一種貼膜式硅酸釔镥陣列、制造該貼膜式硅酸釔镥陣列的夾具及制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種貼膜式硅酸釔镥陣列、制造該貼膜式硅酸釔镥陣列的夾具及制造方法，硅酸釔镥陣列包括若干根晶條，該晶條都緊密排列，在晶條之間的貼合面之間都夾裝有反射膜，排列好的晶條構成晶條陣列，在晶條陣列的側面也都包裹有反射膜，在所述晶條陣列的上底面和下底面使用膠液對相鄰的晶條進行勾縫。本發明晶條陣列規整，反射膜排列整齊，晶條插裝簡單，反射膜均勻貼在晶條的表面上，或者被夾在晶條之間，使制得的貼膜式硅酸釔镥陣列的精度大大提高。反射膜中橫向設置大反射膜，在大反射膜之間設置小反射膜，這種設計能夠減少漏光，有利于晶條陣列輸出的靈敏度。
【專利說明】一種貼膜式硅酸釔镥陣列、制造該貼膜式硅酸釔镥陣列的夾具及制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及探測器件【技術領域】，尤其是一種用于醫用PET/CT器件(PET:正電子發射型計算機斷層顯像，CT:電子計算機X射線斷層掃描技術)、x射線成像系統以及伽馬機和輻射探測器等設備的貼膜式硅酸釔镥陣列，本發明還是涉及制造該貼膜式硅酸釔镥陣列的夾具及貼膜式硅酸釔镥陣列的制造方法。
【背景技術】
[0002]由于硅酸釔镥陣列的應用廣泛，美國GE、歐洲西門子、菲利普、日本日立公司都投入大量的人力、物力致力于LYSO陣列(硅酸釔镥陣列)的開發應用，據了解，世界范圍內每年至少100臺醫用設備需要配置LYSO陣列。醫用LYSO陣列的研發及產業化具有非常良好的市場前景，機場、大型集裝箱碼頭等的安防檢查也有不錯的應用前景。
[0003]現有許多同類LYSO陣列多以澆注為主，且澆注的陣列精度不高，陣列變形大，且陣列的澆注過程中有氣泡產生，導致反射性能不良。常規的澆注陣列存在局限性，其主要適用于大尺寸晶條、晶條之間間隔大(>1.0mm)。貼膜式采用的梳狀交叉貼膜有排列不整齊，插裝晶條麻煩的缺點。噴涂式成本太高，且組裝困難，并未推廣使用。
【發明內容】
[0004]針對上述技術問題，本發明提供一種反射膜排列整齊，晶條插裝簡單，精度高的貼膜式硅酸釔镥陣列，本發明還涉及到制造該貼膜式硅酸釔镥陣列的夾具及貼膜式硅酸釔镥陣列的制造方法。
[0005]為了實現上述目的，本發明采用的技術方案如下:
一種貼膜式硅酸釔镥陣列，其特征在于，包括若干根晶條，該晶條都緊密排列，在晶條之間的貼合面之間都夾裝有反射膜，排列好的晶條構成晶條陣列，在晶條陣列的側面也都包裹有反射膜，在所述晶條陣列的上底面和下底面使用膠液對相鄰的晶條進行勾縫。
[0006]所述晶條為正四棱柱，該晶條的數目為81根，該晶條排布成一個正四棱柱的晶條陣列，該晶條陣列橫向9排，縱向9排。
[0007]所述反射膜包括橫向設置的4塊大反射膜，橫向設置的6塊小反射膜，豎向設置的10塊小反射膜，所述大反射膜的長度與所述晶條陣列的長度相等，所述大反射膜的寬度與所述晶條陣列的高度相等，所述小反射膜的長度與所述晶條陣列的高度相等，該小反射膜的寬度與三塊所述晶條的寬度相等；
4塊所述大反射膜依次位于第一橫排和第二橫排晶條，第四橫排和第五橫排晶條，第五橫排和第六橫排晶條，第八橫排和第九橫排晶條之間；
