專利名稱：多層陶瓷電路基板的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種多層陶瓷電路基板，屬于電路板技術領域。
背景技術：
陶瓷基板目前被普遍地應用于電子產業中，作為一種重要的電路板板材，例如LED陶瓷基板，其透過于表面電鍍而可進一步在基板的兩面上做布設、配置電路等等動作。現有陶瓷基板具有高散熱性以及耐腐蝕、具有較高的絕緣性能和優異的高頻特性、膨脹系數低，化學性能穩定且熱導率高，無毒等優點；但存在以下技術問題:在現有技術中的陶瓷基板電路制程上，需要將基板兩面上的相互分離電路點做導通連接或者是做基板兩面間的導熱處理時，容易發生于連接孔中未完全填滿而有孔洞，從而在產品的良率控管上有其瓶頸；且連接孔內往往為單一金屬，電阻率較高，影響產品的響應時間。其次，普通陶瓷電路板由于其同時具有高硬度的特性，所以質脆，機加工難度大，同時由于其表面平整，不易通過電鍍實現層間導通也難于與其它層有效結合形成多層電路板；再次，傳統的電路板優點單一，不能同時擁有高導熱率，高集成度等功能，不能滿足市場對電路板具有高連接性，高密度，導熱性好的需求。因此，如何解決上述技術問題，成為本領域普通技術人員努力的方向。
發明內容本實用新型目的是提供一種多層陶瓷電路基板，該多層陶瓷電路基板減小了連通孔電阻率和基板信號響應時間，且大大降了連接孔內的金屬表面產生凹陷的幾率，從而有效避免了空洞的廣生，提聞了廣品的可罪性和良率。為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是:一種多層陶瓷電路基板，包括氣化招基片和氧化招基片，此氣化招基片的下表面和氧化招基片的上表面之間具有一金屬圖形層，所述氮化鋁基片中具有若干個貫通其上、下表面的連通孔，此連通孔內填充有金屬柱，此金屬柱由位于中心的銅柱和包覆于銅柱四周的鎢層組成；一銀漿焊接層覆蓋于所述氮化鋁基片上表面并位于連通孔正上方，一用于與元器件電接觸的銅電路層固定于所述銀漿焊接層與連通孔相背的表面。上述技術方案中進一步改進的技術方案如下:作為優選，所述氮化鋁基片和氧化鋁基片的厚度比為1:1.2^1.5。作為優選，所述銅柱的直徑與鎢層的厚度比為1:0.Γ0.6。由于上述技術方案運用，本實用新型與現有技術相比具有下列優點和效果:本實用新型多層陶瓷電路基板，其連接氮化鋁基片中上、下表面的金屬柱由位于中心的銅柱和包覆于銅柱四周的鎢層組成，減小了連通孔電阻率和基板信號響應時間，也有效防止銅的擴散，大大提高 了產品的可靠性；其次，其銀漿焊接層覆蓋于所述氮化鋁基片上表面并位于連通孔正上方，一用于與元器件電接觸的銅電路層固定于所述銀漿焊接層與連通孔相背的表面，由于銀漿未固化前流延性好，大大降了連接孔內的金屬表面產生凹陷的幾率，從而有效避免了空洞的產生，提高了產品的可靠性和良率；再次，陶瓷燒結體由氮化招基片和氧化招基片組成，此氣化招基片的下表面和氧化招基片的上表面之間具有一金屬圖形層，具有高品質因數，從而降低了高頻損耗，且具有穩定的溫度系數。
附圖1為本實用新型多層陶瓷電路基板結構示意圖。以上附圖中:1、氮化鋁基片；2、氧化鋁基片；3、金屬圖形層；4、連通孔；5、金屬柱；51、銅柱；52、鎢層；6、銀漿焊接層；7、銅電路層。
具體實施方式
