電子部件內置基板的制作方法
【專利摘要】本發明提供一種能夠消除在絕緣體層產生裂痕等的擔憂的電子部件內置基板。在與貫通形成有收納部11a1的芯層12a最接近的第一導體層11d和第三導體層11h，分別形成有與平行投影于該第一導體層11d和第三導體層11h的收納部11a1的開口邊緣VO的一部分重疊的四個第一貫通孔11d2和四個第一貫通孔11h2。
【專利說明】電子部件內置基板
【技術領域】
[0001]本發明涉及在基板內置有電子部件的電子部件內置基板，特別是涉及在形成于芯層的收納部內收納有電子部件的電子部件內置基板。
【背景技術】
[0002]在電子部件內置基板中，已知有例如下述專利文獻I中所公開的“不具有芯層的類型”和例如下述專利文獻2中所公開的“具有芯層的類型”。“不具有芯層的類型”具有電子部件埋設于絕緣體層中的結構，電子部件由構成絕緣體層的合成樹脂覆蓋，輔助固定其位置。“具有芯層的類型”具有電子部件收納于貫通形成于芯層的收納部內的結構，在電子部件和收納部的內壁之間存在間隙時，在該間隙填充合成樹脂，電子部件由該填充樹脂覆蓋，輔助固定其位置。
[0003]但是，作為“具有芯層的類型”的填充合成樹脂使用吸濕性比芯層高的合成樹脂時，存在如下所述的擔憂。即，在電子部件內置基板中，由于一般通過回流焊接法安裝各種電子部件，因此，由于回流焊接時的熱，產生填充合成樹脂中所含的水分蒸發從而蒸氣逃出到外部這樣的現象。當在芯層的厚度方向的一個面和另一個面順次設置由合成樹脂構成的絕緣體層和由金屬構成的導體層時，存在如下擔憂:蒸氣通過最接近芯層的絕緣體層內，從該絕緣體層的端部向外部逃出，但是由于蒸氣向外部排出的路徑長，在最接近芯層的絕緣體層由于蒸氣壓而產生裂痕，或者在該絕緣體層和芯層發生層間剝離，或者該絕緣體層和最接近芯層的導體層發生層間剝離。
[0004]現有技術文獻
[0005]專利文獻
[0006]專利文獻1:日本特開2008-060413號公報
[0007]專利文獻2:日本特開2010-118581號公報
【發明內容】
[0008]發明所要解決的課題
[0009]本發明的目的在于提供一種能夠消除在絕緣體層產生裂痕等的擔憂的電子部件
內置基板。
[0010]用于解決課題的方法
[0011]為了實現上述目的，該電子部件內置基板的特征在于:在貫通形成于芯層的收納部內收納有電子部件，在上述電子部件與上述收納部的內壁的間隙填充有吸濕性比上述芯層高的合成樹脂，在上述芯層的厚度方向的一個面和另一個面設置有兩組以上由合成樹脂形成的絕緣體層和由金屬形成的導體層的組，在設置于上述芯層的厚度方向的一個面和另一個面的至少一方的兩組以上的絕緣體層和導體層的組中最接近上述芯層的導體層中，形成有一個以上的第一貫通孔，該第一貫通孔與平行投影于該最接近的導體層的上述收納部的開口邊緣的至少一部分重疊。[0012]發明的效果
[0013]根據本發明，能夠提供一種能夠消除在絕緣體層產生裂痕等的擔憂的電子部件內
置基板。
[0014]本發明的上述目的和其它目的以及與各目的對應的特征和效果，可以通過以下說明和附圖而更加明確。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0015]圖1是本發明的第一實施方式的電子部件內置基板的主要部分的縱向截面圖。
[0016]圖2是沿圖1的S2-S2線的橫向截面圖。
[0017]圖3是沿圖1的S3-S3線的橫向截面圖。
[0018]圖4是沿圖1的S4-S4線的橫向截面圖。
[0019]圖5是沿圖1的S5-S5線的橫向截面圖。
[0020]圖6是沿圖1的S6-S6線的橫向截面圖。
[0021]圖7是沿圖1的S7-S7線的橫向截面圖。
[0022]圖8是本發明的第二實施方式的電子部件內置基板的主要部分的縱向截面圖。
[0023]圖9是圖8的圖3對應橫向截面圖。
[0024]圖10是圖8的圖4對應橫向截面圖。