橫向設置的6塊小反射膜平均分為三組，第一組的兩塊小反射膜位于第二至第四橫排，第四至第六豎排9的根晶條之間；第二組的兩塊小反射膜位于第六至第八橫排，第一至第三豎排的9根晶條之間；第三組的兩塊小反射膜位于第六至第八橫排，第一至第三豎排的9根晶條之間；
豎向設置的10塊小反射膜也分為三組，第一組包括三塊小反射膜，該三塊小反射膜位于第二至第四橫排，第一至第四豎排的12根晶條之間；第二組包括三塊小反射膜，該三塊小反射膜位于第二至第四橫排，第六至第九豎排的12根晶條之間；第三組包括四塊小反射膜，該四塊小反射膜位于第六至第八橫排，第三至第七豎排的15根晶條之間；
沒有插反射膜的相鄰晶條之間都插有小插條反射膜5。
[0008]所述膠液由環氧膠中添加二氧化鈦組成。
[0009]一種專用于制造上述貼膜式硅酸釔镥陣列的夾具，其特征在于，包括夾具本體，該夾具本體為上部開口的長方體，該夾具本體的內部設置有用于放置晶條陣列的長方體內腔，在夾具本體的兩相鄰側面上分別安裝有垂直于該側面的螺桿，兩根螺桿的前部都伸入所述內腔中，在該螺桿的前部都分別垂直安裝有夾板。
[0010]一種制造貼膜式硅酸釔镥陣列的方法，其特征在于，
按照如下步驟進行:
(O切割反射膜；
(2)將晶條裝入所述專用于制造貼膜式硅酸釔镥陣列的夾具中；
(3)在晶條間插好切割好的所述反射膜，利用夾具夾緊晶條陣列；
(4)在所述晶條陣列的上底面和下底面使用膠液對相鄰的晶條進行勾縫；
(5)待膠液干燥后，將晶條陣列從夾具中取出，將取出的晶條陣列四面貼膜。
[0011]所述步驟(I)中，使用劃片機切割反射膜。
[0012]所述步驟(5)晶條陣列四面的貼膜為金屬膜，金屬膜厚度為0.065mm。
[0013]本發明的積極效果是:
本發明的貼膜式硅酸釔镥陣列，晶條陣列規整，反射膜排列整齊，晶條插裝簡單，反射膜均勻貼在晶條的表面上，或者被夾在晶條之間，使制得的貼膜式硅酸釔镥陣列的精度大大提聞。
[0014]反射膜中橫向設置大反射膜，在大反射膜之間設置小反射膜，這種設計能夠減少漏光，有利于晶條陣列輸出的靈敏度。
[0015]使用膠液勾縫，膠液能夠固定住晶條，且膠液為液態，能夠滲透進入晶條間的縫隙，進一步彌補漏光。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]圖1為晶條陣列中的反射膜的安裝位置關系示意圖；
圖2為晶條陣列安裝在夾具中的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0017]下面結合具體實施例對本發明作進一步詳細說明。
[0018]如圖1所示，一種貼膜式硅酸釔镥陣列，包括若干根正四棱柱形的晶條1，該晶條I都緊密排列，在晶條I之間的貼合面之間都夾裝有反射膜，排列好的晶條I構成晶條陣列，在晶條陣列的側面也都包裹有反射膜，在晶條陣列的上底面和下底面使用膠液對相鄰的晶條I進行勾縫。[0019]本發明的貼膜式硅酸釔镥陣列，晶條陣列規整，反射膜排列整齊，晶條插裝簡單，反射膜均勻貼在晶條的表面上，或者被夾在晶條之間，使制得的貼膜式硅酸釔镥陣列的精度大大提高。
[0020]使用膠液勾縫，膠液能夠固定住晶條，且膠液為液態，能夠滲透進入晶條間的縫隙，進一步彌補漏光。
