鋁基線路板及其制備方法、電子元件全封裝的制作方法

鋁基線路板及其制備方法、電子元件全封裝的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種用于制備電子元件全封的鋁基線路板及其制備方法、電子元件全封裝。該鋁基線路板包括依次層疊結合的第一陽極氧化鋁層、純鋁層、第二陽極氧化鋁層、導熱絕緣層和線路層，其中，所述第一陽極氧化鋁層具有利用激光刻蝕形成的粗糙度為0.5～9.5μm的外表面，用于增強其與電子元件全封裝的封裝層之間的結合力。該電子元件全封裝包括該鋁基線路板和對該鋁基線路板進行全包封的封裝層。上述用于制備電子元件全封裝的鋁基線路板與電子元件全封裝的封裝層之間的結合力，從而使得上述含有該鋁基線路板的電子元件全封裝結構穩定，并且該高的結合力還顯著提高了電子元件全封裝的散熱性能，使電子元件全封裝的綜合可靠性提升。
【專利說明】鋁基線路板及其制備方法、電子元件全封裝

【技術領域】
[0001] 本發明屬于電子器件【技術領域】，具體涉及一種鋁基線路板及其制備方法和一種電 子元件全封裝。

【背景技術】
[0002] 智能功率模塊發熱較大，因此需要良好的散熱設計以解決可靠性問題，行業上常 見的做法是在封裝體上設置散熱片并將散熱片外露，屬于半包封結構。目前，金屬基線路板 作為功率器件絕緣散熱組件而廣為應用，這些線路板板一般由金屬基板、絕緣層、銅箔三層 結構組成，其中以價廉、質輕的鋁基板居多。
[0003] 現有的半包封功率模塊集成度不高，因此需要增加外圍電路元件，導致產品體積 較大，不利于產品的小型化；將外圍電路集成在器件內部，而使器件小型化是一種趨勢，然 而高集成后的半包封產品更容易發生可靠性問題，因此有將器件做成全包封結構（即電子 元件全封裝)，但封裝在模塊內部的鋁基線路板容易在潮濕的環境下受到來自塑封料中離 子的腐蝕，使線路板和塑封料間分層，導致可靠性問題。
[0004] 對于解決鋁基板腐蝕問題，線路板行業通常將鋁基板氧化處理后使用，但氧化后 的鋁基板與塑封料間仍存在結合力差的問題。目前，行業上有對純鋁基板粗化的做法，如拉 絲、噴砂。但對于帶氧化鋁層的鋁基板，這些方法并不適用。拉絲破壞了氧化層結構，影響 了防腐蝕效果；噴砂不易粗化硬度較高的氧化鋁層。


【發明內容】

[0005] 本發明實施例的目的在于克服現有技術的上述不足，提供一種用于制備電子元件 全封裝的鋁基線路板及其制備方法，旨在克服現有鋁基板的氧化鋁層粗化困難，鋁基板與 塑封料間結合力差的技術問題。
[0006] 本發明實施例的另一目的在于提供一種可靠性高的電子元件全封裝。
[0007] 為了實現上述發明目的，本發明實施例的技術方案如下：
[0008] -種鋁基線路板，其用于制備電子元件全封裝，所述鋁基線路板包括依次層疊結 合的第一陽極氧化鋁層、純鋁層、第二陽極氧化鋁層、導熱絕緣層和線路層，其中，所述第一 陽極氧化鋁層具有利用激光刻蝕形成的粗糙度為〇. 5?9. 5 μ m的外表面，用于增強其與電 子元件全封裝的封裝層之間的結合力。
[0009] 以及，一種制備用于電子元件全封裝的鋁基線路板的方法，包括如下步驟：
[0010] 制備包括有依次層疊結合的第一陽極氧化鋁層、純鋁層、第二陽極氧化鋁層、導熱 絕緣層和線路層的鋁基線路板半成品；
[0011] 將所述鋁基線路板半成品的第一陽極氧化鋁層外表面采用電流強度為8. 5? 9. 5A的激光刻蝕，使得第一陽極氧化鋁層外表面的粗糙度為0. 5?9. 5 μ m。
[0012] 以及，一種電子元件全封裝，包括鋁基線路板和對鋁基線路板進行全包封的封裝 層，所述錯基線路板為上述的錯基線路板或者由上述的錯基線路板的方法制備獲得的錯基 線路板。
