施主產生的溫度區間，達到降低氧施主的目的；
[0039]所述的收尾步驟中，籽晶的轉速為7r/min，坩堝I的轉速為7r/min，坩堝I上升的速度為0.15mm/min,單晶生長的速度為0.5mm/min~1.15mm/min,此時還包含控氧步驟,單晶爐體內的惰性氣體流量為20L/min，收尾前由于石英坩堝底部為弧形，原料表面積逐漸減小，必須不斷加大堝升給定比例，始終保持引頸時堝位，加快收尾速度，使整根單晶減少通過氧施主產生的溫度區域，達到降低氧施主的目的；
[0040]所述控氧步驟中，充分利用低氧工藝拉晶，提高堝轉轉速至8-10轉，抑制硅液體中的熱對流，不讓石英堝與硅接觸面產生的大量SiO進入硅液體中，嚴格控制單晶頭部氧含量。
[0041]還包括單晶爐體內保溫層和導流屏2保溫層的改進，所述的單晶爐體內保溫層從坩堝I的上口部分為上下兩部分相連接的上部保溫區3和下部保溫區4，所述的保溫層的側壁整體為上薄下厚形，下部保溫區4的厚度至少不小于80mm，上部保溫區3的厚度不大于58mm ；
[0042]所述的導流屏2保溫層的改進包括保溫層高度的改進和保溫層位置的改進，導流屏2內部的保溫層高度降低至不高于167mm，導流屏2內部的保溫層設置在導流屏2的底部，在導流屏2內部的頂部設有空腔。
[0043]具體實施例2，如圖1所示，一種控制氧施主單晶的生產工藝方法，包括引頸步驟、放肩步驟、轉肩步驟、等徑步驟、收尾步驟和控氧步驟，在上述所有步驟中，單晶爐體內的坩堝I內的液面始終保持在高鍋位，所述的高鍋位為坩堝I內的液面與導流屏2底部的距離是15~25mm，因為在不影響成晶的前提條件下，坩堝I堝位的提高使得單晶生長速度加快，減少單晶處于氧施主產生空間的時間，達到降低氧施主的目的；
[0044]所述的引頸步驟中，籽晶的轉速為8r/min，坩堝I的轉速為9r/min，坩堝I上升的速度為Omm/min,單晶生長的速度為Omm/min~6mm/min,此時還包含控氧步驟,單晶爐體內的惰性氣體流量為40L/min，在不影響成晶的前提條件下，保持高鍋位且坩堝I堝位的提高使得單晶生長速度加快，減少單晶處于氧施主產生空間的時間，達到降低氧施主的目的；
[0045]所述的放肩步驟中，籽晶的轉速為8r/min，坩堝I的轉速為9r/min，坩堝I上升的速度為0.15mm/min,單晶生長的速度為0.7mm/min,此時還包含控氧步驟,單晶爐體內的惰性氣體流量為40L/min，確保在整個放肩過程中堝位始終保持在引頸高堝位，使轉肩后單晶生長速度加快，減少單晶處于氧施主產生空間的時間，達到降低氧施主的目的；
[0046]所述的轉肩步驟中，籽晶的轉速為8r/min，坩堝I的轉速為9r/min，坩堝I上升的速度為0.195mm/min,單晶生長的速度為0.7mm/min~2mm/min,此時還包含控氧步驟,單晶爐體內的惰性氣體流量為40L/min，繼續加大堝升給定比例，直到給定的堝升比例符合等徑堝升比例，確保在整個轉肩過程中堝位始終保持在引頸高堝位，使單晶生長速度始終保持高拉速，減少單晶處于氧施主產生區域的時間，達到降低氧施主的目的；
[0047]所述的等徑步驟中，籽晶的轉速為8r/min，坩堝I的轉速為9r/min，坩堝I上升的速度為0.22mm/min,單晶生長的速度為0.85mm/min~1.05mm/min,此時還包含控氧步驟，單晶爐體內的惰性氣體流量從40L/min勻速減少至到20L/min，保證真空泵抽速，增大惰性氣體的流量，既要保證晶體生長堝位始終不變，又要保證硅液表面快速散熱，提高晶體生長速度，縮短等徑時間，使單晶生長過程中快速通過氧施主產生的溫度區間，達到降低氧施主的目的；
