專利名稱：一種拉制8英寸重摻砷硅單晶的熱系統的制作方法
技術領域：
本發明屬于半導體技術領域，尤其是涉及一種拉制8英寸重摻砷硅單晶的熱系統。
背景技術：
原有大尺寸熱場拉制8寸重摻單晶是在小尺寸熱場的基礎上放大尺寸，但是成晶率較低很難實現量產；分析原因有(I)其熱系統結構固液界面徑向溫度梯度偏小，拉制大直徑單晶時溫度波動大斷苞率高，對于〈111〉單晶拉晶過程中單晶寬面較大成晶異常。(2)由于設備CCD信號位置影響，在拉制〈111〉單晶時寬面過大、信號波動大，CCD信號取值困難影響成晶。
發明內容
本發明要解決的問題是提供一種成本低、成晶率高拉制8英寸重摻砷硅單晶的熱系統。為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案是:一種拉制8英寸重摻砷硅單晶的熱系統，包括導流筒、保溫蓋和上保溫筒，所述上保溫筒上設有保溫蓋，所述保溫蓋的一端連接所述導流筒，其特征在于:所述上保溫筒的高度為220mm，所述導流筒的高度為349mm。本發明具有的優點和積極效果是:由于采用上述技術方案，解決了由于徑向溫度梯度偏小導致寬面過大成晶異常的問題，同時解決了由于寬面過大影響CCD信號取值困難影響成晶信號波動的問題。
圖1是本發明的結構示意中:1、上保溫筒2、保溫蓋3、導流筒
具體實施例方式實施例1如圖1所示，本發明包括導流筒3、保溫蓋2和上保溫筒1，所述上保溫筒I上設有保溫蓋2，所述保溫蓋2的一端連接所述導流筒3，其特征在于:所述上保溫筒I的高度調整為220mm，所述導流筒3的高度為縮短為349mm。通過將上保溫筒高度由249mm調整為220mm，以增大徑向溫度梯度減小寬面尺寸，解決了由于徑向溫度梯度偏小導致寬面過大成晶異常的問題。通過將導流筒高度由378_調整為349mm，同時調整CXD觀察窗角度，解決了由于寬面過大影響CXD信號取值困難影響成晶信號波動的問題。
試驗例I拉制8寸〈111〉晶向重摻砷硅單晶的工藝數據如下表所示:
權利要求
1.一種拉制8英寸重摻砷硅單晶的熱系統，包括導流筒、保溫蓋和上保溫筒，所述上保溫筒上設有保溫蓋，所述保溫蓋的一端連接所述導流筒，其特征在于:所述上保溫筒的高度為220mm，所述導流筒的高度為349mm。
全文摘要
本發明提供一種拉制8英寸重摻砷硅單晶的熱系統，包括導流筒、保溫蓋和上保溫筒，所述上保溫筒上設有保溫蓋，所述保溫蓋的一端連接所述導流筒，其特征在于所述上保溫筒的高度為220mm，所述導流筒的高度為349mm。本發明的有益效果是解決了由于徑向溫度梯度偏小導致寬面過大成晶異常的問題，同時解決了由于寬面過大影響CCD信號取值困難影響成晶信號波動的問題。
文檔編號C30B15/14GK103103607SQ20131005826
公開日2013年5月15日 申請日期2013年2月25日 優先權日2013年2月25日
發明者陳澄, 王林, 朱鵬浩, 宋都明, 李亞哲, 劉一波 申請人:天津市環歐半導體材料技術有限公司