[0013] 上述用于制備電子元件全封裝的鋁基線路板的第一陽極氧化鋁層外表面采用激 光刻蝕，使得第一陽極氧化鋁層外表面具有特定的粗糙度，從而顯著提高了該鋁基線路板 與電子元件全封裝的封裝層之間的結合力，從而使得上述含有該鋁基線路板的電子元件全 封裝結構穩定，不分層，不開裂，并且該高的結合力還顯著提高了電子元件全封裝的散熱性 能，使電子元件全封裝的綜合可靠性提升。
[0014] 上述鋁基線路板的制備方法采用特定電流強度的激光對第一陽極氧化鋁層進行 刻蝕，能有效保證第一陽極氧化鋁層不被擊穿，且能使得其表面具有特定的粗糙度，有效克 服現有氧化鋁層刻蝕方法中存在的粗化困難或易被破壞的技術問題。另外，采用激光刻蝕， 其條件易控制，生產效率高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015] 下面將結合附圖及實施例對本發明作進一步說明，附圖中：
[0016] 附圖1為本發明實施例鋁基線路板的結構示意圖；
[0017] 附圖2為本發明實施例電子元件全封裝的剖面結構示意圖；
[0018] 附圖3為本發明實施例用于電子元件全封裝的鋁基線路板制備方法的工藝示意 圖；
[0019] 附圖4為本發明實施例電子元件全封裝制備方法的工藝示意圖；
[0020] 附圖5未經激光刻蝕的基板落錘沖擊的超聲掃描圖片；
[0021] 附圖6激光刻蝕后的基板落錘沖擊的超聲掃描圖片。

【具體實施方式】
[0022] 為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對 本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并 不用于限定本發明。
[0023] 本發明實例提供了一種用于制備電子元件全封裝的，且與塑封料間結合力高，能 有效解決腐蝕問題的鋁基線路板。該鋁基線路板結構如圖1、2所示，該鋁基線路板1包括 依次層疊結合的第一陽極氧化鋁層11、純鋁層12、第二陽極氧化鋁層13、導熱絕緣層14和 線路層15。
[0024] 其中，圖1、2中的第一陽極氧化鋁層11具有利用激光刻蝕形成的粗糙度為0. 5? 9. 5 μ m的外表面110。采用激光刻蝕并使得外表面110的粗糙度為0. 5?9. 5 μ m能顯著 提高了該第一陽極氧化鋁層11與圖2中的封裝層2之間的結合力，從而保證了第一陽極氧 化鋁層11與圖2中的封裝層2之間不分層，不開裂，也即是提高了鋁基線路板1與圖2中 的封裝層2之間的結合力；同時，由于該第一陽極氧化鋁層11的存在，還起到了防止鋁基線 路板腐蝕的作用，使得圖2所述的電子元件全封裝的可靠性高。
[0025] 在優選實施例中，第一陽極氧化鋁層1外表面的粗糙度為4?9. 5 μ m。該優選的 粗糙度既能保證激光刻蝕時第一陽極氧化鋁層1不被破壞，又能使得其與圖2中的封裝層 2之間的結合力更強，結合后不分層，不開裂，使得圖2所述的電子元件全封裝的可靠性更 商。
[0026] 或在進一步優選實施例中，圖1、圖2中的第一陽極氧化鋁層11外表面110的粗 糙度（即0. 5?9. 5 μ m或4?9. 5 μ m的粗糙度）是由密集的點狀坑、點狀凸起或/和溝槽 (點狀坑、點狀凸起、溝槽均無圖示）形成。
[0027] 如在具體實施例中，該粗糙度是由密集的點狀坑形成。在另一具體實施例中，該 粗糙度是由密集的點狀凸起形成。在又一具體實施例中，該粗糙度是由密集的粗糙的溝槽 形成。或在再一具體實施例中，該粗糙度是由密集的狀坑、點狀凸起、粗糙溝槽中的兩種或 三種隨機的組合形成。在各具體實施例中，第一陽極氧化鋁層11外表面110的形貌沒有特 別的規律分布，如當外表面110由密集的點狀坑、點狀凸起或溝槽構成的形貌時，點狀坑、 點狀凸起或溝槽的分布是隨機分布的；當外表面110由密集的點狀坑、點狀凸起、溝槽中的 兩種或三種組合構成的形貌時，點狀坑、點狀凸起、溝槽中的兩種或三種的分布也是隨機分 布，也就是說，只要能利用激光刻蝕控制外表面110的粗糙度為0. 5?9. 5 μ m、優選為4? 9. 5 μ m 艮P可。