【具體實施方式】
[0025]《第一實施方式》
[0026]圖1?圖7所示的電子部件內置基板中，在多層結構的基板11中，內置有作為電子部件的利用了表面聲波(Surface Acoustic Wave)的SAW濾波器12。并且，圖2?圖7所示的Sl-Sl線表示圖1的截面位置。
[0027]基板11具備:在厚度方向貫通形成有大致長方體形狀的收納部Ilal的芯層Ila ；在收納于收納部Ilal內的SAW濾波器12與該收納部Ilal的內壁的間隙填充的合成樹脂(以下稱為填充合成樹脂)llb ;設置于芯層Ila的上表面(厚度方向的一個面)的第一絕緣體層Ilc ;設置于第一絕緣體層Ilc的上表面的第一導體層Ild ;設置于第一導體層Ild的上表面的第二絕緣體層lie ;設置于第二絕緣體層lie的上表面的第二導體層Ilf ;設置于芯層Ila的下表面(厚度方向的另一個面)的第三絕緣體層Ilg ;設置于第三絕緣體層Ilg的下表面的第三導體層Ilh ;設置于第三導體層Ilh的下表面的第四絕緣體層Ili和設置于第四絕緣體層Ili的下表面的第四導體層給llj。
[0028]芯層Ila由銅、銅合金等金屬構成，其厚度在例如100?400μπι的范圍內。填充合成樹脂Ilb和各絕緣體層llc、lle、llg以及Ili由環氧樹脂、聚酰亞胺、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、在這些之中含有玻璃纖維等加強填料的材料等的合成樹脂(也能夠使用不僅具有熱固化性還具有熱塑性的材料)構成，各絕緣體層11c、lie、Ilg以及Ili的厚度例如在ΙΟμπι?30μπι的范圍內。芯層Ila由金屬構成，因此，填充合成樹脂Ilb的吸濕性高于芯層 11a。
[0029]各導體層lld、llf、llh和Ilj由銅、銅合金等金屬構成,其厚度在例如5 μ m?25μπι的范圍內。各導體層lld、llf、llh和Ilj中，信號配線和接地配線(參照符號lldl、IlflUlhl和lljl) 二維地形成圖案，并且，與該接地配線連接或不連接的導體孔(參照符號Ild4、lld5和llh4)以貫通其內側的絕緣體層的方式設置。導體孔由銅、銅合金等金屬構成，其最大直徑在例如IOym?80μπι的范圍內。
[0030]S卩，在基板11的芯層Ila的上表面和下表面，設置有兩組由合成樹脂形成的絕緣體層和由金屬形成的導體層構成的組。
[0031]SAff濾波器12具有由鉭酸鋰、鈮酸鋰等壓電體構成的大致長方體形狀的濾波器主體12a、設置于濾波器主體12a的上表面的濾波器功能部(省略圖示)、覆蓋濾波器功能部的一個以上的罩(省略圖示)、覆蓋罩的封裝部12b、從封裝部12b的上表面露出的大致圓形的輸入端子12c、輸出端子12d和三個接地端子12e，整體形成為大致長方體形狀。濾波器功能部，例如具有由串聯連接的多個共振子和與其并聯連接的多個共振子構成的梯型的結構，各共振子由梳齒狀電極和配置于其兩側的反射器構成。
[0032]從圖1、圖2和圖5可知，SAW濾波器12形成為比形成于芯層Ila的收納部Ilal小的大致長方體形狀，詳細而言，形成于芯層Ila的收納部Ilal的橫截面形狀和深度(相當于芯層Ila的厚度)大于SAW濾波器12的橫截面形狀和高度，并且，SAff濾波器12收納于收納部Ilal內的上側中央，因此，上述間隙存在于SAW濾波器12的四個側面側和下表面側。即，收納于收納部Ilal內的SAW濾波器12通過填充合成樹脂Ilb覆蓋四個側面側和下表面側，而幫助其固定位置。另外，圖2和圖5所示的符號VO表示收納部Ilal的開口邊緣。