以下結合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述:實施例1:一種多層陶瓷電路基板，包括氮化鋁基片I和氧化鋁基片2，此氮化鋁基片I的下表面和氧化鋁基片2的上表面之間具有一金屬圖形層3，所述氮化鋁基片I中具有若干個貫通其上、下表面的連通孔4，此連通孔4內填充有金屬柱5，此金屬柱5由位于中心的銅柱51和包覆于銅柱51四周的鎢層52組成；一銀漿焊接層6覆蓋于所述氮化鋁基片I上表面并位于連通孔4正上方，一用于與元器件電接觸的銅電路層7固定于所述銀漿焊接層6與連通孔4相背的表面。上述氣化招基片I和氧化招基片2的厚度比為1:1.3。實施例2:一種多層陶瓷電路基板，包括氣化招基片I和氧化招基片2,此氣化招基片I的下表面和氧化鋁基片2的上表面之間具有一金屬圖形層3，所述氮化鋁基片I中具有若干個貫通其上、下表面的連通孔4，此連通孔4內填充有金屬柱5，此金屬柱5由位于中心的銅柱51和包覆于銅柱51四周的鎢層52組成；一銀漿焊接層6覆蓋于所述氮化鋁基片I上表面并位于連通孔4正上方，一用于與元器件電接觸的銅電路層7固定于所述銀漿焊接層6與連通孔4相背的表面。上述氮化鋁基片I和氧化鋁基片2的厚度比為1:1.4 ;上述銅柱51的直徑與鎢層52的厚度比為1:0.5。采用上述多層陶瓷電路基板時，其連接氮化鋁基片中上、下表面的金屬柱由位于中心的銅柱和包覆于銅柱四周的鎢層組成，減小了連通孔電阻率和基板信號響應時間，也有效防止銅的擴散，大大提高了產品的可靠性；其次，其銀漿焊接層覆蓋于所述氮化鋁基片上表面并位于連通孔正上方，一用于與元器件電接觸的銅電路層固定于所述銀漿焊接層與連通孔相背的表面，由于銀漿未固化前流延性好，大大降了連接孔內的金屬表面產生凹陷的幾率，從而有效避免了空洞的產生，提高了產品的可靠性和良率；再次，陶瓷燒結體由氮化招基片和氧化招基片組成，此氣化招基片的下表面和氧化招基片的上表面之間具有一金屬圖形層，具有高品質因數，從而降低了高頻損耗，且具有穩定的溫度系數。上述實施例只為說明本實用新型的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人士能夠了解本實用新型的內容并據以實施，并不能以此限制本實用新型的保護范圍。凡根據本實用新型精神實質所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。
權利要求1.一種多層陶瓷電路基板，其特征在于:包括氮化鋁基片(I)和氧化鋁基片(2)，此氮化鋁基片(I)的下表面和氧化鋁基片(2)的上表面之間具有一金屬圖形層(3)，所述氮化鋁基片(I)中具有若干個貫通其上、下表面的連通孔(4)，此連通孔(4)內填充有金屬柱(5)，此金屬柱(5)由位于中心的銅柱(51)和包覆于銅柱(51)四周的鎢層(52)組成；一銀漿焊接層(6)覆蓋于所述氮化鋁基片(I)上表面并位于連通孔(4)正上方，一用于與元器件電接觸的銅電路層(7)固定于所述銀漿焊接層(6)與連通孔(4)相背的表面。
2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電路基板，其特征在于:所述氮化鋁基片(I)和氧化鋁基片(2)的厚度比為1:1.2 1.5。
3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電路基板，其特征在于:所述銅柱(51)的直徑與鎢層(52)的厚度比為1:0.4 0.6。
專利摘要本實用新型公開一種多層陶瓷電路基板，包括氮化鋁基片和氧化鋁基片，此氮化鋁基片的下表面和氧化鋁基片的上表面之間具有一金屬圖形層，所述氮化鋁基片中具有若干個貫通其上、下表面的連通孔，此連通孔內填充有金屬柱，此金屬柱由位于中心的銅柱和包覆于銅柱四周的鎢層組成；一銀漿焊接層覆蓋于所述氮化鋁基片上表面并位于連通孔正上方，一用于與元器件電接觸的銅電路層固定于所述銀漿焊接層與連通孔相背的表面。本實用新型多層陶瓷電路基板減小了連通孔電阻率和基板信號響應時間，且大大降了連接孔內的金屬表面產生凹陷的幾率，從而有效避免了空洞的產生，提高了產品的可靠性和良率。
文檔編號H05K1/18GK203057702SQ20132003995
公開日2013年7月10日 申請日期2013年1月25日 優先權日2013年1月25日
發明者喬金彪 申請人:蘇州斯爾特微電子有限公司