[0028] 在具體實施例中，構成外表面110形貌的點狀坑的尺寸為1?3 μ m，如點狀坑的 尺寸為1 μ m、2 μ m、3 μ m。在另一具體實施例中，構成外表面110形貌的點狀凸起的尺寸為 1?3μ--，如點狀凸起的尺寸為1μπ?、2μπ?、3μπ?。在又一具體實施例中，構成外表面110 形貌的密集的粗糙的溝槽尺寸為1?10 μ m，如溝槽的尺寸為1 μ m、2 μ m、3 μ m、4 μ m、5 μ m、 6um、7um、8um、9um、10um。
[0029] 上述關于外表面110形貌的各優選的具體實施例均是為了提高第一陽極氧化鋁 層11外表面110與圖2中的封裝層2之間的結合力強度，而且能使得兩者間的結合力強度 更高。
[0030] 經激光刻蝕并使得上述第一陽極氧化鋁層11外表面110具有上述各優選實施例 的形貌后，該第一陽極氧化鋁層11厚度優選為0. 5?9. 5 μ m。該厚度的第一陽極氧化鋁層 11能有效保護鋁基線路板1如純鋁層12不被腐蝕。因此，在優選實施例中，第一陽極氧化 鋁層11外表面110的0.5?9. 5μπι的粗糙度是由密集的點狀凸起或/和溝槽形成，此時， 第一陽極氧化鋁層11外表面110的厚度為〇. 5?6 μ m。
[0031] 在另一優選實施例中，第一陽極氧化錯層11外表面110的0. 5?9. 5 μ m的粗糙 度是由密集的點狀坑形成，此時，第一陽極氧化鋁層11外表面110的厚度為1?10 μ m。
[0032] 圖1、2中的第二陽極氧化鋁層13能使得純鋁層12與線路層15之間絕緣，特別是 焊接在線路層15上的電子元件16與純鋁層12之間的絕緣。為了使得純鋁層12與線路層 15之間絕緣特別是電子元件16與純鋁層12之間的絕緣效果更好，在優選實施例中，該第二 陽極氧化鋁層13的厚度為1?10 μ m，更優選為10 μ m。該優選厚度的第二陽極氧化鋁層 13能夠使得電子元件16與純鋁層12絕緣耐電壓高達300伏。
[0033] 圖1、2中的純鋁層12、導熱絕緣層14、線路層15均可以是本領域常規的結構，在 本發明實施例中沒有特別的要求。焊接在線路層15上的電子元件16可以根據實際的應用 或者根據圖2中的電子元件全封裝類型進行選用。
[0034] 由上述可知，上述用于制備電子元件全封裝的鋁基線路板1的第一陽極氧化鋁層 11外表面110采用激光刻蝕，使得第一陽極氧化鋁層11外表面110具有特定的粗糙度又能 保證第一陽極氧化鋁層11不被破壞，從而顯著提高了該鋁基線路板1與電子元件全封裝的 封裝層之間的結合力，結合后兩者不分層，不開裂，保證鋁基線路板1不被腐蝕，使得電子 元件全封裝的可靠性更高。
[0035] 相應地。本發明還提供了一種條件易控、精確度高的用于制備電子元件全封裝的 鋁基線路板制備方法。該方法可以用來制備上文如圖1所示的鋁基線路板1，該方法的工藝 如圖3所示，同時請參照圖2,其包括如下步驟：
[0036] 步驟S01.制備用于電子元件全封裝的鋁基線路板半成品：制備包括有依次層疊 結合的第一陽極氧化鋁層、純鋁層12、第二陽極氧化鋁層13、導熱絕緣層14和線路層15的 鋁基線路板半成品；其中，線路層15上焊接有相應的電子元件16 ;
[0037] 步驟S02.采用激光將第一陽極氧化鋁層11的外表面110進行刻蝕：將步驟S01 制備的鋁基線路板半成品的第一陽極氧化鋁層外表面110采用電流強度為8. 5?9. 5A的 激光刻蝕，形成第一陽極氧化鋁層11，且其外表面110的粗糙度為〇. 5?9. 5 μ m，得到鋁基 線路板1 ;