[0033]從圖3可知，在最接近芯層11的上表面的第一導體層Ild的接地配線Ildl形成有4個第一貫通孔lld2，該4個第一貫通孔lld2和與該第一導體層Ild的接地配線Ildl平行投影的上述收納部Ilal的開口邊緣VO的一部分重疊。詳細而言，四個第一貫通孔lld2中的三個具有大致相等的寬度和長度，剩余的一個具有與上述三個大致相等的寬度和不同的長度，四個第一貫通孔lld2各自的寬度方向中心形成于與平行投影的上述收納部Ilal的開口邊緣VO的四個邊分別大致一致的位置。該四個第一貫通孔lld2各自中填充有例如與第二絕緣體層Ile相同的合成樹脂。各第一貫通孔lld2的寬度在例如0.01?1.0mm的范圍內，優選在0.05?0.2mm的范圍內，各自的長度在例如0.01?5.0mm的范圍內，優選為0.1?1.0mm的范圍內。
[0034]另外，在第一導體層Ild的接地配線lldl，以分別與SAW濾波器12的輸入端子12c和輸出端子12d對應的方式形成有大致圓形的兩個貫通孔lld3，并且，在兩個貫通孔lld3的內側分別與該各貫通孔lld3不接觸地形成有具有圓盤部和柱狀部的縱向截面T型的導體孔lld4。兩個導體孔lld4的圓盤部的厚度和高度位置與接地配線Ildl相同，一個導體孔lld4的柱狀部的下端與SAW濾波器12的輸入端子12c連接，另一個導體孔lld4的柱狀部的下端與SAW濾波器12的輸出端子12d連接。在該兩個貫通孔lld3和存在于其內側的兩個導體孔lld4的圓盤部的環狀間隙中分別填充有例如與第二絕緣體層lie相同的合成樹脂。
[0035]另外，在第一導體層Ild的接地配線Ildl的下表面側，以與SAW濾波器12的三個接地端子12e分別對應的方式與該接地配線Ildl連接形成有柱狀的三個導體孔lld5。三個導體孔lld5的下端分別于SAW濾波器12的三個接地端子12e連接。
[0036]從圖4可知，在第二接近于芯層11的上表面的第二導體層Ilf的接地配線11Π，形成有四個第二貫通孔llf2，該四個第二貫通孔llf2分別與平行投影于該第二導體層Ilf的接地配線Ilfl的上述四個第一貫通孔lld2的一部分重疊。詳細而言，四個第二貫通孔llf2中的兩個具有大致相等的寬度和長度，剩余的兩個具有與上述兩個大致相等的寬度和不同的長度，四個第二貫通孔llf2分別形成于與平行投影的上述四個第一貫通孔lld2在長度方向上錯開的位置。該四個第二貫通孔lld2各自中不填充合成樹脂。各第二貫通孔Ilf2的寬度在例如0.0l?1.0mm的范圍內，優選在0.05?0.2mm的范圍內，各自的長度在例如0.01?5.0mm的范圍內，優選在0.1?1.0mm的范圍內。
[0037]另外，在第二導體層Ilf的接地配線Ilfl中，以分別與SAW濾波器12的輸入端子12c和輸出端子12d對應的方式形成有大致圓形的兩個貫通孔llf3，并且，在兩個貫通孔llf3的內側分別與該各貫通孔llf3不接觸地形成有具有圓盤部和柱狀部的縱向截面T型的導體孔llf4。兩個導體孔llf4的圓盤部的厚度和高度位置與接地配線Ilfl相同，兩個導體孔llf4的下端與形成于第一導體層Ild的接地配線Ildl的兩個導體孔lld4的圓盤部的上表面分別連接。在該兩個貫通孔llf3與存在于其內側的兩個導體孔llf4的圓盤部的環狀間隙中分別不填充合成樹脂。
[0038]從圖6可知，在最接近于芯層11的下表面的第三導體層Ilh的接地配線Ilhl形成有四個第一貫通孔I lh2，該四個第一貫通孔I lh2與平行投影于該第三導體層I Ih的接地配線Ilhl的上述收納部Ilal的開口邊緣VO的一部分重疊。詳細而言，四個第一貫通孔llh2中的兩個具有大致相等的寬度和長度，剩余的兩個具有與上述兩個大致相等的寬度和不同的長度，四個第一貫通孔llh2各自的寬度方向中心形成于與平行投影的上述收納部Ilal的開口邊緣VO的四個邊分別大致一致的位置。該四個第一貫通孔llh2各自中填充有例如與第四絕緣體層Ili相同的合成樹脂。各第一貫通孔llh2的寬度在例如0.01?1.0mm的范圍內，優選在0.05?0.2mm的范圍內，各自的長度在例如0.01?5.0mm的范圍內，優選為0.1?1.0mm的范圍內。
