層積體、層積體的制造方法、電極、el元件、面發光體以及太陽能電池的制作方法

文檔序號：8090379閱讀：408來源：國知局

層積體、層積體的制造方法、電極、el元件、面發光體以及太陽能電池的制作方法
【專利摘要】本層積體包含基材、所述基材之上的底涂層以及所述底涂層之上的無機膜。所述無機膜材料為導電性的金屬氧化物以及導電性的金屬氮化物中的至少一種材料。將用原子力顯微鏡拍攝的所述無機膜的表面的圖像進行傅立葉變換得到的圖像中，將從所述傅立葉變換得到的圖像的中心朝向0點方向的方位角作為0°，從0°開始，每隔10°沿徑向繪制亮度值圖而得到36個亮度值的第一近似曲線，在所述36個亮度值的第一近似曲線中，18個以上的第一近似曲線中可以觀察到最大值。
【專利說明】層積體、層積體的制造方法、電極、EL元件、面發光體以及太陽能電池

【技術領域】
[0001] 本發明涉及層積體、層積體的制造方法、電極、EL元件、面發光體以及太陽能電池。本申請基于2012年7月25日于日本申請的日本專利特愿2012-164352號主張優先權，并在此處援引其內容。

【背景技術】
[0002] 作為面發光體，所知的有利用了有機EL(電致發光）元件和無機EL元件的面發光體。作為有機EL元件，所知的有包含以下部件的有機EL元件：透明基材、設置于透明基材表面的透明電極、與透明電極相離設置的由金屬薄膜構成的背電極、設置于透明電極和背電極之間的含有機化合物發光材料的發光層。
[0003] 這種有機EL元件中，通過來自透明電極的空穴與來自背電極的電子于發光層結合，發光層會發光。發光層發出的光透過透明電極和透明基材，從出射面（透明基材的表面）被取出。此外，發光層發出的光的一部分被背電極的金屬薄膜反射后，透過發光層、透明電極以及透明基材，從出射面被取出。
[0004] 這種有機EL元件中，存在發光層和透明電極的界面、透明電極和透明基材的界面、透明基材和外部空氣的界面。在界面處的臨界角由形成界面的各種材料的折射率決定。向界面入射臨界角以上的光時，在界面發生全反射。例如，從發光層入射臨界角以上的光在發光層和透明電極的界面時，由于全反射，被封閉發光層的內部。同樣的，臨界角以上的角度的光入射在透明電極和透明基材的界面以及透明基材和外部空氣的界面（出射面）等時，在界面發生全反射，光被封閉面發光體的內部。因此，存在無法將部分光取出至外部、光的取出效率低的問題。
[0005] 作為這個問題的解決方法，在專利文獻1中，提出了將基層和有機EL層褶曲的方法。此外，在專利文獻2中，提出了利用用具有凹凸結構的模具轉印的凹凸結構的方法。現有技術文獻專利文獻
[0006] 專利文獻1 :日本專利特開2009-21089號公報專利文獻2 :國際公開第2012-043828號公報

【發明內容】
本發明所要解決的技術問題
[0007] 然而，專利文獻1提出的方法中，由于在有機EL元件整體上形成有凹凸結構，發光穩定性存在問題。此外，由于該制造方法基材被限定為可收縮的拉伸膜，對有機EL元件整體施加熱和壓力，氣體阻隔性和尺寸穩定性差，不適合顯示裝置和照明等被要求具有長壽命的用途。此外，專利文獻2提出的方法中，含有從模具轉印而形成凹凸結構的工序，生產率難以謂之足夠。
[0008] 本發明的目的在于提供一種層積體，以獲得具有優良的光取出效率的面發光體和優良的光封閉效率的太陽能電池。另外，本發明的目的在于提供一種制造方法，可以高效地獲得在凹凸結構的表面具有無機膜的層積體。
[0009] (1)本發明一種實施方式涉及一種層積體，其包含基材、所述基材之上的底涂層以及所述底涂層之上的無機膜；所述無機膜的材料為導電性的金屬氧化物以及導電性的金屬氮化物中的至少一種材料，將用原子力顯微鏡拍攝的所述無機膜的表面的圖像進行傅立葉變換得到的圖像中，將從所述圖像的中心朝向0點方向的方位角作為0°，從0°開始，每隔 10°沿徑向繪制亮度值圖而得到36個亮度值的第一近似曲線，在所述36個亮度值的第一近似曲線中，18個以上的第一近似曲線中可以觀察到最大值。
[0010] (2) (1)的層積體中，在擬合所述36個亮度值的圖得到的圖的第二近似曲線中，將頻率0. 2ynT1與亮度值為最大值的頻率之間、亮度值為最小值的頻率設為頻率A，亮度值為最大值的一半的頻率中最大的頻率設為頻率B，頻率A的倒數與頻率B的倒數的差為 0? 01um?10um〇
[0011] (3) (1)及（2)的層積體中，所述無機膜表面的凹凸結構的平均間距可以為 0. 05um~ 4um。
[0012] (4) (1)至（3)的層積體中，所述無機膜表面的凹凸結構的凸部的平均高度可以為 0? 01um?2um〇
[0013] (5) (1)至（4)的層積體中，所述無機膜的表面的表面粗糙度Ra、線粗糙度Ra'、線粗糙度的最大值Ra'（max)以及線粗糙度的最小值Ra'（min)可以滿足下述式（1)的權利要求1記載的積層體。 0. 13 ^ (Ra' (max)-Ra' (min))/Ra^ 0. 82(1)
[0014] (6)⑴至（5)的層積體中，所述底涂層的彈性模量可以為ISOOMPa以下。
[0015] (7) (1)至（6)的層積體中，所述無機膜的材料可以為選自銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化锫、氮化銦、氮化鎵、氮化錯、氮化锫以及氮化鈦形成的組中的至少一種材料。
[0016] (8)此外，本發明的其他實施方式涉及一種層積體的制造方法，在基材上涂布活化能射線固化性組合物，所述活化能射線固化性組合物含有具有氨基甲酸酯基、苯基以及氧化烯基中的至少一種官能團的單體；照射活化能射線，將所述活化能射線固化性組合物固化形成底涂層；通過濺射法、蒸鍍法以及CVD方法中的任一種方法，在所述底涂層之上層積導電性的金屬氧化物以及導電性的金屬氮化物中的至少一種材料的無機膜，在表面形成凹凸結構。
[0017] (9) (8)的層積體的制造方法中，所述無機膜的材料可以為選自銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化锫、氮化銦、氮化鎵、氮化錯、氮化锫、氮化鈦形成的組中的至少一種材料。
[0018] (10) (8)和（9)的層積體的制造方法中，所述底涂層的層積方法可以為濺射法或蒸鍍法。
[0019] (11)本發明另一其他實施方法涉及一種電極，包含所述⑴至（7)的層積體中的一種。該電極含基材、所述基材之上的底涂層、設置于所述底涂層之上的表面具有凹凸結構的導電性的無機膜。 (12) 本發明另一其他實施方式涉及一種EL元件，包含所述（1)至（7)的層積體中的一種。 (13) 本發明另一其他實施方式涉及一種包含所述EL元件的面發光體。該面發光體包含基材、所述基材之上的底涂層、設置于所述底涂層之上的表面設有凹凸結構的第一電極、與第一電極相離設置的第二電極、以及設置于第一電極和第二電極之間的發光層。 (14) 本發明另一其他實施方法涉及包含所述（1)至（7)的層積體中的一種的太陽能電池。該太陽能電池包含基材、所述基材之上的底涂層、設置于所述底涂層之上的表面具有凹凸結構的透明電極、光電轉換層以及背電極。發明的效果
[0020] 通過本發明一種實施方式中的層積體，可以得到光取出效率優良的面發光體以及光封閉效率優良的太陽能電池。此外，通過本發明的其他實施方式中的層積體的制造方法，可以高效地得到在凹凸結構表面上具有無機膜的層積體，通過得到的層積體，可以得到光取出效率優良的面發光體以及光封閉效率優良的太陽能電池。
[0021] 此外，通過本發明的另一實施方式的電極，可以得到光取出效率優良的面發光體以及光封閉效率優良的太陽能電池。此外，通過本發明的另一實施方式的EL元件，可以得到光取出效率優良的面發光體。此外，本發明的另一實施方式的面發光體的光取出效率優良。進一步地，本發明的另一實施方式的太陽能電池的光封閉效率優良。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022][圖1]表不本發明的一例層積體的截面圖。
[圖2]表示本發明的一例面發光體的截面圖。
[圖3]表示本發明的一例面發光體的截面圖。
[圖4]表示本發明的一例太陽能電池的截面圖。
[圖5]表示本發明的一例太陽能電池的截面圖。
[圖6]實施例5得到的層積體的表面形狀測定結果（50ymX50ym)。
[圖7]實施例10得到的層積體的表面形狀測定結果（50ymX50ym)。
[圖8]實施例12得到的層積體的表面形狀測定結果（50ymX50ym)。
[圖9]實施例15得到的層積體的表面形狀測定結果（50ymX50ym)。
[圖10]本發明的層積體的表面形狀測定結果（50iimX50iim)的一例。
[圖11]將本發明的層積體的表面形狀測定結果進行傅立葉變換得到的圖像的一例。 [圖12]從圖11所示傅立葉變換得到的圖像中得到的亮度值的圖。
[圖13]算出圖12所示曲線的移動平均線，重新繪制的圖。
[圖14]從圖13所示的圖作出的第一 6次多項式近似曲線。
[圖15]第二6次多項式近似曲線的一例。
[圖16]實施例21得到的層積體的表面形狀測定結果（50ymX50ym)。
[圖17]比較例9得到的層積體的表面形狀測定結果（50ymX50ym)。符號說明 10,210,211，310,311 層積體 11基材 12底涂層 13無機膜 20面發光體 21發光層 22第二電極 23第一電極 30太陽能電池 31光電轉換層 32背電極 33透明電極

【具體實施方式】
