專利名稱：石英方坩堝的制作方法
技術領域：
石英方坩堝技術領域[0001]本實用新型涉及光伏材料制備技術領域，尤其涉及一種石英方坩堝。
背景技術：
[0002]多晶硅鑄錠用于生產多晶硅片，多晶硅片則用于生產太陽能電池。[0003]現有的多晶硅鑄錠制備方法為將一定數量的多晶硅料裝入石英方坩堝之后，將石英方坩堝放置在多晶硅鑄錠爐的爐膛中央，再在真空狀態和保護氣氛下對石英方坩堝中的多晶硅料進行加熱、熔化、定向長晶、退火、冷卻等工藝處理后形成定向凝固的多晶硅鑄錠。[0004]上述的石英方坩堝主要用于在G5及G6生長工藝中制備多晶硅鑄錠。G5生長工藝可以將多晶硅鑄錠切割為25(5*5)塊156*156mm(長*寬)的標準小硅錠，G6生長工藝可以將多晶硅鑄錠切割為36(6*6)塊156*156mm(長*寬)的標準小硅錠。[0005]隨著市場發展的需求，多晶硅鑄錠的生長工藝技術已經逐漸發展為G7生長工藝， 需要把多晶硅鑄錠切割為49 (7*7)塊156*156mm(長*寬)的標準小硅錠，而現有的石英方坩堝不能滿足G7生長工藝的需求。實用新型內容[0006]本實用新型的實施例提供一種石英方坩堝，可以滿足多晶硅鑄錠G7生長工藝的需求。[0007]為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術方案[0008]一種石英方坩堝，具有正方形的底壁及四個側壁，所述側壁的外表面垂直于所述底壁，所述底壁的內外表面均為正方形，所述底壁內表面的邊長為1130mm至1190mm，所述側壁內表面的高度為420mm至600mm。[0009]優選地，所述側壁的頂端至底端厚度不同并逐漸增加，所述側壁的頂端厚度為 IOmm至30mm,所述側壁的底端厚度為20mm至40mm。[0010]優選地，所述側壁的頂端至底端厚度相同，所述側壁的厚度為20mm至35mm。[0011]優選地，所述底壁與所述側壁之間的夾角及相鄰的所述側壁之間的夾角為圓倒角。[0012]本實用新型實施例提供的石英方坩堝中，由于底壁11內表面的邊長a為1130_ 至1190mm,且側壁22內表面的高度b為420mm至600mm,因此可以容納更多的娃晶體,從而能夠生產出更大的多晶硅鑄錠；另外，由于1130mm和1190mm均大于7*156mm，因此該多晶硅鑄錠能被切割為高度為420mm至600mm的49 (7*7)塊156*156mm(長*寬)的標準小硅錠，滿足G7生長工藝的需求。
[0013]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。[0014]圖I為本實用新型實施例提供的一種石英方坩堝的示意圖；[0015]圖2為本實用新型實施例提供的另一種石英方坩堝的示意圖。
具體實施方式
[0016]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。[0017]如圖I所示，為本實用新型一種石英方坩堝，具有正方形的底壁11及四個側壁12， 側壁12的外表面垂直于底壁11，底壁11的內外表面均為正方形，底壁11內表面的邊長a 為11 30mm至1190mm,側壁12內表面的高度b為420mm至600mm。[0018]本實用新型實施例提供的石英方坩堝中，由于底壁11內表面的邊長a為1130_ 至1190mm,且側壁22內表面的高度b為420mm至600mm,因此可以容納更多的娃晶體,從而能夠生產出更大的多晶硅鑄錠；另外，由于1130mm和1190mm均大于7*156mm，因此該多晶硅鑄錠能被切割為高度為420mm至600mm的49 (7*7)塊156*156mm(長*寬)的標準小硅錠，滿足G7生長工藝的需求。[0019]現有技術中的石英方坩堝生產的標準小硅錠數量最多為36個，而本實用新型實施例提供的石英方坩堝能夠一次性生產490個標準小硅錠，大幅度提供高了生產效率，并且,生產成本相應降低。[0020]同時，不與所述石英方坩堝接觸的中間部位的標準小硅錠數量大大增加，減少了所述石英方坩堝中所含雜質對所述標準小硅錠的污染，提高了所述標準小硅錠的平均質量，從而提高了所述硅片的平均質量。[0021]圖2示出了另一種石英方坩堝，圖2所示的石英方坩堝中，側壁22的頂端至底端厚度不同并逐漸增加，與底壁21連接的側壁22的厚度從頂端到底端逐漸增加，即側壁22 頂端的厚度m為IOmm至30mm,側壁22底端的厚度η為20mm至40mm。[0022]這樣設置側壁可以節省生產石英方坩堝所用材料，同時使相同空間內盛裝下更多的多晶硅原料，同樣能夠滿足生產的多晶硅鑄錠能夠一次性切割成49 (7*7)塊 156*156mm (長*寬)的標準小硅錠。[0023]本實用新型實施例提供的石英方坩堝中，側壁的結構可以如圖I所示，即頂端至底端的厚度相同，根據實際生產驗證，這種結構的側壁12的厚度k可以為20mm至35mm。[0024]另外，如圖I所示，底壁11與側壁12之間的夾角及相鄰的側壁12之間的夾角為直角，而圖2所示的石英方坩堝中，底壁21與側壁22之間的夾角及相鄰的側壁22之間的夾角為圓倒角。[0025]由于圖2中，底壁21與側壁22之間的夾角及相鄰的側壁22之間的夾角為圓倒角， 可以防止生產過程中所述石英方坩堝及所生產多晶硅鑄錠磕碰損壞。[0026]當然，底壁與側壁之間的夾角及相鄰的側壁之間的夾角并不限于圖I和圖2所示的形式，也可以是本領域技術人員所知的其它形式。[0027]以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。因此，本實用新型的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
權利要求1.一種石英方坩堝，具有正方形的底壁及四個側壁，所述側壁的外表面垂直于所述底壁，所述底壁的內外表面均為正方形，其特征在于，所述底壁內表面的邊長為1130mm至1190mm,所述側壁內表面的高度為420mm至600mm。
2.根據權利要求I所述的石英方坩堝，其特征在于，所述側壁的頂端至底端厚度不同并逐漸增加，所述側壁的頂端厚度為IOmm至30mm,所述側壁的底端厚度為20mm至40mm。
3.根據權利要求I所述的石英方坩堝，其特征在于，所述側壁的頂端至底端厚度相同，所述側壁的厚度為20mm至35mm。
4.根據權利要求1-3任一項所述的石英方坩堝，其特征在于，所述底壁與所述側壁之間的夾角及相鄰的所述側壁之間的夾角為圓倒角。
專利摘要本實用新型實施例公開了一種石英方坩堝，涉及光伏材料制備技術領域，解決了現有的石英方坩堝不能滿足G7生長工藝的需求的問題。本實用新型實施例提供的石英方坩堝，具有正方形的底壁及四個側壁，所述側壁的外表面垂直于所述底壁，所述底壁的內外表面均為正方形，其中，所述底壁內表面的邊長為1130mm至1190mm，所述側壁內表面的高度為420mm至600mm。
文檔編號C30B28/06GK202809001SQ20122043950
公開日2013年3月20日 申請日期2012年8月30日 優先權日2012年8月30日
發明者王楠, 黎志欣, 王軍, 郭大偉, 冷先鋒 申請人:北京京運通科技股份有限公司