[0039]根據圖7可知，在第二接近于芯層11的下表面的第四導體層Ilj的接地配線11 jl，形成有四個第二貫通孔11 j2，該四個第二貫通孔11 j2的一部分或大致全部分別與平行投影于該第四導體層Ilj的接地配線Iljl的上述四個第一貫通孔llh2重疊。詳細而言，四個第二貫通孔llj2中的兩個具有大致相等的寬度和長度，剩余的兩個具有與上述兩個大致相等的寬度和不同的長度，四個第二貫通孔llj2中的三個形成于與平行投影的上述四個第一貫通孔llh2中的三個在長度方向上錯開的位置，四個第二貫通孔llj2中的一個形成于其長度方向中心與平行投影的上述四個第一貫通孔llh2中的一個的長度方向中心大致一致的位置。該四個第二貫通孔11 j2各自中不填充合成樹脂。各第二貫通孔11J2的寬度在例如0.01?1.0mm的范圍內，優選在0.05?0.2mm的范圍內，各自的長度在例如
0.01?5.0mm的范圍內，優選在0.1?1.0mm的范圍內。
[0040]以下，說明通過圖1?圖7所示的電子部件內置基板得到的效果。
[0041]在上述電子部件內置基板中，一般通過回流焊接法安裝有各種電子部件。填充合成樹脂Ilb和由合成樹脂構成的各絕緣體層llc、lle、llg和lli，特別是體積大的填充合成樹脂Ilb中，與各絕緣體層llc、lle、llg和Ili相比，含有大量的水分，因此，由于回流焊接時的熱，產生填充合成樹脂Ilb中所含的水分蒸發從而蒸氣逃出到外部這樣的現象，詳細而言，產生填充合成樹脂Ilb中產生的蒸氣沿著收納部Ilal的內壁向上方和下方移動這樣的現象。[0042](效果I)采用上述電子部件內置基板，由于在最接近芯層11的上表面的第一導體層Ild的接地配線lldl，形成有四個第一貫通孔lld2，該四個第一貫通孔lld2與平行投影于該第一導體層Ild的接地配線Ildl的上述收納部Ilal的開口邊緣VO的一部分重疊，因此，能夠將沿收納部I Ial的內部向上方移動的蒸氣的大部分通過第一絕緣體層I Ic和四個第一貫通孔lld2順利地導向第二絕緣體層lie。同樣地，由于在最接近芯層11的下表面的第三導體層Ilh的接地配線llhl，形成有四個第一貫通孔llh2，該四個第一貫通孔llh2與平行投影于該第三導體層Ilh的接地配線Ilhl的上述收納部Ilal的開口邊緣VO的一部分重疊，因此，能夠將沿收納部Ilal的內部向下方移動的蒸氣的大部分通過第三絕緣體層Ilg和四個第一貫通孔llh2順利地導向第四絕緣體層lli。
[0043]S卩，與將在填充合成樹脂Ilb產生的蒸氣被導向最接近芯層Ila的第一絕緣體層Ilc和第三絕緣體層Ilg的各自時相比，能夠降低該第一絕緣體層Ilc和第三絕緣體層Ilg的各自所受到的蒸氣壓，因此，能夠消除如下的各種擔憂:由于該蒸氣壓在第一絕緣體層Ilc和第三絕緣體層Ilg產生裂痕，在第一絕緣體層Ilc和芯層Ila發生層間剝離，在第三絕緣體層Hg和芯層Ila發生層間剝離，在第一絕緣體層Ilc和第一導體層Ild發生層間剝離，在第三絕緣體層Ilg和第三導體層Ilh發生層間剝離。
[0044](效果2)另外，采用上述電子部件內置基板，由于在第二接近于芯層11的上表面的第二導體層Ilf的接地配線llfl，形成有四個第二貫通孔llf2，該四個第二貫通孔llf2的一部分分別與平行投影于該第二導體層Ilf的接地配線11Π的上述四個第一貫通孔lld2重疊，因此，能夠將沿收納部Ilal的內部向上方移動的蒸氣的大部分通過第一絕緣體層11c、四個第一貫通孔lld2 (填充有合成樹脂，參照圖3)、第二絕緣體層lie和四個第二貫通孔llf2 (未填充合成樹脂，參照圖4)向外部排出(參照圖1上側所示的排出路徑PW)。同樣地，由于在第二接近于芯層11的下表面的第四導體層Ilj的接地配線11 jl，形成有四個第二貫通孔11 j2，該四個第二貫通孔11 j2的一部分或大致全部分別與平行投影于該第四導體層Ilj的接地配線Iljl的上述四個第一貫通孔llh2重疊，因此，能夠將沿收納部Ilal的內部向下方移動的蒸氣的大部分通過第三絕緣體層Hg、四個第一貫通孔llh2 (填充有合成樹脂，參照圖6)、第四絕緣體層Ili和四個第二貫通孔11 j2 (未填充合成樹脂，參照圖7)向外部排出(參照圖1下側所示的排出路徑PW)。