[0023] 以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明，但本發明的實施并不限于這些附圖。本說明書中，活化能射線是指可見光、UV(紫外線）、電子束、等離子體和熱射線（紅外線等）等。本說明書中，（聚）亞烷基二醇是指聚亞烷基二醇或亞烷基二醇。此外，本說明書中，（甲基）丙烯酸酯是指丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
[0024](層積體 10) 本實施方式的層積體10包含基材11、底涂層12以及無機膜13,將其按該順序進行層積。作為本發明的層積體10,例如，可以列舉圖1所示的層積體10等。
[0025](基材11) 作為基材11的形狀，例如可以列舉薄膜、薄片、板、箔等。基材11的厚度可以根據用途適當選擇，優選25ym?5000ym，進一步優選50ym? 2500iim，更進一步優選 100iim?1000iim。
[0026] 作為基材11的材料，例如可以列舉玻璃、陶瓷等的無機材料；SUS(不銹鋼）、銅、鋁等的金屬；以及聚酯類樹脂（聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等）、丙烯酸類樹脂（聚甲基丙烯酸甲酯等）、碳酸酯類樹脂、氯乙烯類樹脂、苯乙烯類樹月旨（聚苯乙烯、ABS樹脂等）、纖維素類樹脂（二乙酰纖維素、三乙酰纖維素）、烯烴類樹脂、酰亞胺類樹脂、芳綸類樹脂等的樹脂。這些基材11的材料中，從尺寸穩定性和耐熱性優良的點來說，優選玻璃、金屬材料、聚酯類樹脂以及酰亞胺類樹脂，進一步優選玻璃和金屬。此夕卜，使用樹脂為基材11的材料時，從阻氣性優良的點來說，優選在基材11的表面制氧化硅、氮化硅等無機化合物的膜。本實施方式的層積體10作為面發光體和太陽能電池使用時，從尺寸穩定性優良的點來說，基材11的材料優選玻璃、聚酯類樹脂以及酰亞胺類樹脂，進一步優選玻璃。
[0027] (底涂層 12) 底涂層12的材料，從容易發生形成凹凸結構的皺折現象來說，優選彈性模量lOMPa以上、1800MPa以下的材料，進一步優選彈性模量15MPa以上、1600MPa以下的材料，更進一步優選彈性模量20MPa、1500MPa以下的材料。此外，彈性模量通過使用顯微硬度計，在力強度50mN/10秒、蠕變時間5秒的條件下，測定5個位置的彈性模量得到的平均值。
[0028] 底涂層12向基材11的層積方法，從層積容易進行來說，優選涂布底涂層形成用的活化能射線固化性組合物，通過活化能射線照射固化的層積方法。作為活化能射線固化性組合物向基材11的涂布方法，可以列舉公知的涂布方法，例如，可以列舉刷涂、噴涂、浸涂、旋涂和流涂等。這些涂布方法中，從涂布的操作性、活化能射線固化性組合物的平滑性、均勻性優良來說，優選噴涂或旋涂。活化能射線源使用高壓水銀燈時，紫外線的累積光量可以根據使用的活化能射線固化性組合物進行適當選擇，優選200mJ/cm2?6000mJ/cm2,進一步優選300mJ/cm2? 5000mJ/cm2。
[0029] 從活化能射線固化性組合物和無機膜13的粘合性優良、滿足作為底涂層12的材料的彈性模量、容易發生形成凹凸結構的皺折現象來說，優選含有具有氨基甲酸酯基、苯基或氧化烯基中的至少一種官能團的單體（A)、(A)以外的單體（B)以及光聚合引發劑（C)的組合物。
[0030] (單體⑷）單體（A)具有氨基甲酸酯基、苯基和氧化烯基中的至少一種官能團。作為單體（A)，例如，可以列舉二異氰酸酯化合物（甲苯二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯、二環己基甲烷二異氰酸酯等）與含羥基的（甲基）丙烯酸（2-羥乙基（甲基）丙烯酸酯、2-羥丙基（甲基）丙烯酸酯、4-羥丁基（甲基）丙烯酸酯等）反應得到的化合物，醇類（烷二醇、聚醚二醇、聚酯二醇、螺環二醇等的一種或兩種以上）的羥基中加成異氰酸酯化合物、殘留的異氰酸酯基與含羥基的（甲基）丙烯酸反應得到的化合物等的含氨基甲酸酯基單體；苯基（甲基）丙烯酸酯、芐基（甲基）丙烯酸酯、苯乙烯、二乙烯基苯、鄰苯二甲酸二（甲基）丙烯酸酯、對苯二甲酸二（甲基）丙烯酸酯等的含苯基單體；季戊四醇乙氧基改性的四（甲基）丙烯酸酯、三乙氧基化三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、環氧乙烷改性的三羥甲基丙烷（甲基）丙烯酸酯、環氧丙烷改性的三羥甲基丙烷（甲基）丙烯酸酯、環氧乙烷改性的甘油三（甲基）丙烯酸酯、環氧丙烷改性的甘油三（甲基）丙烯酸酯、四乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、三丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙氧基化環己烷二甲醇二（甲基）丙烯酸酯、聚丙氧基化環己烷二甲醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙氧基化雙酚A二（甲基）丙烯酸酯、聚丙氧基化雙酚A二（甲基）丙烯酸酯、聚乙氧基化氫化雙酚A二（甲基）丙烯酸酯、聚丙氧基化氫化雙酚A二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇的己內酯加成物的二（甲基）丙烯酸酯、丁二醇的己內酯加成物的二（甲基）丙烯酸酯、環氧乙烷改性磷酸（甲基）丙烯酸酯、羥基封端的聚乙二醇單（甲基）丙烯酸酯、羥基封端的聚丙二醇單（甲基）丙烯酸酯、羥基封端的聚丁二醇單 (甲基）丙烯酸酯、烷基封端的聚乙二醇單（甲基）丙烯酸酯、烷基封端的聚丙二醇單（甲基）丙烯酸酯、烷基封端的聚丁二醇單（甲基）丙烯酸酯等的具有氧化烯基團的單體；以及苯氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、苯氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯以及苯氧基聚丁二醇（甲基）丙烯酸酯等的具有苯基以及氧化烯基團的單體等。這些單體（A)可以一種單獨使用，也可以兩種以上并用。這些單體（A)中，從固化材料和基材的粘合性優良來說，優選具有氨基甲酸酯基的單體、芐基（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇乙氧基改性的四（甲基）丙烯酸酯、三乙氧基化三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、環氧乙烷改性的三羥甲基丙烷（甲基）丙烯酸酯、環氧丙烷改性的三羥甲基丙烷（甲基）丙烯酸酯、環氧乙烷改性的甘油三（甲基）丙烯酸酯、環氧丙烷改性的甘油三（甲基）丙烯酸酯、四乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、三丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙氧基化雙酚A(甲基）丙烯酸酯、聚丙氧基化雙酚A二（甲基）丙烯酸酯、聚乙氧基化氫化雙酚A 二（甲基）丙烯酸酯、聚丙氧基化氫化雙酚A二（甲基）丙烯酸酯、丁二醇的己內酯加成物的二（甲基）丙烯酸酯、羥基封端的聚乙二醇單（甲基）丙烯酸酯、羥基封端的聚丙二醇單 (甲基）丙烯酸酯、羥基封端的聚丁二醇單（甲基）丙烯酸酯、烷基封端的聚乙二醇單（甲基）丙烯酸酯、烷基封端的聚丙二醇單（甲基）丙烯酸酯、烷基封端的聚丁二醇單（甲基）丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、苯氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯以及苯氧基聚丁二醇（甲基）丙烯酸酯，進一步優選具有氨基甲酸酯基的單體、芐基（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇乙氧基改性四（甲基）丙烯酸酯、三乙氧基化三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、環氧乙烷改性的三羥甲基丙烷（甲基）丙烯酸酯、環氧丙烷改性的三羥甲基丙烷（甲基）丙烯酸酯、環氧乙烷改性的甘油三（甲基）丙烯酸酯、環氧丙烷改性的甘油三（甲基）丙烯酸酯、聚丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙氧基化雙酚A二（甲基）丙烯酸酯、聚丙氧基化雙酚A二（甲基）丙烯酸酯、聚乙氧基化氫化雙酚A二（甲基）丙烯酸酯、聚丙氧基化氫化雙酚A二（甲基）丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、苯氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯以及苯氧基聚丁二醇（甲基）丙烯酸酯；更進一步優選具有氨基甲酸酯基的單體、季戊四醇乙氧基改性的四（甲基）丙烯酸酯、環氧乙烷改性的三羥甲基丙烷（甲基）丙烯酸酯、環氧丙烷改性的三羥甲基丙烷（甲基）丙烯酸酯、環氧乙烷改性的甘油三（甲基）丙烯酸酯、環氧丙烷改性的甘油三（甲基）丙烯酸酯、聚丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙氧基化雙酚A二（甲基）丙烯酸酯、聚丙氧基化雙酚A 二（甲基）丙烯酸酯、以及聚乙氧基化氫化雙酚A二（甲基）丙烯酸酯。
