電子元件組合及其制造方法
【專利摘要】一種電子元件組合，包括一第一元件以及一第二元件，第二元件的上表面開設凹槽，該凹槽內涂布粘著劑以將第一元件接合于第二元件的上表面，第一元件與第二元件之間未經粘著劑膠合的區域直接接觸。一種電子元件組合的制造方法，包括以下步驟：提供一第一元件及一第二元件；在第二元件上表面開設凹槽；將粘著劑涂布于該凹槽內；將第一元件接合于第二元件的上表面，粘著劑將第一元件粘接于第二元件。該第一元件可與第二元件牢固接合，該電子元件組合厚度超薄且其金屬接觸面具有導電性能，可抗電磁干擾并提高其電磁耐受性。
【專利說明】電子元件組合及其制造方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及一種電子元件組合及其制造方法。
【背景技術】
[0002] 3C產品追求超薄的趨勢下，電子元件之間的結合方式由傳統的焊接、鉚合等方式 演進到膠合的方式，但由于全面膠合的方式結合，會在電子元件之間形成絕緣層，阻絕原本 的電導通形態，造成電磁干擾與電磁耐受性降低。
【發明內容】
[0003] 鑒于以上內容，有必要提供一種可以降低電磁干擾并提高電磁耐受性的電子元件 組合。
[0004] -種電子元件組合，包括一第一元件以及一第二元件，第二元件的上表面開設凹 槽，該凹槽內涂布粘著劑以將第一元件接合于第二元件的上表面，第一元件與第二元件之 間未經粘著劑膠合的區域直接接觸。
[0005] -種電子元件組合的制造方法，包括以下步驟： 提供一第一元件及一第二元件； 在第二元件上表面開設凹槽； 將粘著劑涂布于該凹槽內； 將第一元件接合于第二元件的上表面，粘著劑將第一元件粘接于第二元件。
[0006] 相較現有技術，該第一元件可與第二元件牢固接合，該電子元件組合厚度超薄且 其金屬接觸面具有導電性能，可抗電磁干擾并提高其電磁耐受性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0007] 下面參照附圖結合【具體實施方式】對本發明作進一步的描述。
[0008] 圖1為本發明電子元件組合的較佳實施方式的立體分解圖。
[0009] 圖2為本發明電子元件組合的第二元件的立體圖，其中該第二元件的凹槽內涂布 納米粘著劑。
[0010] 圖3為圖1的組裝圖。
[0011] 圖4為圖3沿IV -IV線的剖視圖。
[0012] 主要元件符號說明
【權利要求】
1. 一種電子元件組合，包括一第一元件以及一第二元件，第二元件的上表面開設凹槽， 該凹槽內涂布粘著劑以將第一元件接合于第二元件的上表面，第一元件與第二元件之間未 經粘著劑膠合的區域直接接觸。
2. 如權利要求1所述的電子元件組合，其特征在于：該凹槽包括一長槽及開設于長槽 兩側的溢膠槽。
3. 如權利要求1所述的電子元件組合，其特征在于：該粘著劑為納米粘著劑。
4. 如權利要求1所述的電子元件組合，其特征在于：該第一元件及第二元件均為金屬 薄片。
5. 如權利要求1所述的電子元件組合，其特征在于：該凹槽深度為200 μ m。
6. -種電子元件組合的制造方法，包括以下步驟： 提供一第一元件及一第二元件； 在第二元件上表面開設凹槽； 將粘著劑涂布于該凹槽內； 將第一元件接合于第二元件的上表面，粘著劑將第一元件粘接于第二元件。
7. 如權利要求6所述的電子元件組合的制造方法，其特征在于：該凹槽可運用化學能 或熱能進行開設。
8. 如權利要求6所述的電子元件組合的制造方法，其特征在于：該凹槽包括一長槽及 開設于長槽兩側的溢膠槽。
9. 如權利要求6所述的電子元件組合的制造方法，其特征在于：該凹槽深度為為 200 μ m。
10. 如權利要求6所述的電子元件組合的制造方法，其特征在于：該粘著劑為納米粘著 劑。
【文檔編號】H05K9/00GK104254234SQ201310258839
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2013年6月26日 優先權日:2013年6月26日
【發明者】林文進, 王文杰, 陳欽洲 申請人:鴻富錦精密工業(武漢)有限公司, 鴻海精密工業股份有限公司