[0038] 具體地，上述步驟S01中的純鋁層12、第二陽極氧化鋁層13、導熱絕緣層14和線 路層15、電子元件16等各部件均如上文所述，為了節約篇幅，在此不再贅述。其中，第一陽 極氧化鋁層應滿足經步驟S02中的激光刻蝕后形成上文所述的第一陽極氧化鋁層11的要 求。各部件均可以按照本領域常規方法制備。
[0039] 上述步驟S02中，采用上述電流強度的激光對步驟S01中的第一陽極氧化鋁層刻 蝕后，使得第一陽極氧化鋁層成為上文所述的第一陽極氧化鋁層11。具體的，刻蝕形成的第 一陽極氧化鋁層11的形貌以及粗糙度如上文所述，為了節約篇幅，在此不再贅述。
[0040] 在優選實施例中，當經本步驟刻蝕形成的第一陽極氧化鋁層11的形貌為密集的 點狀坑形貌時，該激光刻蝕是8. 5?9. 0安培電流強度。
[0041] 在另一優選實施例中，當經本步驟刻蝕形成的第一陽極氧化鋁層11的形貌為密 集的點狀凸起形貌時，該激光刻蝕是9. 0?9. 5安培電流強度。
[0042] 在又一優選實施例中，當經本步驟刻蝕形成的第一陽極氧化鋁層11的形貌為密 集的溝槽形貌時，該激光刻蝕是9. 0?9. 5安培電流強度。
[0043] 在再一優選實施例中，當經本步驟刻蝕形成的第一陽極氧化鋁層11的形貌為上 文所述的密集的點狀坑、點狀凸起、溝槽中的兩種或三種隨意組分形貌時，該激光刻蝕的工 藝條件可以按照刻蝕點狀坑、點狀凸起、溝槽形貌各自的刻蝕的工藝條件隨機組合設置使 用。
[0044] 上述鋁基線路板的制備方法采用特定電流強度的激光對第一陽極氧化鋁層進行 刻蝕，能有效保證第一陽極氧化鋁層不被擊穿，且能使得其表面具有特定的粗糙度，有效克 服現有氧化鋁層刻蝕方法中存在的粗化困難或易被破壞的技術問題。另外，采用激光刻蝕， 其條件易控制，生產效率高。
[0045] 進一步地，本發明還提供了一種可靠性高的電子元件全封裝實施例，該電子元件 全封裝的結構如圖2所示。在圖2中，該電子元件全封裝包括鋁基線路板1和對鋁基線路 板1進行全包封的封裝層2。
[0046] 具體地，該圖2所示的電子元件全封裝中的鋁基線路板1為如上文所述和圖1所 示的鋁基線路板1或者如上文所述和圖3所示用于電子元件全封裝的鋁基線路板的制備方 法制備而成的鋁基線路板。因此，為了節約篇幅，在此不再對鋁基線路板1的具體結構進行 贅述，可以直接參見上文。
[0047] 該圖2所示的電子元件全封裝中的封裝層2材料優選為環氧塑封料。當然，也可 以根據實際生產的需要，選用本領域其他塑封料對鋁基線路板1進行全包封。另外，封裝層 2的厚度也可以根據實際生產的需要進行靈活調整與設置。
[0048] 圖2所示的電子元件全封裝可以按照如下方法制備，同時請參見圖5所示的電子 元件全封裝制備方法的工藝示意圖：
[0049] S03.制備錯基線路板1 ;
[0050] S04.采用包封料封裝鋁基線路板：采用包封料對步驟S03制備的鋁基線路板1進 行封裝。
[0051] 具體地，上述步驟S03中鋁基線路板1的制備方法如上文鋁基線路板制備方法和 圖3所示工藝制備獲得即可。
[0052] 上述步驟S04的包封料如上文所述，優選為環氧塑封料。當然，也可以根據實際生 產的需要，選用本領域其他塑封料。
[0053] 該步驟S04中對鋁基線路板1進行全包封的方法可以按照本領域常規的包封或封 裝方法進行即可。
[0054] 該電子元件全封裝由于選用上文所述的鋁基線路板1作為鋁基線路板，因此，該 鋁基線路板1與封裝層2之間的結合力強，結合后兩者不分層，不開裂，正是兩者優異的結 合力使電子元件全封裝的散熱性能更優，另外，鋁基線路板1的第一陽極氧化鋁層11完整 沒有被破壞，因此，鋁基線路板1耐腐蝕性強。正是具有鋁基線路板1與封裝層2之間的結 合力強，散熱性能優，鋁基線路板1耐腐蝕性強，使得電子元件全封裝的綜合可靠性相對現 有的得以顯著提升。