[0031](單體⑶）作為單體⑶，例如，可以列舉1，4-丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、1，6-己二醇二（甲基）丙烯酸酯、壬二醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、甲基戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、二乙基戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、羥基特戊酸三環癸烷二甲醇二（甲基）丙烯酸酯、環己烷二甲醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇改性的三羥甲基丙烷二（甲基）丙烯酸酯、羥基特戊酸新戊二醇的e-己內酯加成物的二（甲基）丙烯酸酯、羥基特戊酸新戊二醇的丁內酯加成物的二（甲基）丙烯酸酯、環己烷二甲醇的己內酯加成物的二（甲基）丙烯酸酯、二環戊烷二醇的己內酯加成物的二（甲基）丙烯酸酯等的二（甲基）丙烯酸酯類；（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸正丙酯、（甲基）丙烯酸異丙酯、（甲基）丙烯酸正丁酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、（甲基）丙烯酸仲丁酯、（甲基）丙烯酸叔丁酯、（甲基）丙烯酸正己酯、（甲基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸正辛酯、（甲基）丙烯酸-2-乙基己基酯、（甲基）丙烯酸十二烷基酯、（甲基）丙烯酸硬脂基酯、（甲基）丙烯酸-2-羥乙基酯、（甲基）丙烯酸-2-羥丙基酯、（甲基）丙烯酸-4-羥丁基酯、 (甲基）丙烯酸異冰片酯、（甲基）丙烯酸降冰片酯、2_(甲基）丙烯酰氧基甲基-2-甲基雙環庚烷、（甲基）丙烯酸金剛烷酯、二環戊烯基（甲基）丙烯酸酯、二環戊基（甲基）丙烯酸酯、四環十二烷基（甲基）丙烯酸酯、環己烷二甲醇單（甲基）丙烯酸酯等的單（甲基）丙烯酸酯類；（甲基）丙烯酰胺、N，N-二甲基（甲基）丙烯酰胺、N-羥甲基（甲基）丙烯酰胺、N-叔丁基（甲基）丙烯酰胺、羥乙基（甲基）丙烯酰胺、亞甲基雙（甲基）丙烯酰胺等的（甲基）丙烯酰胺類；以及乙烯、丙烯、丁烯等的烯烴類等。這些單體（B)可以單獨使用一種，也可以兩種以上并用。這些單體（B)中，從滿足作為底涂層12的材料的彈性模量，形成的凹凸結構容易發生皺折現象來說，優選二（甲基）丙烯酸酯類、單（甲基）丙烯酸酯類，進一步優選二（甲基）丙烯酸酯類。
[0032](光聚合引發劑（〇) 作為光聚合引發劑（C)，例如，可以列舉苯偶姻、苯偶姻單甲醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁基醚、乙偶姻、苯偶酰、二苯甲酮、對甲氧基二苯甲酮，二乙氧基苯乙酮、芐基二甲基縮酮、2, 2-二乙氧基苯乙酮、1-羥基環己基苯基酮、甲基苯基乙醛酸乙酯、苯基乙醛酸甲酯、 2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、2-乙基蒽醌等的羰基化合物；四甲基秋蘭姆單硫化物、四甲基秋蘭姆二硫化物等的硫化合物；以及2, 4, 6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等的酰基膦氧化物等。這些光聚合引發劑（C)可以一種單獨使用，也可以兩種以上并用。這些光聚合引發劑（C)中，從與單體的相溶性良好來說，優選羰基化合物，進一步優選二苯甲酮、 1_輕基環己基苯基酮。
[0033]活化能射線固化性組合物的組成比，從其與無機膜13的粘合性優良、滿足作為底涂層12的材料的彈性模量、形成的凹凸結構容易發生皺折現象來說，活化能射線固化性組合物總量中，優選單體（A)為10質量％?95質量％、單體（B)為1質量％?70質量％、光聚合引發劑（C) 0. 1質量％?20質量％，進一步優選單體（A)為30質量％?90質量％、單體⑶為5質量％?60質量％、光聚合引發劑（C)1質量％?10質量％。
[0034](其他成分）在不損害活化能射線固化組合物性能的范圍內，可以根據需要含光敏劑、有機溶劑、其他各種添加劑（流平劑、消泡劑、防沉劑、潤滑劑、研磨劑、防銹劑、抗靜電劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、阻聚劑等）、聚合物（聚酯類樹脂，丙烯酸類樹脂等）等中的至少一種材料。
[0035] 作為光敏劑，例如，可以列舉4-二甲基氨基苯甲酸甲酯、4-二甲基氨基苯甲酸乙酯、4-二甲基氨基苯甲酸戊酯和4-二甲基氨基苯乙酮等。
[0036] 作為有機溶劑，例如，可以列舉：丙酮、甲基乙基酮、環己酮、甲基異丁基等的酮類化合物；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乙酸甲氧基乙酯等的酯類化合物；乙醇、異丙醇、丁醇等的醇類化合物；二乙醚、乙二醇二甲醚、丙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二惡烷等的醚類化合物；甲苯、二甲苯等的芳香族化合物；以及戊烷、己烷、石油石腦油等脂肪族化合物等。活化能射線固化性組合物中含有機溶劑時，活化能射線固化性組合物總量中，有機溶劑的含量優選10質量％?80質量％。
[0037] 活化能射線固化性組合物中含有機溶劑時，活化能射線固化性組合物固化前加熱涂膜，使有機溶劑揮發。加熱溫度可以根據有機溶劑的種類適當選擇，從熱歷史的觀點來說，優選40°C?150°C，進一步優選60°C?130°C。加熱時間可以根據有機溶劑的種類適當選擇，從熱歷史的觀點來說，優選1分鐘?30分鐘，進一步優選3分鐘?20分鐘。作為加熱裝置，可以使用公知的加熱裝置等。例如，可以列舉熱板、紅外加熱器和暖風等。
[0038] 從容易發生形成凹凸結構的皺折現象來說，底涂層12的厚度優選0.lym? 100Um，進一步優選0? 2um?80um，更進一步優選0? 5um?40um。此外，底涂層12的厚度為層積無機膜13前的厚度，定義為單位面積ImmX1mm中的平均厚度。
[0039](無機膜 13) 無機膜13的表面具有凹凸結構。從容易發生形成凹凸結構的皺折現象來說，無機膜13 的層積方法優選濺射法、蒸鍍法、CVD法（化學氣相沉積法）以及離子鍍法，進一步優選濺射法、蒸鍍法、CVD法，更進一步優選濺射法。此外，皺折現象是指向底涂層12上層積無機膜13時發生的、由于底涂層12與無機膜 13的熱收縮率差和彈性模量差形成凹凸結構。本實施方式中，通過上述的層積方法，在底涂層12上層積無機膜13,以自組織形式在底涂層12和無機膜13上形成凹凸結構。
[0040] 濺射法是指在真空中導入非活性氣體（氬氣為主）的同時，在基板和靶之間施加直流或交流電（高頻），離子化的非活性氣體轟擊靶，積層濺射的靶物質的方法等的總稱。蒸鍍法是指使蒸發容器內為真空狀態加熱金屬等的物質，真空中成為氣體的金屬等物質轟擊并附著于基板，層積物質的方法等的總稱。 CVD法是指在熱的基板上，供給含有目標物質成分的原料氣體，在基板表面或氣相中，通過化學反應層積物質的方法等的總稱。離子鍍法是指金屬等的物質通過加熱蒸發，經由通過等離子體中使其帶正電荷，在附加負電荷的基板上，吸附蒸發后的金屬等的物質，層積物質的方法等的總稱。
[0041] 為了提高無機膜13和底涂層12之間的粘合性，在層積無機膜13前，可以對底涂層12表面實施UV臭氧處理、等離子體處理、電暈處理等的至少一種處理。此外，為除去基材11和底涂層12中含有的溶解氣體、未反應單體等，在層積無機膜13前，可以對層積體實施加熱處理、真空處理或加熱真空處理等。
[0042] 無機膜13的材料為導電性的金屬氧化物和導電性的金屬氮化物的至少一種材料。作為導電性的金屬氧化物和導電性的金屬氮化物的至少一種材料的無機膜13的材料，例如，可以列舉：IT0 (銦錫氧化物）、IZ0 (銦鋅氧化物）、FT0 (氟摻雜錫氧化物）、GZ0 (鎵摻雜鋅氧化物）、AZ0(錯摻雜鋅氧化物）、AT0(鋪摻雜錫氧化物）、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化鈦、氧化鎂、氧化鋯、二氧化硅等的金屬氧化物；以及氮化銦、氮化鎵、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化硅等的金屬氮化物。這些無機膜13的材料可以一種單獨使用，也可以兩種以上并用。這些無機膜13的材料中，從硬度和熱穩定性優良來說，優選ITO、IZ0、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化鋯、氮化銦、氮化鎵、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦，進一步優選ITO、IZ0、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化锫，更進一步優選ITO、IZ0、氧化銦、氧化錫。本實施方式的層積體10用作面發光體和太陽能電池時，由于其表面具有導電性的無機膜13,層積體10可以直接用作電極。
[0043] 形成無機膜13時，可以使用任何掩膜，得到僅在特定位置形成無機膜13的層積體 10。特別的，通過隔著電極圖案掩膜而形成導電性的無機膜13,可以使表面具有導電性的無機膜13的凹凸結構與面發光體和太陽能電池電極的形狀匹配形成。