[0048]所述的收尾步驟中，籽晶的轉速為8r/min，坩堝I的轉速為9r/min，坩堝I上升的速度為0.05mm/min,單晶生長的速度為0.5mm/min~1.15mm/min,此時還包含控氧步驟,單晶爐體內的惰性氣體流量為20L/min，收尾前由于石英坩堝底部為弧形，原料表面積逐漸減小，必須不斷加大堝升給定比例，始終保持引頸時堝位，加快收尾速度，使整根單晶減少通過氧施主產生的溫度區域，達到降低氧施主的目的；
[0049]所述控氧步驟中，充分利用低氧工藝拉晶，提高堝轉轉速至8-10轉，抑制硅液體中的熱對流，不讓石英堝與硅接觸面產生的大量SiO進入硅液體中，嚴格控制單晶頭部氧含量。
[0050]還包括單晶爐體內保溫層和導流屏2保溫層的改進，所述的單晶爐體內保溫層從坩堝I的上口部分為上下兩部分相連接的上部保溫區3和下部保溫區4，所述的保溫層的側壁整體為上薄下厚形，下部保溫區4的厚度至少不小于80mm，上部保溫區3的厚度不大于58mm ；
[0051]所述的導流屏2保溫層的改進包括保溫層高度的改進和保溫層位置的改進，導流屏2內部的保溫層高度降低至不高于167mm，導流屏2內部的保溫層設置在導流屏2的底部，在導流屏2內部的頂部設有空腔。
[0052]具體實施例3，如圖1所示，一種控制氧施主單晶的生產工藝方法，包括引頸步驟、放肩步驟、轉肩步驟、等徑步驟、收尾步驟和控氧步驟，在上述所有步驟中，單晶爐體內的坩堝I內的液面始終保持在高鍋位，所述的高鍋位為坩堝I內的液面與導流屏2底部的距離是15~25mm，因為在不影響成晶的前提條件下，坩堝I堝位的提高使得單晶生長速度加快，減少單晶處于氧施主產生空間的時間，達到降低氧施主的目的；
[0053]所述的引頸步驟中，籽晶的轉速為7r/min，坩堝I的轉速為8r/min，坩堝I上升的速度為Omm/min,單晶生長的速度為Omm/min~6mm/min,此時還包含控氧步驟,單晶爐體內的惰性氣體流量為30L/min，在不影響成晶的前提條件下，保持高鍋位且坩堝I堝位的提高使得單晶生長速度加快，減少單晶處于氧施主產生空間的時間，達到降低氧施主的目的；
[0054]所述的放肩步驟中，籽晶的轉速為7r/min，坩堝I的轉速為8r/min，坩堝I上升的速度為從0.05mm/min勻速增加到0.15mm/min,單晶生長的速度為0.7mm/min,此時還包含控氧步驟，單晶爐體內的惰性氣體流量為30L/min，確保在整個放肩過程中堝位始終保持在引頸高堝位，使轉肩后單晶生長速度加快，減少單晶處于氧施主產生空間的時間，達到降低氧施主的目的；
[0055]所述的轉肩步驟中，籽晶的轉速為7r/min，坩堝I的轉速為8r/min，坩堝I上升的速度為0.15mm/min勻速增加到0.195mm/min,單晶生長的速度為0.7mm/min~2mm/min,此時還包含控氧步驟，單晶爐體內的惰性氣體流量為30L/min，繼續加大堝升給定比例，直到給定的堝升比例符合等徑堝升比例，確保在整個轉肩過程中堝位始終保持在引頸高堝位，使單晶生長速度始終保持高拉速，減少單晶處于氧施主產生區域的時間，達到降低氧施主的目的；
[0056]所述的等徑步驟中，籽晶的轉速為7r/min，坩堝I的轉速為8r/min，坩堝I上升的速度為0.195mm/min勻速增加到0.22mm/min,單晶生長的速度為0.85mm/min~1.05mm/min，此時還包含控氧步驟，單晶爐體內的惰性氣體流量從30L/min勻速減少至到20L/min，保證真空泵抽速，增大惰性氣體的流量，既要保證晶體生長堝位始終不變，又要保證硅液表面快速散熱，提高晶體生長速度，縮短等徑時間，使單晶生長過程中快速通過氧施主產生的溫度區間，達到降低氧施主的目的；