[0045]S卩，與將通過四個第一貫通孔lld2和四個第一貫通孔llh2的蒸氣的大部分導向第二絕緣體層Ile和第四絕緣體層Ili的各自時相比，能夠降低該第二絕緣體層lie和第四絕緣體層Ili所受到的蒸氣壓，因此，能夠消除如下的各種擔憂:由于該蒸氣壓在第二絕緣體層lie和第四絕緣體層Ili產生裂痕，在第二絕緣體層lie和第二導體層Ilf發生層間剝離，在第四絕緣體層Ili和第四導體層Ilj發生層間剝離等。
[0046](效果3)并且，采用上述電子部件內置基板，由于使在第二接近于芯層11的上表面的第二導體層Ilf的接地配線Ilfl所形成的四個第二貫通孔llf2的一部分的形狀與平行投影于該第二導體層Ilf的接地配線Ilfl的上述四個第一貫通孔lld2的形狀不同，因此，能夠基于上述形狀差異控制通過了該四個第一貫通孔lld2的蒸氣的壓力和方向。同樣地，由于使在第二接近于芯層11的下表面的第四導體層Ilj的接地配線Iljl所形成的四個第二貫通孔llj2的一部分的形狀與平行投影于該第四導體層Ilj的接地配線Iljl的上述四個第一貫通孔llf2的形狀不同，因此，能夠基于上述形狀差異控制通過了該四個第一貫通孔llf2的蒸氣的壓力和方向。
[0047]S卩，通過四個第二貫通孔llf2和四個第二貫通孔llj2的形狀能夠控制通過了四個第一貫通孔lld2和四個第一貫通孔llf2的蒸氣的壓力和方向，因此，能夠在考慮安裝于電子部件內置基板的各種電子部件的位置的基礎上使從四個第二貫通孔llf2和四個第二貫通孔llj2向外部排出的蒸氣的流量。
[0048](效果4)并且，采用上述電子部件內置基板，由于SAW濾波器12具有與最接近芯層Ila的上表面的第一導體層Ilf的接地配線Ilf相對的輸入端子12c和輸出端子12d、和與該第一導體層Ilf的接地配線Hf連接的接地端子12e，在連接平行投影于第一導體層Ilf的接地配線Ilf的輸入端子12c和輸出端子12d的區域不存在上述第一貫通孔lld2(參照圖2和圖3)，因此，流過SAW濾波器12的輸入端子12c和輸出端子12d的電流的回流電流在第一導體層Hf的接地配線Ilf中流通時，也能夠使該回流電流的流通路最短，由此，能夠避免由于回流電流的流通路變長而產生的阻抗不匹配等的問題，從而良好地維持SAW濾波器12的特性。
[0049]《第二實施方式》
[0050]圖8?圖10所示的電子部件內置基板與上述第一實施方式中所說明的電子部件內置基板同樣，在多層結構的基板11中，作為電子部件內置有SAW濾波器12。該電子部件內置基板中第二導體層Hf的結構與上述第一實施方式中所說明的電子部件內置基板不同。其它結構與上述第一實施方式中所說明的電子部件內置基板相同，因此省略其說明。
[0051]S卩，從圖10可知，在第二接近于芯層11的上表面的第二導體層Ilf的接地配線llfl，形成有四個第二貫通孔llf2，該四個第二貫通孔llf2與平行投影于該第二導體層Ilf的接地配線Ilfl的上述四個第一貫通孔lld2接近但不重疊。詳細而言，四個第二貫通孔llf2具有與上述第一貫通孔lld2大致相等的寬度和長度，形成于比平行投影的上述第一貫通孔lld2更向外側錯開的位置。該四個第二貫通孔llf2分別未被填充合成樹脂。各第二貫通孔llf2的寬度在例如0.01?1.0mm的范圍內，優選在0.05?0.2mm的范圍內，各自的長度在例如0.01?5.0mm的范圍內，優選在0.1?1.0_的范圍內。另外，各第二貫通孔llf2與各第一貫通孔lld2接近但不重疊的距離在例如0.01?1.0mm的范圍內。