[0044] 從容易發生形成凹凸結構的皺折現象來說，無機膜13的厚度優選0.lnm? lOOOnm，進一步優選lnm?800nm，更進一步優選5nm?500nm。此外，無機膜13的厚度，定義為單位面積ImmX1mm中的平均厚度。
[0045](層積體10的凹凸結構）本實施方式的層積體10,如后述的詳細說明，在以原子力顯微鏡拍攝的無機膜13的表面的圖像通過傅立葉變換得到的圖像中，以從圖像中心至〇點的方向的方位角為0°，從〇°開始，每隔10°沿徑向繪制亮度值圖而得到36個亮度值的近似曲線，其中，18個以上的近似曲線中可以觀察到最大值。
[0046] 本說明書中原子力顯微鏡拍攝的條件為：以微懸臂DFM(DynamicForcemode)在 50ymX50ym的范圍使用原子力顯微鏡拍攝，得到灰度圖像。得到的以原子力顯微鏡拍攝的圖像中，白度越高表示凹凸結構的凸部的頂部越高，白度越小表示凹凸結構的凹部的底部越深。
[0047] 本說明書中傅立葉變換的條件為將所述得到的灰度圖像全體進行傅立葉變化得到圖像。傅立葉變換得到的圖像中，白色部分表示凹凸結構的圖案等。此外，圖像的中心是指上述傅立葉變換得到的圖像的中心，即上述傅立葉變換得到的圖像的對角線的交點。
[0048] 本說明書的近似曲線的繪制方法如下所示。首先，將原子力顯微鏡拍攝的圖像 A(圖10)通過傅立葉變換得到圖像B。（圖11)此處，以從圖像B的中心至0點方向的方位角為0°。從0°開始，每隔10°沿徑向繪制亮度值圖，得到36個亮度值的圖。例如，圖12 所示的亮度值的圖為方位角90°的亮度值。分別算出得到的36個亮度值的圖的移動平均線，重新繪圖。例如，圖13為算出圖12所示的亮度值的圖的移動平均線、重新進行繪圖的圖。對得到的移動平均化后的36個亮度值的圖分別繪制6次多項式近似曲線。此為第一 6次多項式近似曲線。例如圖14為對圖13所示的曲線擬合繪制得到的第一 6次多項式近似曲線。
[0049] 上述得到的36個亮度值的第一 6次多項式近似曲線中，本實施方式的層積體10 在頻率0. 2ynT1?200ynT1下，18個以上的第一 6次多項式近似曲線中可以觀察到最大值，優選24個以上的第一 6次多項式近似曲線中可以觀察到最大值，進一步優選30個以上的第一 6次多項式近似曲線中可以觀察到最大值。第一 6次多項式近似曲線能夠觀察到的最大值越多，意味著具有各向同性，表示層積體10表面的凹凸結構為沿不規則方向延伸的結構，取出或封閉光的角度、波長的不均勻性小。此外，第一 6次多項式近似曲線中，頻率0. 2iinT1?200iinT1中的最大的亮度值的十分之一以下的亮度值的峰識別為噪音，不作為最大值識別。
[0050] 將得到的36個亮度值的圖進行擬合，算出移動平均線重新進行繪圖，對得到的移動平均化的曲線擬合繪制6次多項式近似曲線。此為第二6次多項式近似曲線。在第二6 次多項式近似曲線中，本實施例的層積體10在頻率〇. 2iinT1?200iim下，頻率0. 2iim 和亮度值為最大值的頻率之間，亮度值最小值的頻率設為頻率A，亮度值為最大值的一半的頻率中最大的頻率設為頻率B，頻率A的倒數和頻率B的倒數的差優選為0. 01ym?10ym，進一步優選為0? 05ym?8ym，更進一步優選為0? 10iim?7ym，特別優選0? 33ym? 5. 49ym〇此外，與上述傅立葉變化得到的圖像的中心對應的點的頻率為0UnT1。且第二6次多項式近似曲線中，頻率〇. 2iinT1?200iinT1中的最大的亮度值的十分之一以下的亮度值的峰識別為噪音，不作為最大值識別。
[0051] 第二6次多項式近似曲線如圖15所示。頻率0. 21111^和亮度值為最大值的頻率之間的亮度值為最小值的頻率A，在圖15中用A頻率表示。亮度值為最大值的一半的頻率中的最大頻率B，在圖15中用B頻率表示。頻率A的倒數和頻率B的倒數的差越大，意味著頻率分布越廣，表示層積體10的表面的凹凸結構的周期分布廣，有效地讓光衍射或散射。
[0052] 本實施方式的層積體10的無機膜13的表面凹凸結構的平均間距可以根據用途適當選擇，為容易形成凹凸結構，優選〇? 01ym?10lim，進一步優選0? 1lim?5lim，更進一步優選〇? 3um?4um，特別優選1. 01um?3. 02um。本實施方式的層積體10用作面發光體時，從光的衍射效率優良來說，凹凸結構的平均間距優選〇? 01Um?10um，進一步優選0? 3um?5um。本實施方式的層積體10用作太陽能電池時，為有效地讓光衍射或散射、且使光的角度和波長的不均勻性減少，凹凸結構的平均間距優選〇. 1ym?10lim，進一步優選0. 3lim? 5um〇此外，本實施方式中凹凸結構的平均間距表示凹凸結構的凹或凸的平均周期，是指對如前所述得到的36個亮度值的近似曲線進行平均化的曲線中頻率0. 21111^?ZOOilnr1中最大值的頻率的倒數。
[0053] 本實施方式的層積體10的無機膜13的表面的凹凸結構的凸部的平均高度可以根據用途適當選擇，從容易形成凹凸結構來說，優選0. 01ym?2lim，進一步優選0. 02lim? 1. 5um，更進一步優選0? 03um?1. 2um，特別優選0? 05um?0? 95um。本實施方式的層積體10作為面發光體使用時，從光取出效率優良來說，凹凸結構的凸部的平均高度優選〇. 01ym?1. 5ym，進一步優選0. 05ym?1. 2ym。本實施方式的層積體10用作太陽能電池時，從太陽能電池的光封閉效率優良、太陽能電池的轉換效率優良來說，凹凸結構的凸部的平均高度優選0. 03ym?2ym，進一步優選 0. 05um~ 1. 5um。此外，凹凸結構的凸部的平均高度，可以通過在以原子力顯微鏡拍攝的圖像中，繪制截面圖，算出與該繪制的截面圖中相鄰的凸部的頂點和凹部的底點的高度差。通過在 50ym?50ym的范圍測量五個點，算出凹凸結構的凸部的平均高度。
[0054] 優選本實施方式的層積體10的無機膜13的表面粗糙度Ra、線粗糙度Ra'、線粗糙度的最大值Ra'（max)以及線粗糙度的最小值Ra'（min)滿足下述式（1)，進一步優選滿足下述式（2)。另外，表面粗糙度Ra、線粗糙度Ra'以JISB0601-1994為基準測量。
[0055] 0? 13 彡（Ra，（max) -Ra'（min))/Ra彡 0? 82 (1)
[0056] 0? 20 < (Ra，（max) -Ra'（min))/Ra< 0? 80 (2)
[0057] 無機膜13滿足上述式（1)時，凹凸結構既不是有序結構，也不是無規結構，為其中間結構，即意味著凹凸結構為具有適當的有序性且具有適當的無序性的結構。無機膜（13) 滿足上述式（1)時，光可以有效衍射或散射，光的角度和波長中不均勻性小。
[0058] 因此，本實施方式的層積體10,在上述得到的36個亮度值的第一 6次多項式近似曲線中，在頻率0. 2ynT1?200ynT1下，24個以上的第一 6次多項式近似曲線可以觀察到最大值，第二6次多項式近似曲線中，在頻率0.ZiinT1?ZOOiinT1下，頻率0.ZiinT1和亮度值與最大值的頻率之間的亮度值最小值的頻率設為頻率A，亮度值的最大值的一半的頻率中最大的頻率設為頻率B，頻率A的倒數和頻率B的倒數的差優選為0. 05ym?8ym。此時，無機膜13表面的凹凸結構的平均間距可以為0.lum?5iim。進一步，此時無機膜13表面的凹凸結構的凸部的平均高度可以為0. 05ym?1. 5ym。進一步，此時底涂層的彈性模量可以為lOMPa以上、1800MPa以下。
[0059] 優選本實施方式的層積體10,在上述得到的36個亮度值的第一 6次多項式近似曲線中，在頻率0. 21111^?200iinT1下，24個以上的第一 6次多項式近似曲線中可以觀察到最大值，無機膜13表面的凹凸結構的平均間距0. 1iim?5ym。此時，無機膜13表面的凹凸結構的凸部的平均高度可以為0.05iim?1.5iim。進一步，此時底涂層的彈性模量可以為lOMPa以上、1800MPa以下。
[0060] 在上述得到的36個亮度值的第一 6次多項式近似曲線中，本實施方式的層積體10 在頻率0. 2ynT1?200ynT1下，24個以上的第一 6次多項式近似曲線可以觀察到最大值，無機膜13表面的凹凸結構的凸部的平均高度可以為0. 05ym?1. 5ym。此時，底涂層的彈性模量可以為lOMPa以上、1800MPa以下。
[0061] 在上述得到的36個亮度值的第一 6次多項式近似曲線中，本實施方式的層積體10 在頻率0. 2ynT1?200ynT1下，30個以上的第一 6次多項式近似曲線可以觀察到最大值，第二6次多項式近似曲線中，在頻率0. 2iinT1?200iim4下，頻率0. 2iim4和亮度值為最大值的頻率之間的亮度值為最小值的頻率為頻率A，亮度值的最大值的一半的頻率中最大的頻率為頻率B，頻率A的倒數和頻率B的倒數的差優選為0. 05ym?8ym。此時，無機膜13表面的凹凸結構的平均間距可以為0.lum?5iim。進一步，此時無機膜13表面的凹凸結構的凸部的平均高度可以為0. 02ym?1. 5ym。更進一步，此時底涂層的彈性模量可以為lOMPa以上、1800MPa以下。
[0062] 在上述得到的36個亮度值的第一 6次多項式近似曲線中，本實施方式的層積體10 在頻率0. 2ynT1?200ynT1下，30個以上的第一 6次多項式近似曲線可以觀察到最大值，無機膜13表面的凹凸結構的平均間距優選為0. 1ym?5ym。此時，無機膜13表面的凹凸結構的凸部的平均高度可以為0.02iim?1.5iim。進一步，此時底涂層的彈性模量可以為lOMPa以上、1800MPa以下。