[0021]晶條I的數目為81根，該晶條I排布成一個正四棱柱的晶條陣列，該晶條陣列橫向9排，縱向9排。反射膜包括橫向設置的4塊大反射膜3，橫向設置的6塊小反射膜4，豎向設置的10塊小反射膜4，大反射膜3的長度與所述晶條陣列的長度相等，大反射膜3的寬度與所述晶條陣列的高度相等，小反射膜4的長度與所述晶條陣列的高度相等，該小反射膜4的寬度與三塊所述晶條I的寬度相等；
4塊所述大反射膜3依次位于第一橫排和第二橫排晶條，第四橫排和第五橫排晶條，第五橫排和第六橫排晶條，第八橫排和第九橫排晶條之間；
橫向設置的6塊小反射膜4平均分為三組，第一組的兩塊小反射膜4位于第二至第四橫排，第四至第六豎排9的根晶條之間；第二組的兩塊小反射膜4位于第六至第八橫排，第一至第三豎排的9根晶條之間；第三組的兩塊小反射膜4位于第六至第八橫排，第一至第三豎排的9根晶條之間；
豎向設置的10塊小反射膜4也分為三組，第一組包括三塊小反射膜4，該三塊小反射膜4位于第二至第四橫排，第一至第四豎排的12根晶條之間；第二組包括三塊小反射膜4，該三塊小反射膜4位于第二至第四橫排，第六至第九豎排的12根晶條之間；第三組包括四塊小反射膜4，該四塊小反射膜4位于第六至第八橫排，第三至第七豎排的15根晶條之間；沒有插反射膜的相鄰晶條之間都插有小插條反射膜5。
[0022]反射膜中橫向設置大反射膜3，在大反射膜3之間設置小反射膜4，這種設計能夠減少漏光，有利于晶條陣列輸出的靈敏度，且這種裝陣列的好處使得晶條陣列整齊，在插入反射膜的過程中，反射膜也不易重疊。
[0023]膠液由環氧膠中添加二氧化鈦組成，環氧膠與二氧化鈦的質量比為4:6，該膠液不影響晶條陣列的性能。
[0024]一種專用于制造上述貼膜式硅酸釔镥陣列的夾具，如圖2所示，包括夾具本體6，該夾具本體6為上部開口的長方體，該夾具本體6的內部設置有用于放置晶條陣列的長方體內腔，在夾具本體6的兩相鄰側面上分別安裝有垂直于該側面的螺桿7，兩根螺桿7的前部都伸入所述內腔中，在該螺桿的前部都分別垂直安裝有夾板8。
[0025]使用時，將晶條裝入夾具本體6內部設置的長方體內腔，在晶條間插好切割好的所述反射膜，旋轉兩根螺桿7使夾板8前移，兩塊夾板8和夾具本體6兩內壁共同實現將晶條夾緊。
[0026]一種制造貼膜式硅酸釔镥陣列的方法，按照如下步驟進行:
(I)使用劃片機切割反射膜；由于對反射膜的尺寸精度要求高，故采用劃片機以劃反射膜的方式來保證所需插裝的反射膜的精度。
[0027](2)將晶條I裝入所述專用于制造貼膜式硅酸釔镥陣列的夾具中；
(3)在晶條間插好切割好的反射膜，利用夾具夾緊晶條陣列；
(4)在晶條陣列的上底面和下底面使用膠液對相鄰的晶條進行勾縫，使晶條間緊密結合，從夾具中取出后不至于散掉。
[0028](5)待膠液干燥后，將晶條陣列從夾具中取出，將取出的晶條陣列四面貼金屬膜2，金屬膜厚度為0.065mm,從而制得貼膜式娃酸乾镥陣列。
[0029]本發明的上述實施例僅僅是為說明本發明所作的舉例，而并非是對本發明的實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其他不同形式的變化和變動。這里無法對所有的實施方式予以窮舉。凡是屬于本發明的技術方案所引申出的顯而易見的變化或變動仍處于本發明的保護范圍之列。
【權利要求】
1.一種貼膜式硅酸釔镥陣列，其特征在于，包括若干根晶條(1)，該晶條(I)都緊密排列，在晶條(I)之間的貼合面之間都夾裝有反射膜，排列好的晶條(I)構成晶條陣列，在晶條陣列的側面也都包裹有反射膜，在所述晶條陣列的上底面和下底面使用膠液對相鄰的晶條(I)進行勾縫。