[0052]采用圖8?圖10所示的電子部件內置基板，圖8上側所示的排出路徑PW比圖1上側所示的排出路徑PW稍長，但是能夠同樣地得到上述效果I?4。另外，采用圖8?圖10所示的電子部件內置基板，由于各第二貫通孔llf2具有與各第一貫通孔lld2接近但不重疊的位置關系，因此，也能夠得到進一步提高抑制來自外部的噪音侵入的屏蔽效果的優點。
[0053]《其它實施方式》
[0054](I)上述第一實施方式和第二實施方式中，為了得到“吸濕性比芯層Ila高的填充合成樹脂lib”的關系，作為芯層Ila例示了金屬制的芯層，但是，在芯層Ila中使用吸濕性比填充合成樹脂Ilb低的金屬以外的材料、例如使用陶瓷、合成樹脂時，也能夠得到上述關系，能夠同樣地得到上述效果I?4。
[0055]對芯層Ila由合成樹脂構成的情況進行補充說明，在芯層Ila由與填充合成樹脂Ilb以及各絕緣體層llc、lle、llg和Ili不同的合成樹脂構成時，作為該合成樹脂使用吸濕性比填充合成樹脂Ilb低的合成樹脂即可。另外，在芯層Ila由與填充合成樹脂Ilb以及各絕緣體層llc、lle、llg和Ili相同的合成樹脂構成時、或在芯層Ila由與填充合成樹脂1lb以及各絕緣體層llc、lle、llg和1l1吸濕性大致相等的不同的合成樹脂構成時，使僅在構成芯層的合成樹脂中含有玻璃纖維等加強填料從而使其吸濕性比填充合成樹脂1lb低、或者使構成芯層的合成樹脂中所含有的加強填料的含有率比填充合成樹脂1lb中所含有的加強填料的含有率高，從而使其吸濕性比填充合成樹脂1lb低即可。
[0056](2)上述第一實施方式和第二實施方式中，作為各第二貫通孔llf2和llj2例示了不填充合成樹脂的第二貫通孔，但是，與各第一貫通孔lld2和llh2同樣，作為該各第二貫通孔llf2和11 j2使用填充有合成樹脂的第二貫通孔，也能夠同樣地得到上述效果1~4。
[0057](3)上述第一實施方式和第二實施方式中，例示了在第一導體層1ld形成有四個第一貫通孔lld2、在第三導體層1lh形成有四個第一貫通孔llh2的電子部件內置基板，但是，第一貫通孔lld2和llh2的數量可以是1~3個或者5個以上，各自的形狀也不限于圖示的形狀，能夠采用圓形、三角形等各種形狀，各自的位置也能夠適當變更。重要的是，存在與平行投影于第一導體層1ld和第三導體層1lh的至少一方的收納部1lal的開口邊緣VO的至少一部分重疊的一個以上的第一貫通孔即可，能夠同樣地得到上述效果1。
[0058](4)上述第一實施方式和第二實施方式中，例示了在第二導體層1lf形成有四個第二貫通孔llf2、在第四導體層1lj形成有四個第二貫通孔llj2的電子部件內置基板，但是，與第一貫通孔lld2和llh2同樣，第二貫通孔llf2和11 j2的數量可以是1~3個或者5個以上，各自的形狀也不限于圖示的形狀，能夠采用圓形、三角形等各種形狀，各自的位置也能夠適當變更。重要的是，存在與平行投影于第二導體層1lf和第四導體層1lj的至少一方的上述第一貫通孔lld2或上述第一貫通孔llh2的至少一部分重疊的一個以上的第二貫通孔，或者存在與平行投影于第二導體層1lf和第四導體層1lj的至少一方的上述第一貫通孔lld2或上述第一貫通孔llh2接近但不重疊的一個以上的第二貫通孔即可，能夠同樣地得到上述效果2和效果3。
[0059](5)上述第一實施方式和第二實施方式中，例不了在芯層1la的上表面和下表面設置有兩組絕緣體層和導體層的組的電子部件內置基板，但是，該絕緣體層和導體層的組為三組以上時，只要滿足上述(3)或(4)的條件，就能夠同樣地得到上述效果1或上述效果2和3。