[0063] 在上述得到的36個亮度值的第一 6次多項式近似曲線中，本實施方式的層積體10 在頻率0. 2ynT1?200ynT1下，30個以上的第一 6次多項式近似曲線可以觀察到最大值，無機膜13表面的凹凸結構的凸部的平均高度可以為0. 02ym?1. 5ym。此時，底涂層的彈性模量可以為lOMPa以上、1800MPa以下。
[0064] 本實施方式的層積體10包含無機材料基材、設置于所述基材之上的氨基甲酸酯丙烯酸酯混合物固化形成的底涂層、設置于所述底涂層上的其表面具有凹凸結構的無機膜，所述無機膜的材料為導電性的金屬氧化物和導電性的金屬氮化物中的至少一種材料，在用原子力顯微鏡拍攝的所述無機膜的表面的圖像進行傅立葉變換得到的圖像中，將從所述圖像的中心朝向〇點方向的方位角作為0°，從0°開始，每隔10°沿徑向繪制亮度值圖而得到36個亮度值的第一近似曲線，其中，18個以上的第一近似曲線中可以觀察到最大值。
[0065] 本實施方式的層積體10包含玻璃基材、設置于所述基材之上的氨基甲酸酯丙烯酸酯混合物固化形成的底涂層、設置于所述底涂層之上的其表面具有凹凸結構的無機膜，所述無機膜的材料為導電性的金屬氧化物和導電性的金屬氮化物中的至少一種材料，在用原子力顯微鏡拍攝的所述無機膜的表面的圖像進行傅立葉變換得到的圖像中，將從所述圖像的中心朝向0點方向的方位角作為0°，從0°開始，每隔10°沿徑向繪制亮度值圖而得到36個亮度值的第一近似曲線，其中，18個以上的第一近似曲線中可以觀察到最大值。 [0066] 本實施方式的層積體10包含樹脂基材、設置于所述基材之上的氨基甲酸酯丙烯酸酯混合物固化形成的底涂層、所述底涂層上設置的其表面具有凹凸結構的無機膜，所述無機膜的材料為導電性的金屬氧化物和導電性的金屬氮化物中的至少一種材料，將用原子力顯微鏡拍攝的所述無機膜的表面的圖像進行傅立葉變換得到的圖像中，將從所述圖像的中心朝向〇點方向的方位角作為0°，從0°開始，每隔10°沿徑向繪制亮度值圖而得到36 個亮度值的第一近似曲線，其中，18個以上的第一近似曲線中可以觀察到最大值。
[0067] 本實施方式的層積體10包含聚酯類樹脂基材、設置于所述基材之上的氨基甲酸酯丙烯酸酯混合物固化形成的底涂層、設置于所述底涂層之上的其表面具有凹凸結構的無機膜，所述無機膜的材料為導電性的金屬氧化物和導電性的金屬氮化物中的至少一種材料，將用原子力顯微鏡拍攝的所述無機膜的表面的圖像進行傅立葉變換得到的圖像中，將從所述圖像的中心朝向〇點方向的方位角作為0°，從0°開始，每隔10°沿徑向繪制亮度值圖而得到36個亮度值的第一近似曲線，其中，18個以上的第一近似曲線中可以觀察到最大值。
[0068] 本實施方式的層積體10包含無機材料基材、設置于所述基材之上的氨基甲酸酯丙烯酸酯混合物固化形成的底涂層、設置于所述底涂層之上的其表面具有凹凸結構的無機膜，所述無機膜的材料為導電性的金屬氧化物和導電性的金屬氮化物中的至少一種材料，將用原子力顯微鏡拍攝的所述無機膜的表面的圖像進行傅立葉變換得到的圖像中，將從所述圖像的中心朝向〇點方向的方位角作為0°，從0°開始，每隔10°沿徑向繪制亮度值圖而得到36個亮度值的第一近似曲線，其中，18個以上的第一近似曲線中可以觀察到最大值。
[0069] 本實施方式的層積體10包含玻璃基材、設置于所述基材之上的聚乙二醇二丙烯酸酯固化形成的底涂層、設置于所述底涂層之上的其表面具有凹凸結構的無機膜，所述無機膜的材料為導電性的金屬氧化物和導電性的金屬氮化物中的至少一種材料，將用原子力顯微鏡拍攝的所述無機膜的表面的圖像進行傅立葉變換得到的圖像中，將從所述圖像的中心朝向0點方向的方位角作為0°，從0°開始，每隔10°沿徑向繪制亮度值圖而得到36個亮度值的第一近似曲線，其中，18個以上的第一近似曲線中可以觀察到最大值。
[0070] 本實施方式的層積體10包含樹脂基材、設置于所述基材之上的聚乙二醇二丙烯酸酯固化形成的底涂層、設置于所述底涂層之上的其表面具有凹凸結構的無機膜，所述無機膜的材料為導電性的金屬氧化物和導電性的金屬氮化物中的至少一種材料，將用原子力顯微鏡拍攝的所述無機膜的表面的圖像進行傅立葉變換得到的圖像中，將從所述圖像的中心朝向〇點方向的方位角作為0°，從0°開始，每隔10°沿徑向繪制亮度值圖而得到36個亮度值的第一近似曲線，其中，18個以上的第一近似曲線中可以觀察到最大值。
[0071] 本實施方式的層積體10包含聚酯類樹脂基材、設置于所述基材之上的聚乙二醇二丙烯酸酯固化形成的底涂層、設置于所述底涂層之上的其表面具有凹凸結構的無機膜，所述無機膜的材料為導電性的金屬氧化物和導電性的金屬氮化物中的至少一種材料，將用原子力顯微鏡拍攝的所述無機膜的表面的圖像進行傅立葉變換得到的圖像中，將從所述圖像的中心朝向0點方向的方位角作為0°，從0°開始，每隔10°沿徑向繪制亮度值圖而得到36個亮度值的第一近似曲線，其中，18個以上的第一近似曲線中可以觀察到最大值。
[0072](用途）本實施方式的層積體10的表面具有導電性的無機膜13,表面有皺紋狀的凹凸結構，可以期待其用作多種用途。例如，通過將層積體10用作電極，可以將該電極用于面發光體和太陽能電池。
[0073](電極）本實施方式中的層積體10可以用作電極。本實施方式中的電極如圖1所示，包含基材 11、底涂層12、導電性的無機膜13。
[0074]作為導電性的無機膜13,例如，可以列舉導電性的金屬氧化物、導電性的金屬氮化物以及能夠形成具有光透過性的金屬薄膜的金屬等。作為導電性的金屬氧化物和導電性的金屬氮化物，可以列舉：IT0、IZ0、FT0、GZ0、AZ0、AT0、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化鈦、氧化鎂、氧化鋯、二氧化硅等的金屬氧化物；以及氮化銦、氮化鎵、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化硅等的金屬氮化物等。這些導電性的金屬氧化物、導電性的金屬氮化物可以一種單獨使用，也可以兩種以上并用。這些導電性的金屬氧化物、導電性的金屬氮化物中，從導電性來說，優選ITO、IZ0、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化鋯、氮化銦、氮化鎵、氮化錯、氮化锫以及氮化鈦，進一步優選ITO、IZ0、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化鋯，更進一步優選ITO、IZ0、氧化銦以及氧化錫。作為能夠形成具有光透過性的金屬薄膜的金屬，例如可以列舉金、鉬、銀、銅和鋁等。
[0075] 導電性的無機膜13可以是一層，也可以是兩層以上。從優良的導電性來說，導電性的無機膜13的厚度優選10nm以上，進一步優選50nm以上。此外，從優良的光透過性來說，導電性的無機膜13的厚度優選lOOOnm以下，進一步優選500nm以下。且導電性的無機膜的13的厚度通過階差?表面粗糙度?微細形狀測定裝置測定。本實施方式的導電性的無機膜13的厚度定義為單位面積ImmX1mm中的平均厚度。
[0076] 本實施方式的電極可以用作EL元件的電極以及太陽能電池的電極等。
[0077] (面發光體）作為本實施方式的面發光體，例如，可以列舉包括設置于具有凹凸結構表面的基材上的EL元件的面發光體等。EL元件至少包含第一電極、與第一電極相離設置的第二電極以及設置于第一電極和第二電極之間的發光層。圖2為顯不本實施方式的一例面發光體的截面圖。面發光體20包含層積體210、發光層21以及第二電極22。層積體210包含基材11、底涂層12以及第一電極23。作為層積體210,可以使用上述層積體10。即，作為層積體210，可以使用兼具上述具有凹凸結構表面的基材11以及設置于上述凹凸結構表面的第一電極 23的層積體10。此外，作為表面具有凹凸結構的基材11，可以使用上述層積體10。即，如圖3所示，面發光體20'可以包含層積體211、第一電極23、發光層21以及第二電極22而構成。層積體 211包含基材11、底涂層12以及無機膜13。
[0078] 包含本實施方式的層積體210的面發光體以及包含層積體211的面發光體20'，由于凹凸結構周期具有較廣分布且具有凹凸結構為沿不規則的方向而延伸的結構（即皺紋狀的凹凸結構），通過皺紋狀的凹凸結構進行有效的折射和散射，光的角度、波長的不均勻性低。因此，與現有的面發光體相比，光的取出效率高，可均勻照射大范圍。
[0079] 可以使用EL元件直接用作面發光體。為進一步提高光取出效率，可以在EL元件的光射出面側的表面上設置光取出部件，作為面發光體使用。
[0080] 作為光取出部件，可以列舉公知的光取出部件等，例如，可以列舉棱鏡片、柱面透鏡片、微透鏡片等的具有凹凸結構的部件；以及涂有微粒的部件等。具有凹凸結構的部件可以根據EL元件的取向分布、材料組成、凹凸結構的形狀、凹凸結構的大小、凹凸結構的配置以及凹凸結構的填充率等適當選擇。此外，具有凹凸結構部件的材料組成可以根據需要含光擴散粒子。作為涂有微粒的部件的形成方法，例如，可以列舉涂布分散在分散介質中的微粒再干燥分散介質的方法，以及涂布含微粒的固化性組合物后通過紫外線和熱等固化的方法等。
[0081] (EL元件） EL元件有底部發光型的EL元件以及頂部發光型的EL元件，本實施方式的層積體210 可以使用任意一型EL元件。底部發光型指的是于支撐基板上、層積構成EL元件的材料制作元件，通過支撐基板取出光的類型的EL元件，頂部發光型指的是于支撐基板上、層積構成EL元件的材料制作元件，從與支撐基板相反一側取出光的類型的EL元件。
[0082] (第一電極）第一電極23可以是陽極，也可以是陰扱。通常，第一電極23為陽扱。
