一種底部分離式碳化硅晶體生長用石墨坩堝的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種底部分離式碳化硅晶體生長用石墨坩堝，包括坩堝壁與坩堝底蓋，所述坩堝壁與所述坩堝底蓋相連接，且形成一封閉內腔，所述坩堝底蓋的內壁上設有一層隔離層。本實用新型的坩堝壁與坩堝底蓋可拆分，在晶體生長結束后，可以將坩堝底蓋和坩堝壁很容易的分拆，不受底部沉積的晶體的影響，提高坩堝利用率，使清理坩堝工作得以簡化。
【專利說明】一種底部分離式碳化硅晶體生長用石墨坩堝
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種底部分離式碳化硅晶體生長用石墨坩堝。
【背景技術】
[0002]現有物理氣相沉積法生長碳化硅單晶常見為上開蓋的石墨坩堝，即石墨坩堝為底部封底，頂端開口的石墨圓筒，將原料放置在石墨坩堝底部，將粘有籽晶的坩堝蓋安裝在坩堝開口端。晶體生長完成后，坩堝底端的碳化硅結晶與坩堝粘接在一起難以取下，影響坩堝再次使用。
[0003]物理氣相沉積法生長SiC晶體過程中，裝有碳化硅原料的坩堝被加熱后，碳化硅原料在高溫下升華，并在坩堝內溫度相對略低的位置沉積。
[0004]坩堝頂端籽晶位置和坩堝底部溫度均低于原料高溫區，都會發生氣體沉積而形成整塊晶體。沉積在坩堝底部的結晶物會與坩堝壁發生粘接或相互擠壓，在晶體生長結束后很難去除，使坩堝無法清理干凈甚至需要對坩堝進行物理破壞才能使坩堝與底部沉積的晶體分離，影響再次使用，使用成本較高，清理過程較為耗時。
實用新型內容 [0005]本實用新型所要解決的技術問題是提供一種成本低、效率高、節約時間的底部分離式碳化硅晶體生長用石墨坩堝。
[0006]本實用新型解決上述技術問題的技術方案如下:一種底部分離式碳化硅晶體生長用石墨坩堝，包括坩堝壁與坩堝底蓋，所述坩堝壁與所述坩堝底蓋相連接，且形成一封閉內腔，所述坩堝底蓋的內壁上設有一層隔離層。
[0007]本實用新型的有益效果是:本實用新型的坩堝壁與坩堝底蓋可拆分，在晶體生長結束后，可以將坩堝底蓋和坩堝壁很容易的分拆，不受底部沉積的晶體的影響，提高坩堝利用率，使清理坩堝工作得以簡化。不但使用效率提高，而且節省了成本。
[0008]在上述技術方案的基礎上，本實用新型還可以做如下改進。
[0009]進一步，所述隔離層為石墨紙。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型底部分離式碳化硅晶體生長用石墨坩堝的結構示意圖；
[0011]附圖中，各標號所代表的部件列表如下:
[0012]1、坩堝壁，2、坩堝底蓋，3、隔離層，4、籽晶，5、碳化硅晶體，6、剩余碳化硅原料，
7、?甘禍底部結晶。
【具體實施方式】
[0013]以下結合附圖對本實用新型的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本實用新型，并非用于限定本實用新型的范圍。[0014]一種底部分離式碳化硅晶體生長用石墨坩堝，如圖1所示，包括坩堝壁I與坩堝底蓋2，所述坩堝壁I與所述坩堝底蓋2相連接，且形成一封閉內腔，所述坩堝底蓋2的內壁上設有一層隔離層3。
[0015]所述隔離層3為石墨紙。
[0016]本實用新型坩堝底蓋2與坩堝壁I為分體式，晶體生長結束后較易分離。且在坩堝底蓋2的內壁上設有石墨紙作為隔離層3，晶體生長結束后，底部結晶與本實用新型坩堝更較易分離。
[0017]圖1中,標號4代表籽晶,標號5代表碳化娃晶體,標號6代表剩余碳化娃原料,標號7代表坩堝底部結晶。
[0018]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種底部分離式碳化硅晶體生長用石墨坩堝，其特征在于:包括坩堝壁與坩堝底蓋，所述坩堝壁與所述坩堝底蓋相連接，且形成一封閉內腔，所述坩堝底蓋的內壁上設有一層隔離層。
2.根據權利要求1所述的底部分離式碳化硅晶體生長用石墨坩堝，其特征在于:所述隔離層為石墨紙。
【文檔編號】C30B29/36GK203807591SQ201320738809
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2013年11月20日 優先權日:2013年11月20日
【發明者】高宇, 鄧樹軍, 段聰, 趙梅玉, 陶瑩 申請人:河北同光晶體有限公司