[0057]所述的收尾步驟中，籽晶的轉速為7r/min，坩堝I的轉速為8r/min，坩堝I上升的速度為0.lmm/min,單晶生長的速度為0.5mm/min~1.15mm/min,此時還包含控氧步驟,單晶爐體內的惰性氣體流量為20L/`min，收尾前由于石英坩堝底部為弧形，原料表面積逐漸減小，必須不斷加大堝升給定比例，始終保持引頸時堝位，加快收尾速度，使整根單晶減少通過氧施主產生的溫度區域，達到降低氧施主的目的；
[0058]所述控氧步驟中，充分利用低氧工藝拉晶，提高堝轉轉速至8-10轉，抑制硅液體中的熱對流，不讓石英堝與硅接觸面產生的大量SiO進入硅液體中，嚴格控制單晶頭部氧含量。
[0059]還包括單晶爐體內保溫層和導流屏2保溫層的改進，所述的單晶爐體內保溫層從坩堝I的上口部分為上下兩部分相連接的上部保溫區3和下部保溫區4，所述的保溫層的側壁整體為上薄下厚形，下部保溫區4的厚度至少不小于80mm，上部保溫區3的厚度不大于58mm ；
[0060]所述的導流屏2保溫層的改進包括保溫層高度的改進和保溫層位置的改進，導流屏2內部的保溫層高度降低至不高于167mm，導流屏2內部的保溫層設置在導流屏2的底部，在導流屏2內部的頂部設有空腔。
[0061 ] 在開始工作時，先將熱系統所有部件清理干凈，利用降低電極柱高度來加大加熱器上沿與大蓋下沿的距離，調節完成后進行裝料、抽空、化料、穩定、引頸。[0062]引頸前調節堝位從觀察窗通過導流筒查看硅液面中導流筒下沿倒影，看不見倒影后堝位提升15-20_為引頸堝位，而一般現有技術的引頸堝位為看不到導流筒倒影為止；籽晶與液面接觸穩定20分鐘開始引頸150_左右放肩，引頸過程中逐漸提升提高堝轉轉速至8-10轉，放肩15-20分鐘后緩慢給定堝升，使放肩過程中堝位始終保持不變，放肩大小到規定直徑五分之四后開始提拉速轉肩，堝升比例給定到等徑比例，轉肩直徑達到標準規定直徑后投自控進入等徑步驟，同時加大惰性氣體的流量以降低硅液表面溫度，加快單晶析晶速度率，確保晶體在整個等徑過程中始終保持在高拉速、高堝位、高氬氣流量的環境下快速通過500-300°的溫度區間，實現降低氧施主單晶，通過以上步驟將氧施主單晶從1.2%降低至0.6%左右，減少了生廣中廣生的氧施主單晶并且提聞了單晶質量。
[0063]本發明與現有技術相比存在的優點:
[0064]1、在晶體生長過程中，始終保持聞禍位、聞拉速等徑，縮短等徑時間，使單晶生長過程中快速通過氧施主產生的溫度區間，達到高產、穩產、降低氧施主的目的；
[0065]2、充分利用低氧工藝拉晶,提高禍轉轉速至8-10轉,抑制娃液體中的熱對流，降低石英堝與硅接觸面產生的大量SiO進入硅液體中，嚴格控制單晶頭部氧含量。
【權利要求】
1.一種控制氧施主單晶的生產工藝方法，包括引頸步驟、放肩步驟、轉肩步驟、等徑步驟、收尾步驟和控氧步驟，其特征在于:在上述所有步驟中，單晶爐體內的坩堝(I)內的液面始終保持在高鍋位，所述的高鍋位為坩堝(I)內的液面與導流屏(2)底部的距離是15~25mm ； 所述的引頸步驟中，籽晶的轉速為?