[0083] 作為第一電極23的材料，例如，可以列舉導電性的金屬氧化物、導電性的金屬氮化物、導電性的有機高分子以及可形成具有光透過性的金屬薄膜的金屬等。作為導電性的金屬氧化物和導電性的金屬氮化物，例如，可以列舉ITO、IZO、FTO、GZ0、AZO、AT0、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化鈦、氧化鎂、氧化锫、二氧化娃等的金屬氧化物；以及氮化銦、氮化鎵、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化硅等的金屬氮化物等。這些導電性的金屬氧化物、導電性金屬氮化物可以一種單獨使用，也可以兩種以上并用。這些導電性的金屬氧化物、導電性金屬氮化物中，從導電性優良來說，優選ITO、IZ0、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化鋯、氮化銦、氮化鎵、氮化鋁、氮化鋯以及氮化鈦，進一步優選ITO、IZ0、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化鋯，更進一步優選IT0、IZ0、氧化銦以及氧化錫。導電性的金屬氧化物、導電性的金屬氮化物可以直接用作本實施方式的層積體的無機膜13。作為導電性的有機高分子，例如，可以列舉聚苯胺及其衍生物、聚噻吩、PED0T-PSS(聚 3,4-乙撐二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸）及其衍生物等。作為可以形成具有光透過性的金屬薄膜的金屬，例如可以列舉金、鉬、銀、銅和鋁等。
[0084] 第一電極23可以是一層，也可以是兩層以上。第一電極23,在表面具有凹凸結構。從優良的導電性來說，第一電極23的厚度優選10nm以上，進一步優選50nm以上。此夕卜，從優良的光透過性來說，第一電極的厚度優選l〇〇〇nm以下，進一步優選500nm以下。另夕卜，第一電極的厚度可以通過階差?表面粗糙度?微細形狀測定裝置測定。本實施方式的第一電極23的厚度定義為單位面積ImmX1mm中的平均厚度。
[0085](第二電極）第二電極22可以是陽極，也可以是陰扱。通常，第二電極22為陰極。
[0086] 作為第二電極22的材料，例如，可以列舉鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鈧、釩、鋅、釔、銦、鈰、釤、銪、鋱、鐿等的金屬；這些金屬中的兩種以上組合的合金；這些金屬的氟化物等的金屬鹽類；以及這些中的一種以上與金、銀、鉬、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫中的一種以上的合金等。作為合金，例如，可以列舉鎂_銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金等。
[0087]第二電極22可以是一層，也可以是兩層以上。從優良的導電性來說，第二電極22的厚度優選5nm以上，進一步優選10nm以上。此外，從耐久性優良來說，第二電極22的厚度優選lOOOnrn以下，進一步優選300nm以下。另外，第二電極22的厚度可以通過階差?表面粗糙度?微細形狀測定裝置測定。本實施方式的第二電極22的厚度定義為單位面積ImmX1mm中的平均厚度。
[0088]第一電極和第二電極22可以是一方具有透過性另外一方具有反射性，也可以兩者均具有透過性。
[0089](發光層）面發光體為有機EL兀件時，發光層21含有機化合物的發光材料。面發光體為無機EL兀件時，發光層21含無機化合物的發光材料。作為有機化合物的發光材料，例如，可以列舉銥絡化物（三（2-苯基吡啶））銥摻雜的作為磷光性化合物的基質化合物的咔唑衍生物（4, 4'-N，N'_二咔唑-二苯基等）；8_羥基喹啉或其衍生物的金屬絡化物（三（8-羥基喹啉）鋁等）；以及其他公知的發光材料等。發光層21除了發光材料以外，還可含有空穴輸送性材料、電子輸送性材料等。
[0090] 發光層21可以是一層，也可以是兩層以上。例如，面發光體用作白色的有機EL照明時，發光層21也可以是具有藍發光層、綠發光層以及紅發光層的層積結構。發光層21的厚度，優選lnm?100nm，進一步優選10nm?50nm。另外，發光層21的厚度可以通過階差?表面粗糙度?微細形狀測定裝置測定。本實施方式的發光層21的厚度定義為單位面積ImmX1mm中的平均厚度。
[0091] (EL元件的制造方法）例如，EL元件通過下述工序1(工序（A)?（B))或下述工序2(工序（a)?（c))的方法等制造。這些EL元件的制造方法中，從可以減少工序數而得到EL元件來說，優選工序1。
[0092](工序1) 為形成如圖2所示的面發光體20中包含的EL元件的、由工序（A)?（B)構成的工序 1如下所示。工序（A):在本實施方式的層積體210的第一電極23的表面，層積發光層21的材料，形成發光層21的工序。工序（B):工序（A)后，層積第二電極22的材料，形成第二電極22的工序。
[0093](工序2) 為形成如圖3所示的面發光體20'中包含的EL元件的、由工序（a)?（c)構成的工序 2如下所示。工序（a):在本實施方式的層積體210的無機膜13的表面，層積第一電極的材料，形成第一電極23的工序。工序（b):工序（a)后，層積發光層21的材料，形成發光層21的工序。工序（c):工序（b)后，層積第二電極22的材料，形成第二電極22的工序。
[0094] 作為工序（a)等的層積方法，例如，可以列舉濺射法、蒸鍍法以及離子鍍法等。這些層積方法中，從容易形成第一電極來說，優選濺射法。為使凹凸結構和第一電極的粘合性高，在工序（a)前，可以對層積體211的無機膜13的表面實施UV臭氧處理、等離子體處理以及電暈處理等的至少一種處理。此外，為除去層積體10含有的溶解氣體、未反應單體等，在工序（a)前，也可以實施層積體10的加熱處理、真空處理、加熱真空處理等的至少一種處理。
[0095] 作為工序（A)以及工序（b)的層積方法，例如，可以列舉濺射法、蒸鍍法以及離子鍍法等。這些層積方法中，在發光層21的材料為有機化合物時，為容易形成發光層21，優選蒸鍍法。
[0096] 作為工序⑶以及工序（c)的層積方法，例如，可以列舉濺射法、蒸鍍法以及離子鍍法等。這些層積方法中，在發光層21的材料為有機物時，為不損害發光層21地容易地形成第二電極22,優選蒸鍍法。
[0097] 在第一電極23和發光層21之間或第二電極22和發光層21之間設置其他功能層時，在發光層21的形成前后，可以按照與發光層21同樣的方法、條件形成其他功能層。作為其他功能層，例如，可以列舉空穴注入層、空穴輸送層、空穴阻止層、電子輸送層以及電子注入層等。
[0098] 空穴注入層是含有空穴注入材料的層。作為空穴注入材料，例如，可以列舉氧化鑰、氧化釩等的過渡金屬類的氧化物；銅酞菁；具有導電性的有機高分子；以及其他公知的有機的空穴注入材料等。空穴注入層的厚度，為過渡金屬系的氧化物時優選2nm?20nm，進一步優選3nm? 10nm。此外，其為有機的空穴注入材料時優選lnm?100nm，進一步優選10nm?50nm。 [0099](空穴輸送層）空穴輸送層為含空穴輸送性材料的層。作為空穴輸送層，例如，可以列舉三苯基二胺類（4, 4-雙（間甲苯基苯基氨基）聯苯等）；以及其他公知的空穴輸送性材料等。空穴輸送層的厚度優選lnm?lOOnm，進一步優選10nm?50nm。
[0100](空穴阻止層）空穴阻止層為含空穴阻止材料的層。作為空穴阻止材料，例如，可以列舉2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲咯啉等；以及其他的公知的空穴阻止材料等。空穴注入層的厚度優選lnm?100nm，進一步優選5nm?50nm。
[0101](電子輸送層）電子輸送層為含電子輸送材料的層。作為電子輸送層，可以列舉8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡化物、惡二唑衍生物；以及其他公知的電子輸送性材料。電子輸送層的厚度優選lnm?lOOnm，進一步優選10nm?50nm。
[0102] (電子注入層）電子注入層為含電子注入材料的層。作為電子注入材料，例如，可以列舉堿金屬化合物（氟化鋰等）；堿土類金屬化合物 (氟化鎂等）；金屬（鍶等）；以及其他公知的電子注入材料。電子注入層的厚度優選〇?lnm?50nm，進一步優選0? 2nm?10nm。此外，其他功能層的厚度可以通過階差?表面粗糙度?微細形狀測定裝置測定。
[0103](太陽能電池）作為太陽能電池，例如，可以列舉包含表面具有凹凸結構的基材、設置于凹凸結構表面的透明電極、光電變換層以及背電極的太陽能電池等。圖4為顯示本實施方式的一例太陽能電池的截面圖。太陽能電池30包含層積體310、光電變換器31以及背電極32。層積體 310包含基材11、底涂層12以及透明電極33。即，作為層積體310,可以使用兼有所述表面具有凹凸結構的基材11和所述設置于凹凸結構的表面的透明電極33的兩者的層積體10。此外，作為表面具有凹凸結構的基材11，可以使用上述層積體10。即，如圖5所示，太陽能電池30'可以包含層積體311、透明電極33、光電變換層31以及背電極32而構成。層積體311包含基材11、底涂層12和無機膜13。
