專利名稱：一種用于直拉單晶硅的石墨坩堝的制作方法
技術領域：
—種用于直拉單晶硅的石墨坩堝技術領域[0001]本實用新型涉及一種用于直拉單晶硅用高使用壽命的石墨坩堝。
背景技術：
[0002]石墨坩堝在使用一定時間后，拉晶體過程中經常出現坩堝R處破裂的異常現象，造成巨大損失。石墨坩堝破裂的原因除與石墨材質本身的因素外，主要與石墨坩堝的本身的結構設計有關。一方面，石墨坩堝在拉晶過程中不斷存在加熱-冷卻-加熱一冷卻——的循環過程，這樣導致坩堝在使用過程中不斷的承受內應力的變化；另一方面，在拉晶體過程中產生的大量的氧化物，如不及時排除，在高溫下易沉積在R處與石墨反應，使R處石墨減薄，強度下降。實用新型內容[0003]本實用新型提供一種用于直拉單晶硅的石墨坩堝，該石墨坩堝外壁R處圓弧半徑為60mm，在石墨坩堝底部增加三個V形排氣缺口。這種結構使得壁厚過度比由99.5%降到82%，減少了 R處內應力，延長坩堝的使用壽命，使拉晶體過程產生的氧化物氣體易從排氣口及時排處，減少對坩堝的腐蝕。
[0004]圖1是坩鍋局部立體圖。[0005]I，坩鍋外壁R處；2，排氣缺口。
具體實施方式
[0006]用于直拉單晶娃的石墨樹禍，該石墨樹禍外壁R處(I)的圓弧半徑由傳統的25mm增加到60mm，使得壁厚過度比由99.5%降到82%，減少了 R處內應力，延長坩堝的使用壽命。在石墨坩堝底部增加三個V形排氣缺口(2)，使拉晶體過程產生的氧化物氣體易從排氣口及時排處，減少對坩堝的腐蝕。[0007]通過增加外壁R半徑，減少坩堝R壁厚的不均型，降低了拉晶過程中的內應力；底部的V形排氣缺口有利于氧化物氣體的排除，減少了氧化對石墨坩堝的腐蝕。該技術使得石墨坩堝使用壽命比普通石墨坩堝多10-15爐，延長了 50%的壽命，對于降低拉晶成本，節約石墨材料有著重要的作用。
權利要求1.一種用于直拉單晶硅的石墨坩堝，其特征在于，該石墨坩堝外壁R處圓弧半徑為60mm,在石墨相■禍底部 增加三個V形排氣缺口。
專利摘要本實用新型提供一種用于直拉單晶硅的石墨坩堝，該石墨坩堝外壁R處圓弧半徑為60mm，在石墨坩堝底部增加三個排氣缺口。這種結構使得壁厚過度比由99.5％降到82％，減少了R處內應力，延長坩堝的使用壽命，使拉晶體過程產生的氧化物氣體易從排氣口及時排處，減少對坩堝的腐蝕。
文檔編號C30B15/10GK203065629SQ201320109490
公開日2013年7月17日 申請日期2013年2月20日 優先權日2013年2月20日
發明者張忠安, 張忠華 申請人:江西豪安能源科技有限公司