~8r/min，坩堝(I)的轉速為7~9r/min，坩堝(I)上升的速度為Omm/min ； 所述的放肩步驟中，籽晶的轉速為7~8r/min，坩堝(I)的轉速為7~9r/min，坩堝(I)上升的速度為0.05~0.15mm/min ； 所述的轉肩步驟中，籽晶的轉速為7~8r/min，坩堝(I)的轉速為7~9r/min，坩堝(I)上升的速度為0.15~0.2mm/min ； 所述的等徑步驟中，籽晶的轉速為7~8r/min，坩堝(I)的轉速為7~9r/min，坩堝(I)上升的速度為0.19~0.25mm/min ； 所述的收尾步驟中，籽晶的轉速為7~8r/min，坩堝(I)的轉速為7~9r/min，坩堝(I)上升的速度為0.15~0.05mm/min。
2.根據權利要求1所述的一種控制氧施主單晶的生產工藝方法，其特征在于:所述的控氧步驟為控制單晶爐體內的惰性氣體流量，在所述的引頸步驟中，單晶爐體內的惰性氣體流量為30~40L/min ； 在所述的放肩步驟中，單晶爐體內的惰性氣體流量為30~40L/min ； 在所述的轉肩步驟中，單 晶爐體內的惰性氣體流量為30~40L/min ； 在所述的等徑步驟中，單晶爐體內的惰性氣體流量從40L/min勻速減少至到20L/min ； 在所述的收尾步驟中，單晶爐體內的惰性氣體流量為20L/min。
3.根據權利要求1所述的一種控制氧施主單晶的生產工藝方法，其特征在于:所述的引頸步驟中，籽晶的轉速為7r/min，坩堝(I)的轉速為8r/min，坩堝(I)上升的速度為Omm/min ； 所述的放肩步驟中，籽晶的轉速為7r/min，坩堝(I)的轉速為8r/min，坩堝(I)上升的速度為從0.05mm/min勻速增加到0.15mm/min ； 所述的轉肩步驟中，籽晶的轉速為7r/min，坩堝(I)的轉速為8r/min，坩堝Φ上升的速度為0.15mm/min勻速增加到0.195mm/min ； 所述的等徑步驟中，籽晶的轉速為7r/min，坩堝(I)的轉速為8r/min，坩堝Φ上升的速度為0.195mm/min勻速增加到0.22mm/min ； 所述的收尾步驟中，籽晶的轉速為7r/min，坩堝(I)的轉速為8r/min，坩堝(I)上升的速度為 0.lmm/min。
4.根據權利要求2所述的一種控制氧施主單晶的生產工藝方法，其特征在于:在所述的引頸步驟中，單晶爐體內的惰性氣體流量為30L/min ； 在所述的放肩步驟中，單晶爐體內的惰性氣體流量為30L/min ； 在所述的轉肩步驟中，單晶爐體內的惰性氣體流量為30L/min ； 在所述的等徑步驟中，單晶爐體內的惰性氣體流量從30L/min勻速減少到20L/min ； 在所述的收尾步驟中，單晶爐體內的惰性氣體流量為20L/min。
5.根據權利要求1至4所述任一項的一種控制氧施主單晶的生產工藝方法，其特征在于:還包括單晶爐體內保溫層和導流屏(2)保溫層的改進，所述的單晶爐體內保溫層從坩堝(I)的上口部分為上下兩部分相連接的上部保溫區(3)和下部保溫區(4)，所述的保溫層的側壁整體為上薄下厚形，下部保溫區(4)的厚度至少不小于80mm，上部保溫區(3)的厚度不大于58mm ；所述的導流屏(2)保溫層的改進包括保溫層高度的改進和保溫層位置的改進，導流屏(2)內部的保溫層高度降低至不高于167mm，導流屏(2)內部的保溫層設置在導流屏(2)的底部，在導流屏(2)內部 的頂部設有空腔。
【文檔編號】C30B15/20GK103882512SQ201410110949
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2014年3月24日 優先權日:2014年3月24日
【發明者】李廣哲, 劉英江, 李杰濤, 趙聚來 申請人:寧晉晶興電子材料有限公司