[0104] 包含本實施方式的層積體310的太陽能電池30以及包含層積體311的太陽能電池30'，由于凹凸結構的周期具有較廣的分布、且凹凸結構具有沿不規則方向而延伸的結構 (即，皺紋狀的凹凸結構），通過皺紋狀的凹凸進行有效的衍射或散射。因此，不僅較大范圍的波長的光被封閉，通過衍射或散射，對于太陽能電池，光變為從斜向入射，太陽能電池的光路長度變長。其結果是，太陽能電池的光封閉效率提高，太陽能電池的轉換效率提升。
[0105] 作為基材11的材料，只要是可以透過光的材料就可以，例如，可以列舉玻璃、聚酯類樹脂、丙烯酸類樹脂、碳酸酯類樹脂、苯乙烯類樹脂、纖維素類樹脂以及烯烴類樹脂等。基材可以使用單獨一種材料，也可以層積兩種以上。作為基材，可以直接使用本實施方式的層積體10的基材11。
[0106] 作為透明基材33的材料，例如，可以列舉11'0、120、？1'0、620、420、41'0、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化鈦、氧化鎂、氧化鋯、二氧化硅等的金屬氧化物；以及氮化銦、氮化鎵、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化硅等的金屬氮化物等。這些導電性的金屬氧化物、導電性的金屬氮化物可以一種單獨使用，也可以兩種以上并用。這些導電性的金屬氧化物、導電性的金屬氮化物中，從導電性優良來說，優選ITO、IZO、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化鋯、氮化銦、氮化鎵、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦，進一步優選ITO、IZO、氧化銦、氧化錫、氮化銦，更進一步優選 IT0、IZ0、氧化銦、氧化錫。作為透明電極33,可以直接使用本實施方式的層積體10的無機膜13。
[0107] 光電變換層31為薄膜半導體組成的層。作為薄膜半導體，例如，可以列舉非晶硅類半導體、微晶硅類半導體、化合物半導體（黃銅礦類半導體、CdTe類半導體等）、以及有機類半導體等。
[0108] 作為背電極32的材料，例如，可以列舉金、鉬、銀、銅、鋁等的金屬薄膜；以及IT0、 IZ0、氧化銦、氧化鋅、氧化錫等的導電性的金屬氧化物等。
[0109] 作為透明電極33、光電交換層31、背電極32的層積方法，例如，可以列舉濺射法、蒸鍍法以及離子鍍法等。為提高各層的粘合性，可以在層積前實施UV臭氧處理、等離子體處理、電暈處理等的至少一種處理。此外，為除去含有的溶解氣體、未反應單體等，在層積前，可以對凹凸基板實施加熱處理、真空處理或加熱真空處理等的至少一種處理。此外，透明電極33、光電交換層31、背電極32的厚度可以通過階差?表面粗糙度?微細形狀測定裝置測定。
[0110] 根據需要，可以在太陽能電池30與30'的光入射面側的表面設置保護用樹脂層，也可進一步于樹脂層的表面設置背膜（A7一卜）。
[0111] 以下，通過實施例對本發明的實施方式進行具體說明，但本發明并不限于這些實施例。此外，實施例中的"份"以及" ％ "表示"質量份"以及"質量％ "。
[0112] (彈性模量測定）在用準分子激光洗凈（172nm紫外燈、（株）=^ 7制造）的玻璃基材 (商品名一夕''>XG"。一二 >夕''社制造、長度5cm、寬度5cm、厚度0.7mm)上，滴入底涂層用的活化能射線固化性組合物（厚度200ym)。在熱板上，60°C下加熱10分鐘后，照射紫外線（累積光量l〇〇〇mJ/Cm2,固化活化能射線固化性組合物。活化能射線固化性組合物固化后的玻璃基材使用微小硬度試驗機（型號*夂一義^ 一 7。HM2000，，、7v\ -社制造），在力強度50mN/10秒、蠕變時間5秒的條件下，測定5個位置的彈性模量，其平均值作為底涂層材料的彈性模量。
[0113](表面形狀測定）實施例1?22記載的層積體的表面形狀按照以下的方法測定。對各個層積體，使用原子力顯微鏡（型號"VN_8〇10，，、（株）#一工制造、力bw'-DFM/SS mode)，在 50iimX50iim的范圍中測定5點。以50iimX50iim的范圍中測定的5點的總范圍作為分析范圍，根據JISB0601-1994 的表面粗糙度測量，計算5點的平均的算術平均表面粗糙度Ra、最大高度Ry、十點平均高度 Rz、根均方表面粗糙度RMS。對50iimX50iim的范圍中測定的5點，根據JISB0601-1994的線粗糙度測量，劃出 45ym寬的測定線，以該45ym寬的測定線為基軸，其中心為旋轉中心，以15°為單位旋轉，對各旋轉角度，與基軸的測定線相同地劃出45pm寬的測定線，測量共12條測定線。計算該共計12條的測定線中的凹凸平均間隔的5點的平均值Sm。表面形狀測定使用實施例1?22中得到的層積體進行。比較例1?9得到的層積體由于其層積體的表面平坦，難以進行表面形狀測定。
[0114](電阻測量）實施例1?22以及比較例1?9記載的層積體的無機膜的導電性使用電阻率儀（型號"口b7夕GP"、三菱化學7U々社制造）和4點探針，根據JISK7194測定。此外，將十次測定的平均值作為電阻值。
[0115](表面形狀分析）實施例1?22記載的層積體的表面形狀的分析按照以下進行。各個層積體使用原子力顯微鏡（（型號"VN_8〇10，，、（株）# 一工> 7制造、力> ^bw'-DFM/SSMode)，在 50iimX50iim的范圍中拍攝5點，得到灰度圖像。得到的灰度圖像的圖像整體進行傅立葉變換，得到圖像。從得到的圖像中心每隔10°進行沿徑向繪制亮度值圖，得到36個亮度值的圖，作成第一 6次近似曲線。得到的36個亮度值的第一 6次近似曲線中，頻率0. 2iinT1? 2001111^中，確認對多少個亮度值的第一 6次近似曲線可以觀察到最大值。此外，在將36個亮度值的第一 6次近似曲線的進行平均的曲線中，頻率0. 21111^? 2001111^中的中心和亮度值的最大值之間的亮度值的最小值的頻率設為頻率A，亮度值為最大值的一半的頻率中的最大頻率設為頻率B，算出頻率A的倒數和頻率B的倒數的差。另外，凹凸結構的平均間距設為在將36個亮度值的第一 6次近似曲線進行平均的第二 6次近似曲線中、頻率0. 2iinT1?200iinT1中的最大值的頻率的倒數。進一步，凹凸結構的凸部的平均高度為從以原子力顯微鏡拍攝的圖像繪制截面圖、測定五處該繪制的截面圖中的相鄰凸部的頂點和凹部的底點的高度差的平均值。
[0116](光取出效率）實施例23、比較例10、比較例11得到的面發光體（有機EL發光裝置）的光取出效率按照以下方法得到。在面發光體上，配置空有直徑l〇mm的孔的厚度0? 1mm的遮光板，將其配置在積分球（9 7 1 7社制造、大小6英寸）的樣品的開口部。在這個狀態下，當在有機EL發光裝置（面發光體）中通入10mA的電流點燈時，用分光光度計（分光器：型號"PMA-12"（濱松*卜二夕義株式會社制造、Software:Soft名"PMA用基本 S〇ftWareU6039-01ver. 3. 3. 1"）測量從遮光板的直徑10mm的孔射出的光，使用標準的光度曲線進行校正，計算出面發光體的光子數。將比較例10得到的面發光體的光子數設為100%時，得到的面發光體的光子數的百分比為光取出效率。
[0117][實施例1] 在用準分子激光洗凈（172nm紫外燈、（株）=^ 7制造）的玻璃基材 (商品名" ^ 一夕'' >XG"。一二 > 夕''株式會社制造、長度5cm、寬度5cm、厚度0? 7mm)上旋涂 (轉數500rpm、厚度3ym)作為形成底涂層用的活化能射線固化型組合物氨基甲酸酯丙烯酸酯混合物（商品名"夕'' 4 ^匕一^UM-8002"、三菱> 4 3 >株式會社制造）。將旋涂有氨基甲酸酯丙烯酸酯混合物的玻璃基材在熱板上60°C下加熱10分鐘后，照射紫外線（累積光量lOOOmJ/cm2)、固化活化能射線固化性組合物。這樣，在玻璃基板上層積底涂層。接著，在底涂層上，使用RF濺射裝置（型號"SVC-700RF"、^ >二一電子株式會社制造），層積20nmITO,得到層積體。得到的層積體的表面形狀等如表1所示。
[0118][實施例2?6] 除IT0的層積體的厚度為表1所示以外，進行實施例1同樣的操作，得到層積體。IT0 的厚度為40nm的層積體作為實施例2。IT0的厚度為60nm的層積體作為實施例3。IT0的厚度為80nm的層積體作為實施例5。IT0的厚度為100nm的層積體作為實施例6。得到的層積體的表面形狀等如表1所示。此外，實施例5得到的層積體的以原子力顯微鏡拍攝得到的圖像（50ymX50iim)如圖6所示。
[0119][比較例1] 除在準分子激光洗凈的玻璃基材上，不層積底涂層、層積ITO100nm以外，按照實施例 1進行同樣的操作，不能得到表面具有凹凸結構的層積體。得到的層積體的電阻值如表1所示。
[0120] [實施例7] 除在聚對苯二甲酸乙二酯樹脂基板（商品名" =7i4 >A4100，，、東洋紡織株式會社制造、厚度188ym)上，層積lOOnmIT0以外，進行與實施例1同樣的操作，得到層積體。得到的層積體的表面形狀等如表1所示。
[0121] [實施例8?9] 除無機膜的材料為IZ0、無機膜的層積量為表1所示厚度以外，進行與實施例1同樣的操作，得到層積體。IZ0的厚度為50nm的層積體作為實施例8。IZ0的厚度為lOOnm的層積體作為實施例9。得到的層積體的表面形狀等如表1所示。