[0055] 以下通過多個實施例來舉例進一步說明上述鋁基線路板及其制備方法、電子元件 全封裝的相關性能等方面。
[0056] 實施例1
[0057] -種用于電子元件全封裝的鋁基線路板、用于電子元件全封裝和用于電子元件全 封裝的制備方法。
[0058] 該鋁基線路板的結構如圖1所示，其包括依次層疊結合的第一陽極氧化鋁層、純 鋁層、第二陽極氧化鋁層、導熱絕緣層和線路層以及焊接在線路層上的電子元件。其中，第 一陽極氧化鋁層的厚度為9. 9 μ m，其外表粗糙度為0. 1 μ m，其表面形態為隨意分布的密集 的圓點狀深坑，見下文表1中實施例1。
[0059] 該電子元件全封裝如圖2所示，其結構為包括鋁基線路板和對鋁基線路板進行全 包封的封裝層。
[0060] 上述鋁基線路板和電子元件全封裝制備方法如下：
[0061] (1)制備包括有依次層疊結合的第一陽極氧化鋁原始層、純鋁層、第二陽極氧化鋁 層、導熱絕緣層和線路層的鋁基線路板半成品；其中，線路層上焊接有相應的電子元件；
[0062] (2)將激光打標機的激光器電流強度選擇在8安培，激光器參數設置：打標速度 3000mm/s，空跳速度2000mm/s，Q頻20KHz，將鋁基線路板半成品放置在激光打標機的操作 臺面上，并使得第一陽極氧化鋁層與光源相對，聚焦激光，選擇激光掃描面積略大于第一陽 極氧化鋁層的面積，進行激光刻蝕，然后用塑封料進行封裝。
[0063] 實施例2
[0064] -種用于電子元件全封裝的鋁基線路板、用于電子元件全封裝和用于電子元件全 封裝的制備方法。
[0065] 該鋁基線路板和電子元件全封裝結構如同實施例1中的鋁基線路板和電子元件 全封裝。不同在于第一陽極氧化鋁層的厚度為9. 5 μ m，其外表粗糙度為0. 5 μ m，其表面形 態也為隨意分布的密集的圓點狀深坑，見下文表1中實施例2。
[0066] 上述鋁基線路板和電子元件全封裝制備方法如下：
[0067] ( 1)參照實施例1中步驟（1);
[0068] (2)將激光打標機的激光器電流強度選擇在8. 5安培，激光器參數設置：打標速度 3000mm/s，空跳速度2000mm/s，Q頻20KHz，將鋁基線路板半成品放置在激光打標機的操作 臺面上，并使得第一陽極氧化鋁層與光源相對，聚焦激光，選擇激光掃描面積略大于第一陽 極氧化鋁層的面積，進行激光刻蝕，然后用塑封料進行封裝。
[0069] 實施例3
[0070] -種用于電子元件全封裝的鋁基線路板、用于電子元件全封裝和用于電子元件全 封裝的制備方法。
[0071] 該鋁基線路板和電子元件全封裝結構如同實施例1中的鋁基線路板和電子元件 全封裝。不同在于第一陽極氧化鋁層的厚度為6 μ m，其外表粗糙度為4 μ m，其表面形態為 隨意分布的密集的粗糙的溝槽和點狀凸起，見下文表1中實施例3。
[0072] 上述鋁基線路板和電子元件全封裝制備方法如下：
[0073] ( 1)參照實施例1中步驟（1);
[0074] (2)將激光打標機的激光器電流強度選擇在9安培，激光器參數設置：打標速度 3000mm/s，空跳速度2000mm/s，Q頻20KHz，將鋁基線路板半成品放置在激光打標機的操作 臺面上，并使得第一陽極氧化鋁層與光源相對，聚焦激光，選擇激光掃描面積略大于第一陽 極氧化鋁層的面積，進行激光刻蝕，然后用塑封料進行封裝。
[0075] 實施例4
[0076] -種用于電子元件全封裝的鋁基線路板、用于電子元件全封裝和用于電子元件全 封裝的制備方法。
[0077] 該鋁基線路板和電子元件全封裝結構如同實施例1中的鋁基線路板和電子元件 全封裝。不同在于第一陽極氧化鋁層的厚度為〇. 5 μ m，其外表粗糙度為9. 5 μ m，其表面形 態為隨意分布的密集的粗糙的溝槽和點狀凸起，見下文表1中實施例4。