2.根據權利要求1所述的貼膜式硅酸釔镥陣列，其特征在于，所述晶條(I)為正四棱柱，該晶條(I)的數目為81根，該晶條(I)排布成一個正四棱柱的晶條陣列，該晶條陣列橫向9排，縱向9排。
3.根據權利要求2所述的貼膜式硅酸釔镥陣列，其特征在于，所述反射膜包括橫向設置的4塊大反射膜(3 )，橫向設置的6塊小反射膜(4 )，豎向設置的IO塊小反射膜(4 )，所述大反射膜(3)的長度與所述晶條陣列的長度相等，所述大反射膜(3)的寬度與所述晶條陣列的高度相等，所述小反射膜(4)的長度與所述晶條陣列的高度相等，該小反射膜(4)的寬度與三塊所述晶條(I)的寬度相等； 4塊所述大反射膜(3)依次位于第一橫排和第二橫排晶條，第四橫排和第五橫排晶條，第五橫排和第六橫排晶條，第八橫排和第九橫排晶條之間； 橫向設置的6塊小反射膜(4)平均分為三組，第一組的兩塊小反射膜(4)分別位于第二至第四橫排，第四至第六豎排的9根晶條之間；第二組的兩塊小反射膜(4)分別位于第六至第八橫排，第一至第三豎排的9根晶條之間；第三組的兩塊小反射膜(4)分別位于第六至第八橫排，第一至第三豎排的9根晶條之間； 豎向設置的10塊小反射膜(4)也分為三組，第一組包括三塊小反射膜(4)，該三塊小反射膜(4)分別位于第二至第四橫排，第一至第四豎排的12根晶條之間；第二組包括三塊小反射膜(4)，該三塊小反射膜(4)分別位于第二至第四橫排，第六至第九豎排的12根晶條之間；第三組包括四塊小反射膜(4)，該四塊小反射膜(4)分別位于第六至第八橫排，第三至第七豎排的15根晶條之間； 沒有插反射膜的相鄰晶條之間都插有小插條反射膜(5)。
4.根據權利要求1所述的貼膜式硅酸釔镥陣列，其特征在于，所述膠液由環氧膠中添加二氧化鈦組成。
5.一種專用于制造上述貼膜式硅酸釔镥陣列的夾具，其特征在于，包括夾具本體(6)，該夾具本體(6)為上部開口的長方體，該夾具本體(6)的內部設置有用于放置晶條陣列的長方體內腔，在夾具本體(6)的兩相鄰側面上分別安裝有垂直于該側面的螺桿(7)，兩根螺桿(7)的前部都伸入所述內腔中，在該螺桿的前部都分別垂直安裝有夾板(8)。
6.一種貼膜式硅酸釔镥陣列的制造方法，其特征在于， 按照如下步驟進行: (O切割反射膜； (2)將晶條(I)裝入所述專用于制造貼膜式硅酸釔镥陣列的夾具中； (3)在晶條間插好切割好的所述反射膜，利用夾具夾緊晶條陣列； (4)在所述晶條陣列的上底面和下底面使用膠液對相鄰的晶條進行勾縫； (5)待膠液干燥后，將晶條陣列從夾具中取出，將取出的晶條陣列四面貼膜。
7.根據權利要求6所述的貼膜式硅酸釔镥陣列的制造方法，其特征在于，所述步驟(1)中，使用劃片機切割反射膜。
8.根據權利要求6所述的貼膜式硅酸釔镥陣列的制造方法，其特征在于，所述步驟(5)晶條陣列四面的貼膜為金屬膜(2)，金屬膜厚度為0.065mm 。
【文檔編號】C30B29/34GK103558627SQ201310587954
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年11月21日 優先權日:2013年11月21日
【發明者】劉勝, 趙曉霞, 蔡國儒 申請人:中國電子科技集團公司第二十六研究所