[0122] [實施例10?11] 除作為形成底涂層用的活化能射線固化型組合物將氨基甲酸酯丙烯酸酯混合物（商品名"夕M\匕'一AUM-8003-1，，、三菱b4 3 >株式會社制造）層積為厚度8iim、無機膜的材料為IZ0、無機膜的層積量為表1所示的厚度以外，進行與實施例1同樣的操作，得到層積體。IZ0的厚度為50nm的層積體作為實施例10。IZ0的厚度為lOOnm的層積體作為實施例 11。得到的層積體的表面形狀等如表1所示。此外，實施例10得到的層積體的以原子力顯微鏡拍攝得到的圖像（50ymX50iim)如圖7所示。
[0123][比較例2] 除在準分子激光洗凈的玻璃基材上，不層積底涂層、層積IZOlOOnm以外。進行與實施例8同樣的操作，不能得到表面具有凹凸結構的層積體。得到的層積體的電阻值如表1所示。
[0124][實施例12?13] 除無機膜的材料為Zr02 (氧化鋯、寸>a-電子株式會社制造）、無機膜的層積量如表 1所示厚度以外，進行實施例1同樣的操作，得到層積體。21〇2的厚度為5nm的層積體作為實施例12。Zr02W厚度為36nm的層積體作為實施例13。得到的層積體的表面形狀等如表1所示。此外，實施例12得到的層積體的以原子力顯微鏡拍攝得到的圖像（50ymX50iim)如圖8所示。
[0125][比較例3] 除在準分子激光洗凈的玻璃基材上，不層積底涂層，層積Zr025nm以外。進行與實施例 12同樣的操作，不能得到表面具有凹凸結構的層積體。得到的層積體的電阻值如表1所示。
[0126][實施例 14] 除無機膜的材料為Si02 (二氧化硅、寸>a-電子株式會社制造）、無機膜的層積量如表1所示厚度以外，進行與實施例1同樣的操作，得到凹凸基板。得到的層積體的表面形狀等如表1所示。
[0127][比較例4] 除在準分子激光洗凈的玻璃基材上，不層積底涂層，層積Si0210nm以外。進行與實施例14同樣的操作，不能得到表面具有凹凸結構的層積體。得到的層積體的電阻值如表1所示。
[0128][實施例 15] 在實施例12得到的層積體的無機膜上，使用RF濺射裝置，進一步層積ITOlOOnm，得到層積有兩層無機膜的層積體。得到的層積體的表面形狀如表2所示。此外，得到的層積體的以原子力顯微鏡拍攝得到的圖像（50ymX50iim)如圖9所示。
[0129][實施例 16] 在實施例12得到的層積體的無機膜上，使用RF濺射裝置，進一步層積ITO200nm，得到層積有兩層無機膜的層積體。得到的層積體的表面形狀等如表2所示。
[0130][比較例5] 在比較例3得到的基板的無機膜上，使用RF濺射裝置，進一步層積ITO100nm，得到層積有兩層無機膜的層積體。得到的層積體的電阻值如表2所示。
[0131][比較例6] 在比較例3得到的基板的無機膜上，使用RF濺射裝置，進一步層積ITO200nm，得到層積有兩層無機膜的層積體。得到的基板的電阻值如表2所示。
[0132][實施例 17] 在實施例14得到的層積體的無機膜上，使用RF濺射裝置，進一步層積ITO100nm，得到層積有兩層無機膜的層積體。得到的層積體的表面形狀等如表2所示。
[0133][實施例 18] 在實施例14得到的層積體的無機膜上，使用RF濺射裝置，進一步層積IZ0 100nm，得到層積有兩層無機膜的層積體。得到的層積體的表面形狀等如表2所示。
[0134][比較例7] 在比較例4得到的基板的無機膜上，使用RF濺射裝置，進一步層積ITO100nm，得到層積有兩層無機膜的基板。得到的基板的電阻值如表2所示。
[0135][比較例8] 在比較例4得到的基板的無機膜上，使用RF濺射裝置，進一步層積IZO100nm，得到層積有兩層無機膜的基板。得到的基板的電阻值如表2所示。
[0136][實施例 19] 除作為底涂層用的活化能射線固化性組合物將聚乙二醇二丙烯酸酯（商品名 "A-200"、新中村化學工業株式會社制造）層積為厚度2ym外，進行與實施例2同樣的操作，得到層積體。得到的層積體的表面形狀等如表2所示。
[0137][實施例 20] 除作為底涂層用的活化能射線固化性組合物將聚乙二醇二丙烯酸酯（商品名 "A-400"、新中村化學工業株式會社制造）層積為厚度2ym的外，進行與實施例2同樣的操作，得到層積體。得到的層積體的表面形狀等如表2所示。
[0138][實施例 21] 除作為底涂層用的活化能射線固化性組合物將聚乙二醇二丙烯酸酯（商品名 "A-1000"、新中村化學工業株式會社制造）層積為厚度2ym外，進行實施例2同樣的操作，得到層積體。得到的層積體的表面形狀等如表2所示。此外，得到的層積體的以原子力顯微鏡拍攝得到的圖像（50ymX50iim)如圖16所示。
[0139][實施例 22] 除作為底涂層用的活化能射線固化性組合物聚丁二醇二丙烯酸酯（商品名 "PB0M2000"、三菱b4 3 >株式會社制造）層積為厚度2iim的外，進行實施例2同樣的操作，得到層積體。得到的層積體的表面形狀等如表2所示。此外，得到的層積體的以原子力顯微鏡拍攝得到的圖像（SOymXSOym)如圖10所示。將該以原子力顯微鏡拍攝得到的圖像通過傅立葉變換得到的圖像如圖11所示。
[0140][比較例9] 在20cmX20cm的鏡面不銹鋼板上，使用噴砂裝置（型號名"PAM107"、（株）二7 一制造），在壓力0. 3MPa、速度20mm/秒、間距2. 5mm、供給量30%的條件下，通過氧化錯顆粒（商品名"A400S"）在不銹鋼板上進行加工，得到模具。在得到的模具上滴加作為底涂層形成用的活化能射線固化型組合物的聚乙二醇二丙烯酸酯（商品名"A-200"、新中村化學工業株式會社制造），其上覆蓋通過準分子激光洗凈 (172nmUV燈、（株）工么? 工今；7制造）的玻璃基材（商品名一夕'' >XG"、。一二^夕''株式會社制造、長度5cm、寬度5cm、厚度0. 7mm)、用手滾筒推開。透過玻璃照射紫外線（累積光量lOOOmJ/cm2)，固化活化能射線固化性組合物，從模具剝離在基材上層積底涂層。然后，在底涂層上，使用RF濺射裝置（型號名"SVC-700RF"、^f>二一電子株式會社制造），層積ITOlOOnm，得到層積體。得到層積體的表面形狀等如表2所示。此外，得到的層積體的以原子力顯微鏡拍攝得到的圖像（50ymX50iim)如圖17所示。
[0141][表 1]
[0142][表 2]

【權利要求】
1. 一種層積體，其包含基材、所述基材之上的底涂層以及所述底涂層之上的無機膜，其特征在于，所述無機膜的材料為導電性的金屬氧化物以及導電性的金屬氮化物中的至少一種材料，將用原子力顯微鏡拍攝的所述無機膜的表面的圖像進行傅立葉變換得到的圖像中，將從所述傅立葉變換得到的圖像的中心朝向0點方向的方位角作為0°，從0°開始，每隔 10°沿徑向繪制亮度值圖而得到36個亮度值的第一近似曲線，在所述36個亮度值的第一近似曲線中，18個以上的第一近似曲線中可以觀察到最大值。
2. 根據權利要求1所述的層積體，其特征在于，在擬合所述36個亮度值的圖得到的圖的第二近似曲線中，將頻率O^iinT1與亮度值為最大值的頻率之間、亮度值為最小值的頻率設為頻率A，亮度值為最大值的一半的頻率中最大的頻率設為頻率B，頻率A的倒數與頻率B的倒數的差為0. 01 u m?10 u m。
3. 根據權利要求1所述的層積體，其特征在于，所述無機膜表面的凹凸結構的平均間距為〇? 05 u m ?4 u m。
4. 根據權利要求1所述的層積體，其特征在于，所述無機膜表面的凹凸結構的凸部的平均高度為〇. 01 y m?2 u m。
5. 根據權利要求1所述的層積體，其特征在于，所述無機膜表面的表面粗糙度Ra、線粗糙度Ra'、線粗糙度的最大值Ra'（max)以及線粗糙度的最小值Ra'（min)滿足下述式（1); [式1] 0. 13 ^ (Ra' (max)-Ra' (min))/Ra ^ 0. 82 (1)
6. 根據權利要求1所述的層積體，其特征在于，所述底涂層的彈性模量為ISOOMPa以下。
7. 根據權利要求1所述的層積體，其特征在于，所述無機膜的材料為選自銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化锫、氮化銦、氮化鎵、氮化錯、氮化锫以及氮化鈦形成的組中的至少一種材料。
8. -種層積體的制造方法，其特征在于，在基材上涂布活化能射線固化性組合物，所述活化能射線固化性組合物含有具有氨基甲酸酯基、苯基以及氧化烯基中的至少一種官能團的單體，照射活化能射線，將所述活化能射線固化性組合物固化形成底涂層，通過濺射法、蒸鍍法以及CVD方法中的任一種方法，在所述底涂層之上層積導電性的金屬氧化物以及導電性的金屬氮化物中的至少一種材料的無機膜，在表面形成凹凸結構。
9. 根據權利要求8所述的層積體的制造方法，其特征在于，所述無機膜的材料為選自銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化锫、氮化銦、氮化鎵、氮化錯、氮化鋯、氮化鈦形成的組中的至少一種材料。
10. 根據權利要求8所述的層積體的制造方法，其特征在于，所述底涂層的層積方法為濺射法或蒸鍍法。
11. 一種電極，其特征在于，包含權利要求1所述層積體。
12. -種EL元件，其特征在于，包含權利要求1所述層積體。
13. -種面發光體，其特征在于，包含權利要求12所述EL元件。
14. 一種太陽能電池，其特征在于，包含權利要求1所述層積體。
【文檔編號】H05B33/14GK104508849SQ201380039381
【公開日】2015年4月8日申請日期:2013年7月22日優先權日:2012年7月25日
【發明者】椋木一詞, 佐伯裕美子, 服部俊明, 小并諭吉, 古川浩二申請人:三菱麗陽株式會社

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