[0078] 上述鋁基線路板和電子元件全封裝制備方法如下：
[0079] ( 1)參照實施例1中步驟（1);
[0080] (2)將激光打標機的激光器電流強度選擇在9. 5安培，激光器參數設置：打標速度 3000mm/s，空跳速度2000mm/s，Q頻20KHz，將鋁基線路板半成品放置在激光打標機的操作 臺面上，并使得第一陽極氧化鋁層與光源相對，聚焦激光，選擇激光掃描面積略大于第一陽 極氧化鋁層的面積，進行激光刻蝕，然后用塑封料進行封裝。
[0081] 實施例5
[0082] 一種用于電子元件全封裝的鋁基線路板、用于電子元件全封裝和用于電子元件全 封裝的制備方法。
[0083] 該鋁基線路板和電子元件全封裝結構如同實施例1中的鋁基線路板和電子元件 全封裝。不同在于其表面形態為隨意分布的密集的粗糙的溝槽和點狀凸起，且第一陽極氧 化錯層被破壞，見下文表1中實施例5。
[0084] 上述鋁基線路板和電子元件全封裝制備方法如下：
[0085] ( 1)參照實施例1中步驟（1);
[0086] (2)將激光打標機的激光器電流強度選擇在10安培，激光器參數設置：打標速度 3000mm/s，空跳速度2000mm/s，Q頻20KHz，將鋁基線路板半成品放置在激光打標機的操作 臺面上，并使得第一陽極氧化鋁層與光源相對，聚焦激光，選擇激光掃描面積略大于第一陽 極氧化鋁層的面積，進行激光刻蝕，然后用塑封料進行封裝。
[0087] 實施例6
[0088] 一種用于電子元件全封裝的鋁基線路板、用于電子元件全封裝和用于電子元件全 封裝的制備方法。
[0089] 該鋁基線路板和電子元件全封裝結構如同實施例1中的鋁基線路板和電子元件 全封裝。不同在于其表面形態為隨意分布的密集的粗糙的溝槽和點狀凸起，且第一陽極氧 化錯層被破壞，見下文表1中實施例6。
[0090] 上述鋁基線路板和電子元件全封裝制備方法如下：
[0091] (1)參照實施例1中步驟（1);
[0092] (2)將激光打標機的激光器電流強度選擇在10. 5安培，激光器參數設置：打標速 度3000mm/s，空跳速度2000mm/s，Q頻20KHz，將鋁基線路板半成品放置在激光打標機的操 作臺面上，并使得第一陽極氧化鋁層與光源相對，聚焦激光，選擇激光掃描面積略大于第一 陽極氧化鋁層的面積，進行激光刻蝕，然后用塑封料進行封裝。
[0093] 實施例7
[0094] 一種用于電子元件全封裝的鋁基線路板、用于電子元件全封裝和用于電子元件全 封裝的制備方法。
[0095] 該鋁基線路板和電子元件全封裝結構如同實施例1中的鋁基線路板和電子元件 全封裝。不同在于其表面形態為隨意分布的密集的粗糙的溝槽，且第一陽極氧化鋁層被破 壞，見下文表1中實施例6。
[0096] 上述鋁基線路板和電子元件全封裝制備方法如下：
[0097] ( 1)參照實施例1中步驟（1);
[0098] (2)將激光打標機的激光器電流強度選擇在11安培，激光器參數設置：打標速度 3000mm/s，空跳速度2000mm/s，Q頻20KHz，將鋁基線路板半成品放置在激光打標機的操作 臺面上，并使得第一陽極氧化鋁層與光源相對，聚焦激光，選擇激光掃描面積略大于第一陽 極氧化鋁層的面積，進行激光刻蝕，然后用塑封料進行封裝。
[0099] 對比例1 :
[0100] 按照實施例1的鋁基線路板和電子元件全封裝制備方法的步驟（1)制備鋁基線路 板半成品，然后直接鋁基線路板半成品不經過任何處理直接用塑封料進行封裝。
[0101] 對比例2:
[0102] 按照實施例1的鋁基線路板和電子元件全封裝制備方法的步驟（1)制備鋁基線路 板半成品，然后對鋁基線路板半成品的第一陽極氧化鋁層做拉絲處理，然后用塑封料進行 封裝。
[0103] 對比例3 :