[0060](6)上述第一實施方式和第二實施方式中，例不了在芯層1la的收納部1lal中收納有SAW濾波器12的電子部件內置基板，但是，也可以代替SAW濾波器12，收納其它的彈性波濾波器，例如，利用了體聲波(Bulk Acoust1c Wave)的BAW濾波器，也可以收納與SAW濾波器12同樣的具有輸入端子、輸出端子和接地端子的1C芯片等其它的電子部件。重要的是，具有與導體層1ld相對的輸入端子及輸出端子、和與該導體層1ld連接的接地端子，在連接平行投影于該導體層1ld的電子部件的輸入端子和輸出端子的區域不存在第一貫通孔即可，能夠同樣地得到上述效果4。當然，在收納有不滿足上述條件的電容器、電感器、或電阻等其它的電子部件時，也能夠同樣地得到上述效果1~效果3。
[0061]符號說明
[0062]11...基板、11a...芯層、llal...收納部、V0...收納部的開口邊緣、l1b...填充合成樹脂、11c、l1e、llg、1l1 …絕緣體層、l1d、1lf、llh、1lj …導體層、lldl、1lf 1、llhl、1ljl …接地配線、1ld2、llh2…第一貫通孔、1lf2、llj2…第二貫通孔、12?"SAW濾波器、12c~12e...端子。
【權利要求】
1.一種電子部件內置基板，其特征在于: 在貫通形成于芯層的收納部內收納有電子部件，在所述電子部件與所述收納部的內壁的間隙填充有吸濕性比所述芯層高的合成樹脂，在所述芯層的厚度方向的一個面和另一個面設置有兩組以上由合成樹脂形成的絕緣體層和由金屬形成的導體層的組， 在設置于所述芯層的厚度方向的一個面和另一個面的至少一方的兩組以上的絕緣體層和導體層的組中最接近所述芯層的導體層中，形成有一個以上的第一貫通孔，該第一貫通孔與平行投影于該最接近的導體層的所述收納部的開口邊緣的至少一部分重疊。
2.如權利要求1所述的電子部件內置基板，其特征在于: 在所述兩組以上的絕緣體層和導體層的組中最接近所述芯層的導體層以外的導體層中，形成有一個以上的第二貫通孔，該第二貫通孔與平行投影于該最接近的導體層以外的導體層的所述第一貫通孔至少一部分重疊。
3.如權利要求1所述的電子部件內置基板，其特征在于: 在所述兩組以上的絕緣體層和導體層的組中最接近所述芯層的導體層以外的導體層，形成有一個以上的第二貫通孔，該第二貫通孔與平行投影于該最接近的導體層以外的導體層的所述第一貫通孔接近但不重疊。
4.如權利要求2或3所述的電子部件內置基板，其特征在于: 所述第二貫通孔的形狀與平行投影于所述最接近的導體層以外的導體層的所述第一貫通孔的形狀不同。
5.如權利要求1?4中任一項所述的電子部件內置基板，其特征在于: 所述收納部形成為大致長方體形狀，所述電子部件形成為比該收納部小的大致長方體形狀。
6.如權利要求1?5中任一項所述的電子部件內置基板,其特征在于: 所述電子部件具有與最接近所述芯層的導體層相對的輸入端子和輸出端子、和連接于該導體層的接地端子，在連接平行投影于最接近所述芯層的導體層的所述電子部件的輸入端子和輸入端子的區域，不存在所述第一貫通孔。
7.如權利要求1?6中任一項所述的電子部件內置基板，其特征在于: 所述電子部件為彈性波濾波器、IC芯片、電容器、電感器、電阻的任意種。
8.如權利要求1?7中任一項所述的電子部件內置基板，其特征在于: 所述芯層由金屬形成。
9.如權利要求1?8中任一項所述的電子部件內置基板，其特征在于: 所述芯層和吸濕性比所述芯層高的合成樹脂由含有加強填料的合成樹脂形成，在形成該芯層的合成樹脂中所含的加強填料的含有率比吸濕性高于所述芯層的合成樹脂中所含的加強填料的含有率高。
【文檔編號】H05K1/18GK103813636SQ201310559577
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2013年11月11日 優先權日:2012年11月9日
【發明者】猿渡達郎, 杉山裕一, 中村浩, 長沼正樹, 佐治哲夫 申請人:太陽誘電株式會社