[0104] 按照實施例1的鋁基線路板和電子元件全封裝制備方法的步驟（1)制備鋁基線路 板半成品，然后對鋁基線路板半成品的第一陽極氧化鋁層做噴砂處理，然后用塑封料進行 封裝。
[0105] 性能測試：
[0106] 將上述實施例1-7和對比例1-3制備的鋁基線路板的第一陽極氧化鋁層外觀、厚 度、粗糙度、形貌進行觀察和測定，同時對上述實施例1-7和對比例1-3制備電子元件全封 裝進行落錘測試，各項性能測試結果見表1 :
[0107] 表 1
[0108]

【權利要求】
1. 一種鋁基線路板，其用于制備電子元件全封裝，所述鋁基線路板包括依次層疊結合 的第一陽極氧化鋁層、純鋁層、第二陽極氧化鋁層、導熱絕緣層和線路層，其特征在于：所述 第一陽極氧化鋁層具有利用激光刻蝕形成的粗糙度為0. 5?9. 5 μ m的外表面，用于增強其 與電子元件全封裝的封裝層之間的結合力。
2. 如權利要求1所述的鋁基線路板，其特征在于：所述第一陽極氧化鋁層外表面的粗 糙度為4?9. 5 μ m。
3. 如權利要求1或2所述的鋁基線路板，其特征在于：所述第一陽極氧化鋁層外表面 的粗糙度是由密集的點狀坑、點狀凸起或/和溝槽形成。
4. 如權利要求3所述的鋁基線路板，其特征在于：所述點狀坑的尺寸為1?3 μ m，和/ 或點狀凸起的尺寸為1?3μπ?，和/或溝槽的尺寸為1?ΙΟμπ?。
5. 如權利要求1或2或4所述的鋁基線路板，其特征在于：所述第一陽極氧化鋁層的 厚度為〇· 5?9. 5 μ m。
6. 如權利要求1或2或4所述的鋁基線路板，其特征在于：所述第一陽極氧化鋁層外 表面的0. 5?9. 5 μ m的粗糙度是由密集的點狀凸起或/和溝槽形成，且所述第一陽極氧化 鋁層外表面的厚度為0. 5?6 μ m。
7. 如權利要求1或2或4所述的鋁基線路板，其特征在于：所述第一陽極氧化鋁層外 表面的0. 5?9. 5 μ m的粗糙度是由密集的點狀坑形成，且所述第一陽極氧化鋁層外表面的 厚度為1?10 μ m。
8. 如權利要求1或2或4所述的鋁基線路板，其特征在于：所述第二陽極氧化鋁層的 厚度為1?10 μ m。
9. 如權利要求8所述的鋁基線路板，其特征在于：所述第二陽極氧化鋁層的厚度為 10 μ m〇
10. -種制備用于電子元件全封裝的鋁基線路板的方法，包括如下步驟： 制備包括有依次層疊結合的第一陽極氧化鋁層、純鋁層、第二陽極氧化鋁層、導熱絕緣 層和線路層的鋁基線路板半成品； 將所述鋁基線路板半成品的第一陽極氧化鋁層外表面采用電流強度為8. 5?9. 5A的 激光刻蝕，使得第一陽極氧化鋁層外表面的粗糙度為〇. 5?9. 5 μ m。
11. 如權利要求10所述的鋁基線路板的方法，其特征在于：所述激光刻蝕是8. 5?9. 0 安培電流強度條件在第一陽極氧化鋁層外表面上形成密集的點狀坑形貌，使得所述第一陽 極氧化鋁層外表面的粗糙度為〇. 5?9. 5 μ m。
12. 如權利要求10所述的鋁基線路板的方法，其特征在于：所述激光刻蝕是9. 0?9. 5 安培電流強度條件在第一陽極氧化鋁層外表面上形成密集的點狀凸起或/和溝槽形貌，使 得所述第一陽極氧化鋁層外表面的粗糙度為〇. 5?9. 5 μ m。
13. -種電子元件全封裝，包括鋁基線路板和對鋁基線路板進行全包封的封裝層，其特 征在于：所述鋁基線路板為如權利要求1?9任一項所述的鋁基線路板或者由如權利要求 10?12任一項所述的鋁基線路板的方法制備獲得的鋁基線路板。
【文檔編號】H05K1/02GK104113978SQ201310377533
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2013年8月23日 優先權日:2013年8月23日
【發明者】王新雷, 程德凱, 陶良毅, 陳玲娟 申請人:廣東美的制冷設備有限公司